29 research outputs found
A study on the growth and application of ZnO based-nanostructures
๋ณธ ๋
ผ๋ฌธ์์๋ II-VI์กฑ ํํฉ๋ฌผ ๋ฐ๋์ฒด์ธ ZnO ๋ฌผ์ง์ ๋๋
ธ ๊ตฌ์กฐ๋ก ์ ์ํ๊ณ ๊ทธ๊ฒ์ ๊ตฌ์กฐ์ , ๊ดํ์ , ๊ทธ๋ฆฌ๊ณ Field emitter์ UV laser ๊ฐ์ ๋๋
ธ ์์๋ก์์ ์์ฉ์ ๋ํ ๊ฐ๋ฅ์ฑ์ ๊ณ ์ฐฐํ์๋ค. ์ด ๋
ผ๋ฌธ์ ๋ชฉ์ ์ ์ฑ์ฅ์กฐ๊ฑด์ ๋ณํ์ํด์ ๋ฐ๋ผ ๋๋
ธ ๊ตฌ์กฐ์ ๋ชจ์์ ์ ์ดํ๊ณ ์ต์ ์ ์กฐ๊ฑด์์ ์ป์ ZnO ๋๋
ธ ๊ตฌ์กฐ๋ฅผ ๋๋ฐ์ด์ค์ ์ ์ฉํจ์ผ๋ก์จ ๋ค์ํ ๋ฐ๋์ฒด ๋๋
ธ ์์๋ก์์ ๊ฐ๋ฅ์ฑ์ ๋ณด์ฌ์ค์ ์๋ค. ๋ณธ ๋
ผ๋ฌธ์ ์ด 6 ์ฅ์ผ๋ก ๊ตฌ์ฑ๋์ด ์์ผ๋ฉฐ ๊ฐ์ฅ์ ๋ด์ฉ์ ๋ค์๊ณผ ๊ฐ๋ค.
์ 1์ฅ์์๋ ๊ธฐ๋ณธ์ ์ธ ZnO ๋ฌผ์ฑ๊ณผ ๋๋
ธ ๊ตฌ์กฐ๋ก ์ ์๋จ์ ์์ด์์ ํน์ง, ๊ทธ๋ฆฌ๊ณ ๋ค์ํ ์์ฉ๋ถ์ผ์ ๋ํ์ฌ ์ค๋ช
์ ํ์๋ค. ์ 2์ฅ์์๋ ์ ์๋ ZnO ๋๋
ธ ๊ตฌ์กฐ๋ฅผ ํ๊ฐํ๊ธฐ ์ํด ๋ณธ ์ฐ๊ตฌ์์ ์ฌ์ฉํ ๋ฐฉ๋ฒ์ธ, SEM,EDX, CL, ๊ทธ๋ฆฌ๊ณ PL ์ธก์ ์ ๋ํ์ฌ ์ ๋ฆฌ๋ฅผ ํ์๋ค. ์ 3์ฅ์ ์ฑ์ฅ ์จ๋์ ๊ฐ์ค ์ ๋์ ์ฒด๊ณ์ ์ผ๋ก ๋ณํ์ํด์ผ๋ก์ ์ฑ์ฅ๋ ZnO ๋๋
ธ ๊ตฌ์กฐ์ ํ์์ ์ ์ดํจ์ ์๋ค. ๊ทธ๋ฆฌ๊ณ ํ์์ ๋ฐ๋ฅธ ZnO ๋๋
ธ ๊ตฌ์กฐ์ ๊ตฌ์กฐ์ , ๊ดํ์ ํน์ฑ์ ๋ํด ๊ณ ์ฐฐํ์๋ค. ์ 4์ฅ์์๋ ZnO ๋๋
ธ ๊ตฌ์กฐ์ ๋ฐ๊ด ํน์ฑ์ ๋ํด ์ค๋ช
ํ์๋ค. ์ผ๋ฐ์ ์ผ๋ก ZnO ๋ด๋ถ์ ์กด์ฌํ๋ Green emission์ ๋ํ ์์ธ์ ์กฐ์ฌํ์๊ณ , ์ ์จ PL์ ์ธก์ ํ์ฌ UV emission์ ๋ฐ๊ด ๋ฉ์ปค๋์ฆ์ ์์ ๋ณด์๋ค. ์ 5์ฅ์์๋ ์ ์๋ ZnO ๋๋
ธ ๊ตฌ์กฐ๋ฅผ ์ค์ ์์ฉ์ ์ํ ๊ฐ๋ฅ์ฑ์ ์
์ฆํ์๋ค. ์ต์ ์ ์กฐ๊ฑด์์ ์ฑ์ฅ๋ ZnO ๋๋
ธ ๊ตฌ์กฐ๋ฅผ ์ด์ฉํ์ฌ Field emitter์ ์ ์ ๋ฐฉ์ถ ์์๋ก์์ ์ํ๊ณผ, UV ๋ ์ด์ ๋ก์์ ๊ฐ๋ฅํจ์ ๊ตฌํ ์์ผฐ๋ค. ๋ง์ง๋ง์ผ๋ก ์ 6์ฅ์์๋ ๋ณธ ๋
ผ๋ฌธ์์ ์ป์ ๊ฒฐ๊ณผ๋ฅผ ์ ๋ฆฌํ์ฌ ๊ฒฐ๋ก ์ ๋ํด ๊ธฐ์ ํ์๋ค.In this thesis, synthesis and applications of ZnO materials for the nano-devices such as field emitter and UV laser have been investigated. The objective of this paper is to control the shape of ZnO nanostructures according to the growth temperature and carrier gas fluxes and to show the feasibility for the various nano-devices.
