Optimization of Oil Field Development Plan Using Multiple Local Optima

학위논문 (석사)-- 서울대학교 대학원 : 공과대학 에너지시스템공학부, 2018. 8. 최종근.최대한의 이익을 창출하는 유전개발계획을 세우기 위해서는 주입정과 생산정의 위치, 운영조건, 생산기간 등을 최적화하여야 한다. 이러한 변수들에 대해 최적화 알고리즘을 적용하면 지역최적해에 수렴하여 더 좋은 조건을 가진 유전개발계획을 선택하지 못할 수 있다. 변수들에 대해 광역적으로 탐색한 뒤 얻은 해들을 지역적으로 탐색하면 이 한계를 극복할 수 있다. 광역탐색 알고리즘은 수렴속도는 느리지만 광역적으로 해를 탐색하고, 지역탐색 알고리즘은 수렴속도는 빠르지만 지역최적해에 수렴할 수 있다. 본 연구는 두 알고리즘의 장점, 광역탐색능력과 빠른 수렴속도를 결합하였고 다수의 광역해들에 대해 지역탐색을 수행함으로써 지역최적해에 수렴하는 한계를 보완하였다. 본 연구에서는 광역탐색 알고리즘의 하나인 DE(Differential Evolution) 알고리즘, 지역탐색 알고리즘의 하나인 MADS(Mesh Adaptive Direct Search), 그리고 두 알고리즘을 결합한 제안된 방법의 최적화 결과를 비교하였다. 시뮬레이션 횟수에 따른, 탐색된 순현재가치의 변화와 분포를 비교하여 연구결과를 검증하였다. 제안 방법은 빠르고 안정적으로 최적의 유정위치, 운영조건, 생산기간을 찾으며 지역최적해에서 벗어나 광역최적해를 탐색한다.목 차 제 1 장 서론 01 1.1 연구목적 01 1.2 기존연구 05 제 2 장 이론적 배경 09 2.1 유전개발계획 최적화와 경제성평가 09 2.2 Differential Evolution 알고리즘 11 2.3 Mesh Adaptive Direct Search 알고리즘 15 2.4 DE-MADS-N 20 제 3 장 제안방법의 적용 및 검증 24 3.1 저류층모델 정의 및 최적화 변수 24 3.2 알고리즘 수행결과 비교 33 제 4 장 결론 53 참고문헌 55 Abstract 59Maste

Study on development of the spool installation management system

In the mid-2000s, Large shipyards in South Korea expanded their business area from common vessel to offshore plant based on outstanding shipbuilding ability of common vessel area. However, due to a lack of understanding about the offshore plant area, these shipyards suffered huge losses. The differences between offshore plant area and common vessel area include the characteristic of the business, the importance of engineering capability, the contract method, the rate of outfitting. In this study, I tried to solve problems arising from the high outfitting rate of the offshore plant from the perspective of production management. In this study, I developed the spool installation management system considering only spools among many types of outfittings. In the spool installation management system, the algorithm for optimizing the installation sequence of spools and the algorithm for spool installation planning are included. Also, verification of the developed system was performed through execution of simulation to verify the plan established through the developed system.1. 서 론 1 1.1 연구배경 1 1.2 연구 목적(순서, 시간, 리소스) 4 1.3 기존 연구 동향 5 2. 배관재 설치 순서 최적화 알고리즘 적용 개념 및 활용 이론 8 2.1 공정변수 8 2.2 간섭매트릭스 10 2.3 가중치 11 2.4 설치 제약조건 12 3. 배관재 설치순서 최적화 알고리즘 개발 14 3.1 배관재 설치순서 최적화 알고리즘 정의 14 3.2 알고리즘 단계 별 프로세스 16 4. 배관재 설치 계획 수립 알고리즘 개발 34 4.1 배관재 설치 계획 수립 알고리즘 정의 34 4.2 배관재 설치 계획 관련 제약조건 정의 34 4.3 계획 수립 방법 정의 36 5. 배관재 설치 관리 통합 시스템 개발 38 5.1 DTO 설계 38 5.2 비즈니스 컴포넌트 모델 설계 44 5.3 시스템 화면 구성 46 6. 배관재 설치 관리 시스템 결과 검증 54 6.1 기본 케이스를 통한 결과 검증 54 7. 시뮬레이션을 통한 계획 검증 68 7.1 개요 68 7.2 시뮬레이션 모델링 68 7.3 시뮬레이션을 통한 계획 검증 72 8. 결론 76 References 78Maste

