A study on the Relocation of anchorage for Busan New Port

Busan New Port is being under construction, and scheduled to be completed by 2015 in order to fulfill the goal of a hub port in Northeast Asia Region in the 21st century. 27 container berth with 9,650,000 TEU handling capacity will be constructed and several more berths for bunker & supply ships and other purpose vessels. Busan New Port has been designed as an alternative port to Busan Port. However, Busan New Port has not enough anchoring space compare to the scale of the port designed, and needs at least 3 more anchorage area for the safety and security. Disaster of Hebei Spirit(Oil tanker accident) which took place at the west coast of Korea in 2007, proofed the importance of proper anchorage area once again. This study attempts to propose an appropriate scale and arrangement for anchorage area of Busan New Port by using marine traffic survey and Ship Handling Simulation techniques. The national harbor master plan(revised) suggests that two(2) vessels of 80,000 GT class anchor at the right front of anchorage area and six(6) vessels of 30,000 GT class at the rest area. According to the survey and simulation, insufficient sea room for maneuvering has been determined at the end of the study. Therefore this study suggests that the incoming container vessel more than 12,000 TEUs capacity should consider to anchor at Yang-Gi-Am (East coast of Geo-Je Island) area and a new anchorage area should be established off The Yeon-do Island for small-and-medium size vessels. And, proper local legislation regarding anchorage area should be prepared in order to reduce the risk of collision and near miss. However the legislation matters are not reviewed at this study and propose it on further studies. Last but not least, it has been recommended that well organized VTS services could prevent the potential risks and accidents in the research area, and further studies for "The maritime and port policy" should be conducted for the sake of well improvement of Busan New Port.제1장 서론 = 1 1.1 연구의 배경 및 목적 = 1 1.2 연구의 범위 및 방법 = 2 1.2.1 연구의 대상 범위 = 2 1.2.2 연구의 내용 및 구성 = 3 제2장 정박지 부근 자연환경 및 특성조사 = 5 2.1 자연환경 = 5 2.1.1 바람 = 6 2.1.2 태풍 = 8 2.1.3 해면기압 = 12 2.1.4 기온 = 12 2.1.5 안개 = 13 2.1.6 강수량 = 14 2.1.7 조위 = 15 2.1.8 조류 = 18 2.1.9 파랑 = 19 2.2 정박지 특성 조사 = 21 2.2.1 정박지 현행 조사 = 21 2.2.2 현 정박지 설정 기준 현황 = 24 2.2.3 정박지 부근 어장 분포 현황 = 26 2.3 정박지 이용 현황 = 27 2.3.1 정박지 지정 이후 이용 현황 = 27 2.3.2 신항 물동량 증가 현황 = 27 2.3.3 제2차 전국항만기본계획 수정계획에 의한 신항 정박지 예정지 = 30 2.4 정박지 이용 선박 사고 사례 현황 = 32 2.5 우리나라 및 외국의 정박지 지정 현황 = 34 제3장 해상교통 조사 분석 = 41 3.1 해상교통조사 방법 및 현황 = 41 3.1.1 해상교통 조사의 개요 = 41 3.1.2 부산신항 정박지 부근해역 교통조사 = 41 3.2 해상교통 조사 분석 = 44 3.2.1 시간대별 통항 분석 = 45 3.2.2 조사 일자별 통항 분석 = 47 3.2.3 선박크기 구분별 통항 항적분석 = 49 3.2.4 선종별 통항 분석 = 51 3.2.5 연도 부근 정박 선박 분석 = 54 3.3 해상교통 조사 분석 결과 = 55 제4장 신항 정박지 예비 배치안 = 56 4.1 정박지 선정 일반 조건 = 56 4.1.1 묘박의 정의 및 종류 = 56 4.1.2 정박지 선정 일반 조건 = 56 4.1.3 정박지의 규모 결정 기준 = 57 4.2 신항 정박지에 대한 실선 현장조사 = 58 4.2.1 현재의 신항 정박지의 규모 = 58 4.2.2 실선을 통한 저질 및 진출입 안전성 조사 = 59 4.2.3 현행 신항 정박지의 적정성 검토 = 63 4.3 파주력을 고려한 정박지 배치안 = 64 4.4 진출입 안전성 및 주변 환경에 따른 정박지 배치 = 66 4.5 신항 정박지 예비 배치안 = 68 4.5.1 신항 정박지 대상 선박별 반경 산출 = 70 4.5.2 정박지 배치안 = 70 4.6 이용자 의견수렴 = 72 4.6.1 신항 정박지 적정 규모 관련 설문조사 = 72 4.6.2 설문조사 결과 = 72 4.7 신항 정박지 최적 예비 배치안 = 76 제5장 신항 정박지 예정안에 대한 선박조종 시뮬레이션 검증 = 77 5.1 선박조종 시뮬레이션 평가 방법 = 77 5.2 신항 정박지 예정안에 대한 선박조종 시뮬레이션 검증 = 81 5.2.1 선박조종 시뮬레이션 시나리오 = 81 5.2.2 선박조종 시뮬레이션 결과분석 = 86 5.2.3 종합평가 = 101 제6장 결론 = 103 6.1 연구의 결론 = 103 6.2 연구의 한계점 및 향후 연구방향 = 105 참고문헌 = 107 부록 = 10