In the chapter 1, the fundamental ZnO properties, characteristics in the nanostructure, and many applications of the ZnO nanostructures are introduced. In the chapter 2, the principles of scanning electron microscope (SEM), energy dispersive x-ray (EDX), cathodoluminescence (CL), and photoluminescence (PL) are explained. In the chapter 3, the control of the shape of ZnO nanostructures is systematically studied by changing the growth temperature and carrier gas fluxes. And the controlled ZnO nanostructures are analyzed in terms of the structural and optical properties. In the chapter 4, the luminescence properties of ZnO nanostructures are investigated including not only the origin the green emission but also the luminescence mechanism of the UV emission. In the chapter 5, the Field emitter device and UV laser operation is demonstrated. Finally, the results found from this thesis are summarized and concluded in the chapter 6.Chapter 1. Introduction = 4
1.1) Introduction to ZnO compound semiconductor = 4
1.2) ZnO nanostructures = 6
1.2.1) Definition of nanostructure = 6
1.2.2) Quantum size confinement = 6
1.2.3) Application fields of ZnO nanostructures = 9
1.3) Growth methods for ZnO nanostructure fabrication = 11
1.3.1) Physical vapor deposition (PVD) = 11
1.3.2) Chemical vapor deposition (CVD) = 12
1.3.3) Sol-gel processing = 13
1.3.4) Hydrolysis method = 15
1.4) Objective and organization of this work = 15
References = 18
Chapter 2. Experimental = 19
2.1) General growth mechanisms of nanostructure = 19
2.1.1) Vapor-Solid (VS) growth = 19
2.1.2) Vapor-Liquid-Solid (VLS) growth = 19
2.2) Characterization = 21
2.2.1) Scanning electron microscopy (SEM) = 21
2.2.2) Energy dispersive x-ray spectroscopy (EDX) = 24
2.2.3) Cathodoluminescence (CL) = 27
2.2.4) Photoluminescence (PL) = 30
References = 36
Chapter 3. The shape control of ZnO based nanostructures = 37
3.1) Introduction = 37
3.2) Experimental = 38
3.3) Structural characterization of the different ZnO nanostructures = 39
3.4) Composition analysis of the nanostructures = 42
3.5) Optical properties = 45
3.6) Conclusions = 47
References = 48