The development of PPR(Parallel Passage Reactor) for theapplication of SCR technology to air preheater for utilityboilers

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Experimental study on flow and heat transfer chracteristics of a turbulent boundary layer disturbed by an elliptic cylinder

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A Reach posture prediction model based on psychophysical discomfort

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(A) study on patients' family members' radiation exposure and their into the computed tomography room

산업보건학과/석사[한글] 현재까지의 방사선 피폭에 관한 연구는 방사선 종사자를 중심으로 이루어져 왔으며, 방사선 검사 또는 치료환자를 간호하는 보호자나 일반인의 비자발적 피폭에 대한 연구는 부족한 상태이다. 따라서 의료기관에서 전산화 단층촬영실 출입 및 피폭에 관한 인식과 검사 중 출입하여 노출되는 방사선 피폭선량을 조사하고자 이 연구를 실시하였다. 전산화 단층촬영장치를 보유하고 있는 I지역 소재의 15개 의료기관을 중심으로 하여 전산화 단층촬영 경험이 있는 보호자 190명과 방사선사 112명을 대상으로 보호자의 산란선에 의한 피폭선량, 방사선사의 지식 및 인식과 행태 정도, 전산화 단층촬영실 출입 및 방어용구 착용 여부를 분석하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 전산화 단층촬영의 부위별 총 검사 시간, X-선 조사 시간은 부위에 따라 유의한 차이를 보였고, 촬영 부위별 표층선량과 심부선량은 복부, 흉부, 두부 순으로 높았으며 통계학적으로 유의한 차이가 있었다. 보호자의 전산화 단층촬영실 출입 경험은 27.9%이며, 출입 이유는 촬영 협조요청이 가장 많았고, 본인이 원해서, 환자 요청 순이고, 출입에 따른 방어용구 착용은 73.6%이었다. 보호자의 방사선에 대한 지식 및 유해성 인지에 따른 CT촬영실 출입 여부에서는 방사선에 대한 지식 및 인지 정도가 낮으면 더 많이 출입한 것으로 나타났으며 통계학적으로도 유의한 차이를 보였다. 전산화 단층촬영실 출입에 영향을 미치는 요인은 환자의 의사소통이 유의한 영향 요인인데, 의사소통 불능과 의사소통 문제가 통계학적으로 유의하게 높았다. 방어용구 착용에 영향을 미치는 요인은 연령과 학력, 방어용구의 성능인지가 유의한 영향 요인인데, 연령과 학력은 낮을수록, 방어용구의 성능인지는 높을수록 통계학적으로 유의하게 높았다. 이상의 결과에서 볼 때 검사 중 전산화 단층촬영실에 보호자가 출입하는 경우가 많았고, 이 중에서 방어용구 미착용시의 방사선 피폭선량은 국제방사선방어위원회에서 권고하는 허용선량 기준치 (1mSv/년)를 초과하는 범위의 피폭을 받았다. 따라서 환자의 검사 협조를 위해 반드시 출입이 필요하여도 출입에 신중을 기하고 방사선의 위험요소를 재인식시켜 방사선 노출을 최소화하여야 할 것이며, 향후 방사선 피폭과 관련하여 보다 다양한 요인들에 대한 연구가 수행 될 수 있기를 기대한다. [영문]A Study on Patients'' Family Members'' Radiation Exposure and Their Entrance into the Computed Tomography Room The studies on radiation exposure have been focused mainly on experts related to radiology, and hence few studies have been interested in other than experts such as patients'' guardians entering computed tomography (CT) room with patients. Thus, we were interested in the radiology technicians and patients'' guardians. This study was performed at fifteen hospitals in I area that are equipped with a computed tomography. The subjects are 112 radiology technicians and 190 patients'' guardians. We measured the quantity of radiation exposed at the inside of CT room during operation and surveyed radiology technicians and guardians'' knowledge and attitude to the radiation. We also asked why guardians entered CT room during operation and whether they wore protection clothes or not. The results are as follows. The average radiation exposure during abdomen CT was 1.95mSv in depth. It was the highest exposure and followed by chest CT (1.73mSv) and brain CT (1.30mSv). All of them exceeded 1mSv which is the maximum radiation amount per year allowed to general population. Fifty three (27.9%) guardians entered the CT room with their patients during CT operation. The most frequent reason was the radiology technicians'' request to help patients during operation. Other reason was patients'' request or entering voluntarily. Among them, only 73.6% of guardian worn protection clothes during CT operation. The less the guardians'' knowledge of radiation, the more frequent their entrance to the CT room. This is statistically significant. One of the significant factors closely related to the CT room entrance was the communication with patients. Most radiology technicians asked guardians to enter the CT room and help patients to cooperate with them when the patients had communication problems because of their younger age or cognition problems. Finally we found out that the guardians frequently entered the CT room without wearing protection clothes. They were exposed significant amount of radiation exceeding the maximum permissible exposure (1mSv/year) recommended by ICRP (International Commission on Radiobiological Protection). Thus the radiology technicians should carefully ask the guardians to enter the CT room and help them and have to advise to wear protection clothes when the guardians enter the CT room. And they also should remind guardians the risk of radiation.restrictio