Development of a treatment stage based nursing intervention protocol for adolescents with cancer.

간호학과/박사ope

Gendering Moll Flanders

Thesis(master`s)--서울대학교 대학원 :영어영문학과 문학전공,2006.Maste

과도 전류 분석법을 통한 유기 반도체 소자의 음의 차동 캐패시턴스 이해

학위논문(석사)--서울대학교 대학원 :공과대학 재료공학부,2020. 2. 김장주.Impedance Spectroscopy (IS) is a simple and non-destructive method often used to analyze the charge dynamics of organic semiconductor devices. Despite the usefulness, there seems to be difficulty in data interpretation. In particular, the negative differential capacitance (NC), which occurs very large at low frequencies when a high voltage is applied, has not been fully understood. Thus, this thesis aims to clarify the physical meaning of NC characteristics in organic semiconductor devices by using transient current analysis. In chapter 1, a brief introduction to IS will be given. We will describe the measuring method and give the derivation of impedance as a function of input voltage and output current. Other important parameters such as admittance, conductance, and capacitance will also be defined. Also, various applications of IS will be described with examples. The advantages of transient source analysis over sinusoidal source analysis and the research motivation will follow. At the end of this chapter, the mathematical relationship between transient current and capacitance will be shown to link the time-domain and frequency-domain characteristics organically. In chapter 2, transient current numerical simulation methodology is used to understand the NC characteristics from the point of view of device physics. As a bulk transport model, the basic 1-D drift-diffusion model is adopted. The investigation will be done on how physical parameters such as metal/organic injection barrier (ϕ), charge carrier mobility (μ), DC applied voltage (VDC), and recombination rate (R) affect transient current and capacitance characteristics. The calculated capacitance characteristics will be analyzed by simple relationships derived in this thesis. Those relationships help to understand NC characteristics in terms of magnitude (ΔC), and occurring frequency (fNC). At the end of this chapter, NC occurring frequency (fNC) was derived as a function of device thickness (d), charge carrier mobility (μ), and DC applied voltage (VDC). In chapter 3, experiments were done to analyze NC characteristics in single-layer organic devices and double-layer OLEDs. J-V, EL/PL spectrum, transient current, and capacitance were measured. The physical origin of the NC in both systems is revealed by measurement and simulation.