Chapter 4. The luminescence properties of tetrapod ZnO nanostructures = 49
4.1) Introduction = 49
4.2) Previous studies = 50
4.2.1) Theoretical background on the optical properties = 50
4.2.2) UV emission of in terms of different ZnO nanostructures = 52
4.2.3) Defect emissions = 53
4.3) Experimental = 54
4.4) Strctural evaluation = 55
4.5) Composition analysis of ZnO nanotetrapods = 57
4.6) Optical evaluation of ZnO nanotetrapods = 58
4.7) Summary = 60
References = 61
Chapter 5. Applications of high-quality ZnO nano-tetrapod = 63
5.1) Introduction = 63
5.2) Previous studies = 64
5.2.1) Field emission properties of ZnO nanostructures = 64
5.2.2) Current-voltage measurements = 64
5.2.3) Basic principles on the stimulated emission = 66
5.2.4) Nanostructures as fabry-perot resonators = 68
5.3) Experimental = 69
5.4) Field emitter realization of ZnO nanotetrapods = 69
5.5) Optical pumped lasing at room temperature of the ZnO nanotetrapods = 71
5.6) Conclusions = 75
References = 76
Chapter 6. Summary and conclusions = 78
๊ฐ์ฌ์ ๊ธ = 8
Growth and Characterization of Group III-Metal impurity doped ZnO nanostructures for the application to Nano-devices
์๋ฅผ ๋ค๋ฉด, ๋ํํธ ๋ณ๋ก ํฌ๊ฒ ์ฐจ์ด๊ฐ ๋๋ ์ฑ์ฅ ์กฐ๊ฑด์์ ๋ํ์ ์๋ํ์ฌ ๊ฐ ๊ฒฐ๊ณผ์ ๋น๊ต๋ ์ํธ ์ฐธ์กฐ๊ฐ ๋ถ๊ฐ๋ฅํ๊ณ , ๋๋
ธ ๊ตฌ์กฐ๋ ๋ค์ํ ํ์์ ๊ฐ์ง๋ฉฐ ์ด์ ๋ฐ๋ฅธ ๋ค์ํ ์์ฉ์ด ๊ฐ๋ฅํจ์๋ ์คํ์ ์ผ๋ก ์ฉ์ดํ๊ฒ ์ป์ด์ง๋ ํ์์ ๋ํด์๋ง ์ค์ ์ ์ผ๋ก ์งํ๋์ด ์๋ค. ๋ํ ๋ํํธ์ ์ข
๋ฅ ๋ฐ ๋๋์ ๋ฐ๋ผ ์ฒด๊ณ์ ์ธ ๋ณํ๋ฅผ ๊ณ ์ฐฐํ๋ ๊ฒ์ด ํ์ํจ์๋ ์ด๋ฌํ ์ฐ๊ตฌ ๊ฒฐ๊ณผ๋ ๋๋ฌผ์ด, ์ฐ๊ตฌ์ ํ์์ฑ์ด ์ง์ ๋๊ณ ์๋ค.
๋ณธ ๋
ผ๋ฌธ์์๋ ZnO ๋๋
ธ๊ตฌ์กฐ์ ์ ๋์ฑ ์ ์ด๋ฅผ ํตํ ๋ฌผ์ฑ ์ ์ด ๋ฐฉ๋ฒ์ ์ ์ํ ๋ชฉ์ ์ผ๋ก II-VI ํํฉ๋ฌผ ๋ฐ๋์ฒด์ธ ZnO ๋ฌผ์ง์ ์ด์ฉํ์ฌ, ๋ถ์ฐํ ํ์
์ 0์ฐจ์๊ณผ ์ง์ ํ ํ์
์ 1์ฐจ์๊ตฌ์กฐ๋ก ๋๋์ด ๋๋
ธ ๊ตฌ์กฐ๋ก ์ ์ํ๊ณ , 3์กฑ ๊ธ์ (Al, Ga, and In) ์์๋ฅผ ์ด์ฉํ์ฌ ๋๋
ธ ๊ตฌ์กฐ์ ๋ํ์ ์๋ํ์๋ค. ๋ํ์ผ๋ก ์ธํ ํ์๋ณํ, ๊ตฌ์กฐ์ , ๊ดํ์ , ์ ๊ธฐ์ ํน์ฑ์ ์กฐ์ฌํ๊ณ ๋ถ์๋ฌผ ๋ํ๋ ๋๋
ธ ๊ตฌ์กฐ์ ์ ๊ธฐ์ ํน์ฑ ๋ณํ๊ฐ ์์ ์์ฉ์ ๋ฏธ์น๋ ์ํฅ์ ๋ํ์ฌ ์์๋ณด์๋ค.