A Study on the Hybrid Driven Pixel Circuit for AMOLED Panel

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할라이드 페로브스카이트 박막의 저항변화 특성 분석

학위논문 (박사)-- 서울대학교 대학원 : 공과대학 재료공학부, 2018. 8. 장호원.할라이드 페로브스카이트 박막의 저항변화 특성 분석 정보화 시대의 발전에 따라 고용량, 고성능의 저장매체의 필요성이 꾸준히 제기되어 왔으며, 이에 따라 반도체식 저장매체들은 미세공정 개선을 통해 발전해 왔다. 그러나 이는 플로팅 게이트 또는 캐패시터 내부의 임계 전자 수와 패터닝 가능한 선폭의 한계 문제를 해결하지 못하고 있으며 이를 극복하기 위한 다양한 차세대 메모리들이 제시되어 왔다. 이들 중 가장 유력한 후보로 저항변화 메모리가 두각을 나타내었으며, 금속산화물을 절연층으로 하는 저항변화 메모리가 주로 연구되어 왔다. 그러나 금속산화물 기반의 저항변화 메모리들은 절연층의 전기적 특성제어가 어렵고 진공장비를 이용하므로 제작비용이 고가이며 유연성을 부여하기 어렵다는 단점이 존재한다. 이에 기존 금속산화물 기반 저항변화 메모리들의 단점을 극복할 수 있는 할라이드 페로브스카이트 소재 기반 저항변화 메모리가 큰 가능성을 보여주고 있다. 밴드갭의 조절과 다수 운반자 (majority carrier) 제어가 용이하고 높은 이온 이동도를 보이며 기계적으로 우수한 유연성을 보이는 할라이드 페로브스카이트는 차세대 반도체 소재로 주목받고 있으며, 이에 대한 연구가 최근 활발히 진행되고 있다. 이 졸업논문은 할라이드 페로브스카이트를 이용한 저항변화 메모리의 구현 및 전기적 특성 분석, 성능향상에 대해 4개의 챕터에서 다루고 있다. 첫 번째 챕터는 할라이드 페로브스카이트 중 가장 대표적인 3차원 결정구조를 가지는 CH3NH3PbI3 박막의 저항변화 특성 및 전도특성을 분석한 내용을 담고 있다. 두 번째 챕터는 기존의 용매-반용매법을 이용한 용액공정이 아닌 첨가제를 활용하는 용액공정을 이용하여 모폴로지가 개선된 박막의 저항변화 특성 및 전도특성을 분석하였으며, 향상된 용액공정을 이용하여 5 mm의 매우 낮은 곡률반경에서도 구동 가능한 저항변화 메모리를 구현하였다. 세 번째 챕터는 앞의 두 챕터가 MAPbI3를 절연층으로 사용한 반면, 2차원 결정구조를 갖는 BA2PbI4와 A 사이트에 BA 및 MA를 혼합한 유사 2차원 구조를 갖는 화합물을 절연층으로 사용하여 스위칭 신뢰성을 향상시키는 연구를 담고 있다. 네 번째 챕터는 기존에 절연층 소재로 사용된 MAPbI3에 스위칭이 불가능한 사방정계 구조의 RbPbI3를 첨가하여 Rb1-xMAxPbI3 혼합물을 활용, 스위칭 신뢰성을 향상시키고, 절연층으로 사용된 Rb1-xMAxPbI3 박막과 상부전극 사이에 PMMA 박막을 추가하여 절연층을 외부의 산소와 수분 및 상부전극과 의도하지 않은 화학적 반응을 방지하는 연구를 담고 있다. 첫 번째 챕터에서는 고성능의 할라이드 페로브스카이트 메모리를 구현하고자 하였다. 스핀코팅 중 반용매 (antisolvent)를 주사하는 기법을 활용하여 hydrophobic한 Pt 박막 위에 균일한 MAPbI3 박막을 형성한 뒤, Ag, Ni, Au 세 종류의 상부전극을 전자 빔 증착기를 이용하여 증착하였다. 