임피던스 분광법은 유기 반도체 소자의 전하 역학을 분석하는 데 자주 사용되는 단순하고 비파괴적인 방법이다. 하지만 이러한 유용성에도 불구하고, 데이터 해석에 있어 몇몇 어려움이 있다. 특히, 저주파에서 현저히 크게 발생하는 음의 차동 캐패시턴스에 대해 완전한 물리적 이해가 이루어지지 않았다. 따라서, 이 본 학위 논문에서는 과도 전류 분석을 사용하여 유기 반도체 소자의 NC 특성을 소자 물리와 관련 지어 정성, 정량적으로 이해하는 것을 목표로 한다. 1장에서는 임피던스 분광법에 대한 소개를 다루었다. 간단한 측정 방법과 함께 임피던스가 입력 전압 및 출력 전류의 함수로써 어떻게 표현되는지 나타냈다. 어드미턴스, 컨덕턴스 및 커패시턴스 등 임피던스 분석에 있어 중요한 파생 변수들 역시 정의되었다. 또한 임피던스 분석법의 다양한 응용 방법을 사례와 함께 설명하였다. 이 장의 끝에서는 과도 전류 분석법이 교류 신호 분석 대비 갖는 이점과 자세한 연구 동기가 뒤이어 서술되었다. 과도 전류와 캐패시턴스 간의 수학적 관계를 서술하고, 시간 영역과 주파수 영역 특성이 어떻게 유기적으로 연결되는지 설명했다. 2 장에서는 과도 전류 수치 시뮬레이션 방법론을 사용하여 소자 물리학의 관점에서 음의 차동 캐패시턴스 특성을 이해하였다. 유기물 층 전하 운송 모델로는 기본 1 차원 표동-확산 모델이 채택되었다. 금속 / 유기물 계면의 전하 주입 장벽, 전하 이동도, 직류 인가 전압 및 전자-정공 재결합 속도와 같은 물리적 매개 변수가 과도 전류 및 정전 용량 특성에 어떤 영향을 미치는지 조사되었다. 계산된 캐패시턴스 특성은 이 논문에서 도출된 간단한 양적 관계식으로부터 음의 차동 캐패시턴스의 크기 변화를 과도 전류의 변화량, 전류 변화 시점의, 시간 도메인의 변수 변화와 관련 지을 수 있다. 이에 따라, NC 특성 변화에 대한 쉬운 해석이 가능했다. 나아가, 시뮬레이션을 결과를 종합해 NC 발생 주파수를 소자 유기물 층 두께, 전하 이동도, 직류 인가 전압의 함수로써 표현했다. 3 장에서는 단층 유기 소자 및 이중 층 OLED에서 발생하는 낮은 주파수 영역의 음의 차동 캐패시턴스 특성을 면밀히 이해하고자 여러가지 실험이 수행되었다. J-V-L, EL / PL 스펙트럼, 과도 전류 특성 및 캐패시턴스 특성이 측정되었다. 시뮬레이션 결과와 종합해 볼 때, 우리는 두 시스템에서 모두 느린 소수 전하인 전자의 주입 때문에 음의 차동 캐패시턴스가 발생한다고 결론 내렸다. 종합하면, 과도 전류 모사 및 실험 데이터 분석을 통해 음의 차동 캐패시턴스의 개념 및 물리적 유발 요인에 대해 직관적인 접근이 가능했다. 특히 본 연구에서 새롭게 유도된 수식을 활용해 음의 차동 캐패시턴스의 크기와 발생 주파수에 대한 정량 분석이 이루어졌다. 향후 소자 NC 특성을 비롯한 임피던스 분석에 있어, 본 연구에서 제시한 분석 사례들과 정량 수식, 관계도 등이 참고 자료로 활용될 수 있을 것이다.Chapter 1. Introduction 1 1.1 Brief introduction to Impedance Spectroscopy 1 1.2 Application of Impedance Spectroscopy to organic semiconductors 7 1.3 Negative differential Capacitance (NC) in organic semiconductor devices 16 1.4 Time - domain analysis of capacitance characteristics 20 Chapter 2. Understanding NC characteristics by transient current simulation 24 2.1 Introduction 24 2.2 Governing equations of transient current numerical simulation 25 2.3 Simulation results and discussion 31 2.4 Conclusion 46 Chapter 3. Analysis of NC characteristics in single- and double-layer organic semiconductor devices 47 3.1 Introduction 47 3.2 Experiments 48 3.3 Simulation results and discussion 58 3.4 Conclusion 63 Chapter 4. Summary and Conclusion 65 Bibliography 68 초 록 71 감사의 글 74Maste