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    A Study on Improving the competitiveness of an International Car Ferry Company - Primary on Korean-Japan Route

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    날로 경쟁이 심화되는 해운시장에서 한일간 운항하는 카페리선의 실제사례 분석을 통해 카페리선의 일반 컨테이너 선사에 대한 화물수송에서의 경쟁력을 분석해 보고, 또한 카페리선사 간의 여객수송에서의 경쟁력을 비교해 보았으며, 카페리 모드에 크루즈 요소를 가미한 "크루즈페리"라는 새로운 모델을 통해 경쟁력을 강화할 수 있는 모델을 연구하였고, 나아가 한국의 크루즈 산업 발전단계의 한 대안으로써의 크루즈페리 모드를 연구함. Abstract i 제1장 서 론 1 제1절 연구의 배경과 목적 1 제2절 연구의 방법과 범위 2 제2장 한일항로의 교역 및 서비스 현황 4 제1절 한일간 교역 현황 4 1. 일본의 수출입 물량과 컨테이너 물량 4 2. 한일간 교역 현황 5 제2절 한일항로 서비스 현황 7 1. 한일항로 취항 국적선사 9 2. 한일항로 취항 카페리선 현황 11 3. 한일항로 카페리선 화물수송 현황 11 4. 한일항로 여객수송 현황 12 제3장 해운기업의 경쟁력 14 제1절 경쟁력의 개념 14 1. 경쟁력의 개념 14 2. 기업경쟁력에 관한 이론 15 제2절 해운기업의 경쟁력 20 1. 해운기업 경쟁력의 개념 20 2. 비가격 경쟁력으로서의 해운서비스 품질 21 제4장 한일간 국제 카페리선사의 경쟁력 제고 방안 26 제1절 화물부문의 경쟁력 분석 26 1. 페리모드의 강점 26 2. P 페리사의 타 카페리사에 대한 경쟁력 28 3. 페리모드의 컨테이너선사 대비 경쟁력 비교 30 제2절 여객부문의 경쟁력 분석 31 1. 크루즈페리의 개념 31 2. 크루즈페리의 특성 34 3. 한일간 크루즈페리 사례 36 제3절 P선사의 사례분석 44 1. 분석의 개요 44 2. 분석 대상 45 3. 만족도분석 결과 47 4. 집단간 차이분석 결과 52 제5장 요약 및 결론 55 제1절 연구결과의 요약 55 제2절 연구의 시사점 및 한계점 57 참고문헌 5

    Influences of mechanical vibration on metal transfer in GMA welding

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    학위논문(박사) - 한국과학기술원 : 기계공학전공, 2001.8, [ xi, 145 p. ]한국과학기술원 : 기계공학전공

    A study on development of the life prediction system for fatigue crack initiation under multiaxial loading

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    학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 자동화및설계공학과, 1997.2, [ vi, 73 p. ]한국과학기술원 : 자동화및설계공학과

    유기금속 분해에 의해 증착된 비정질 SrBi2Ta2O9SrBi_2Ta_2O_9 박막의 결정화에 관한 투과전자현미경 연구

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    학위논문(박사) - 한국과학기술원 : 재료공학과, 2000.2, [ xii, 129 p. ]The use of ferroelectric thin films such as SrBi2Ta2O9SrBi_2Ta_2O_9 (SBT) and YMnO3YMnO_3 is of great importance in the application to non-volatile ferroelectric random access memory (NV-FRAM) devices. Particularly, it is very attractive to use them as gate materials in the MEFSFET and MEFISFET devices. In these points, both the fundamental study and applied study have been performed in this thesis. A transmission electron microscopy study of the solid phase crystallization of amorphous SBT thin films, deposited by metal-organic decomposition and annealed at 800℃ in a dry O2O_2 ambient, was carried out, in order to investigate the grain formation and origins of grain growth. The grains grew preferentially to the <110> direction resulting in elliptical grains. Because the highest ionic packing planes are the (001) planes with heights of 0.9217 and 0.5783, which planes are very the planes including TaO6TaO_6 octahedra in SBT crystal structure, and the nearest bonding direction of these planes is the <110> direction, the grains grew to <110> direction preferentially. As the annealing time was increased, elliptical grains maintained the preferential growth of the <110> direction. High-resolution (HR) TEM and HR image computer simulation studies of the solid-phase crystallization of amorphous SBT thin films, prepared by metal-organic decomposition, were carried out, in order to investigate defect structure and its effect on the grain growth of the SBT films on an atomic level. In most of the grains, there were antiphase boundaries of which lattice on the one side is displaced by d(005)d_(005) toward the <001> direction compared with the lattice on the other side. The formation of a stacking fault induces the antiphase boundary at the amorphous/crystalline interface. A corner of the antiphase boundary at the interface acts as preferable nucleation sites for an atomic step of the {001} planes, and nuclei of {001} planes are formed easily in the corner. Thus, the antiphase boundary en...한국과학기술원 : 재료공학과

    액적화학증착법을 이용한 BST 박막의 제조 및 전기적 특성평가

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    (Ba,Sr)TiO3(BST) thin films were grown on platinized Si wafer by LSMCVD. The electrical properties of BST films were investigated on Pt/SiO2/Si and Pt/Ti/SiO2/Si. BST thin films were deposited at room temperature and pressure of 700Torr followed by prebaking step at 240oC and baking step at 500oC. Top electrode with area of 1.24x10-3cm2 were fabricated by rf sputter-deposition of 100nm-thick Pt film on the BST film. The fabricated capacitors were postannealed at 750oC to increase the crystallinity. The dielectric constant of 212 and the leakage current densities of 5.8X10-7A/cm2 at +1.1V were achieved at the thickness of 115nm. The significant increase in leakage current and the short failure of BST thin films was arising from the formation of hillock of bottom electrode Pt, which was verified in the photographs of TEM, SEM, and AFM during heat treatment. Especially, the electric properties of BST films was improved by the various conditions of heat treatments(temperature, ambient gas)
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