수직구조 Ag/MAPbI3/Pt 소자는 별도의 포밍 과정이 필요하지 않으며 낮은 구동전압과 높은 on/off 저항비, 이를 바탕으로 하는 4단계의 다중 저항 스위칭이 가능하였으며, Ni, Au 상부전극에서도 일부 스위칭이 가능하였다. 그러나 350회의 낮은 반복기록수명이 단점으로 지적되었다. MAPbI3 박막은 C-AFM 측정을 통해 결정립계를 통하지 않고 MAPbI3 결정을 통해 직접적으로 박막의 저항이 변하는 특성을 보였다. 이를 바탕으로 저항변화 특성의 근원을 찾아내기 위하여 제일원리 계산을 수행한 결과, 기존 금속산화물 대비 점결함들의 이동을 위한 에너지가 약 10 %에 불과한 것으로 나타났다. 이는 낮은 구동전압을 보이는 Ag/MAPbI3/Pt 소자의 특성과 일맥상통하는 부분으로, 요오드 계열 점결함들이 높은 전기전도도를 보이는 필라멘트를 형성하기 때문인 것으로 추정된다. 두 번째 챕터에서는 앞서 사용된 용매-반용매법의 단점으로 지적된 반용매의 확산속도에 따른 MAPbI3 박막의 균일도 저하 문제를 해결하기 위하여 MAPbI3 의 전구체가 혼합된 용액에 요오드산 용액을 소량 첨가하여 균일한 결정화 및 박막화가 이루어지도록 하였다. 해당 공정으로 제작된 MAPbI3 박막은 더 작은 결정립 크기를 가지며, 크기의 편차 또한 줄어들었다. 이를 바탕으로 기존 350회에서 1330회로 증대된 반복 기록수명을 보였으며, 유연성을 가지는 기판 위에서도 제작이 용이하고, 5 mm의 매우 낮은 곡률반경에서도 기존 실리콘 기판에 제작된 메모리 소자와 동등한 저항변화 및 전기적 특성을 보였다. 또한 온도별 전류-전압 특성 측정을 통해 수직구조 Ag/MAPbI3/Pt/SiO2/Si 소자는 기존의 MAPbI3의 전도모델로 알려진 space charge-limited current가 아닌 thermally assisted hopping임을 확인하였다. 세 번째 챕터에서는 2차원 층상구조를 가지는 할라이드 페로브스카이트의 일종일 BA2PbI4를 이용하여 신뢰성이 향상된 저항변화 메모리를 구현하였다. 기존 3차원 결정구조를 가지는 MAPbI3는 수많은 결정립계가 존재하며, 결정립의 크기 편차에 따라 저항변화 현상의 불균일이 발생하였다. 그러나 결정립계를 포함하지 않는 2차원 층상구조 할라이드 페로브스카이트는 박막 전체에서 균일한 저항변화 특성을 보였으며, 지속적인 외부 전계 인가에도 결정구조가 안정적인 특성을 보였다. 특히 주목할만한 점은, 3차원 또는 유사 2차원 결정구조 소재 대비 2차원 층상구조 소재를 이용한 저항변화 메모리는 각각 250회의 반복기록시험에서 저항변화 실패가 나타나지 않아 높은 구동 신뢰성을 보였다. 우수한 신뢰성 및 균일한 박막구조를 바탕으로 4인치 크기의 실리콘 웨이퍼에 용액공정을 통해 저항변화 메모리를 제작하였을 때에도 1 × 1 cm2 의 기판에 제작된 시편과 동등한 저항변화 특성을 보였다. 또한 87 ºC의 고온 환경에서도 정상적으로 구동이 가능하여 향후 차세대 메모리의 상용화 가능성을 보여주었다. 네 번째 챕터에서는 기존 저항변화 메모리의 열화 원인으로 지적되온 반복기록 과정에서의 전도성 필라멘트의 비정상적 성장을 근본적으로 해결하고자 기존 MAPbI3에 저항변화 특성을 보이지 않는 RbPbI3의 혼합물을 절연층으로 사용하여 반복기록 수명을 증대시킨 메모리를 설명하였다. 특히 RbPbI3의 혼합농도가 증가할수록 반복기록수명이 최대 3배가량 증가하는 것을 확인하였다. 또한 상부전극과 절연층 사이에 PMMA 보호층을 추가하여 절연층을 외부의 수분과 산소로부터 보호하고, 상부전극과 절연층 사이의 화학적 반응을 예방하였다. 저항변화 현상의 근원을 분석하기 위하여 C-AFM을 이용하여 전계를 가한 후, FE-SEM의 EDS 맵핑을 실시한 결과, C-AFM을 이용하여 전계를 가한 영역에서 Ag 원자들이 두드러지게 검출되었으며, 이를 바탕으로 Ag 이온의 이동에 따라 저항변화 현상이 일어남을 유추할 수 있었다. 이를 바탕으로 향후 연구될 할라이드 페로브스카이트 기반 저항변화 메모리의 신뢰성을 확보 수 있을 것으로 기대된다.Chapter 1. Emergence of Information Age with memory devices 1 1.1. Background 2 1.2. Resistive Switching (RS) memories 7 1.2.1 Introduction to Next-Generation Memories 7 1.2.2 Switching Mechanisms of RS memories 8 1.3. Halide Perovskites 12 1.3.1 Introduction 12 1.3.2 Unique Properties of HPs 14 1.4 References 24 Chapter 2. The First High Performance HP-based RS memory. 28 2.1. Introduction 29 2.2. Experimental Procedures 32 2.3. Results and Discussion 35 2.4. Conclusion 55 2.5 References 56 Chapter 3. Morphologically enhanced flexible memory 60 3.1. Introduction 61 3.3. Results and Discussion 66 3.5. References 89 Chapter 4. Reliable RS memory with 2-dimensional layered HPs 93 4.1. Introduction 94 4.2. Experimental Procedures 98 4.3. Results and Discussion 100 4.5. References 119 Chapter 5. A Fundamental Approach for extended RS performance 123 5.1. Introduction 124 5.2. Experimental Procedures 127 5.3. Results and Discussion 129 5.5. References 150 Chapter 6 Summary 155 Acknowledgments 159 List of Publications 161 Curriculum vitae 168Docto

All Digital 1.62 Mb/s QPSK Burst-mode Transceiver for FTTC/VDSL System

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REAR-SPOILER를 이용한 자동차의 항력감소에 관한 실험적 연구

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