1์ฅ์์๋ ๋๋
ธ ๊ธฐ์ ์ ๋ํ ๊ธฐ๋ณธ์ ์ธ ๋ด์ฉ๊ณผ ZnO ๋ฌผ์ฑ, ๊ทธ๋ฆฌ๊ณ 3์กฑ ๊ธ์ ๋ถ์๋ฌผ ๋ํ๋ ZnO ๋๋
ธ ๊ตฌ์กฐ์ ์ค์์ฑ ๋ฐ ๋ณธ ์ฐ๊ตฌ์ ๋ชฉ์ ์ ๋ํด์ฌ ์ธ๊ธํ๋ค.
2์ฅ์์๋ ์คํ๋ถ๋ถ์ผ๋ก์, ๋๋
ธ ๊ตฌ์กฐ์ ์ฑ์ฅ ๋ฐฉ๋ฒ ๋ฐ ์ฐจ์์ ๊ฐ์ง ๋๋
ธ ๊ตฌ์กฐ์ ํน์ง์ ๋ํด ๊ฐ๋จํ ์๊ฐํ๊ณ , ๋ณธ ์ฐ๊ตฌ์ ์ฌ์ฉ๋ ๋ค์ํ ์ธก์ ๊ธฐ์ ์ ๋ํ์ฌ ์กฐ์ฌํ์ฌ ๋ณธ๋ค.
3์ฅ์์๋ ๋ถ์ฐํ ํ์
์ ๋ํ๋ 0์ฐจ์ ZnO ๋๋
ธ ๊ตฌ์กฐ์ ์ฑ์ฅ๊ณผ ๋ฌผ์ฑ์ ๊ดํ ๋ด์ฉ์ด๋ค. ๋ํ ์ , ์ฑ์ฅ ์กฐ๊ฑด์ ๊ฒฐ์ ํ๊ณ , ์ผ์ ํ ์ฑ์ฅ ์กฐ๊ฑด ํ์์, ๋ํํธ์ ๋ฌผ์ฑ์ ๊ณ ๋ คํ์ฌ Al, Ga, In์ ๋ํ์ํจ๋ค. ๋ํ ๋ํ์ผ๋ก ์ ๋ฐ๋ ๋๋
ธ ๊ตฌ์กฐ์ ํ์ ๋ณํ, ๊ตฌ์กฐ์ , ๊ดํ์ , ์ ๊ธฐ์ ํน์ฑ ๋ณํ๋ฅผ ๊ณ ์ฐฐํ์๋ค.
4์ฅ์ III์กฑ ๋ถ์๋ฌผ ๋ํ๋ ์ง์ ํ 1์ฐจ์ ๋๋
ธ ๊ตฌ์กฐ์ ์ฑ์ฅ๊ณผ ํน์ฑ์ ๊ดํ ๋ด์ฉ์ด๋ค. ๋ํ ์ ์ฑ์ฅ ์กฐ๊ฑด์ ๊ฒฐ์ ํ๊ณ , ์ผ์ ํ ์ฑ์ฅ ์กฐ๊ฑด ํ์์ Al, Ga, In์ ๋ํ์์ผฐ๋ค. ๋ํ ๋ํ์ผ๋ก ์ ๋ฐ๋ ๊ตฌ์กฐ์ , ๊ดํ์ , ์ ๊ธฐ์ ํน์ฑ ๋ณํ์ ๋ํ์ฌ ๊ณ ์ฐฐํ์๋ค.
5์ฅ์์๋ ๋ํ์ผ๋ก ์ ๋ฐ๋ ์ ๋์ฑ ๋ฐ ํ์์ ๋ณํ๊ฐ ๋๋
ธ์์ ์์ฉ์ ๋ฏธ์น๋ ์ํฅ์ ๊ณ ์ฐฐํ๊ณ ์ ํ๋ค. III์กฑ ๊ธ์ ๋ถ์๋ฌผ ๋ํ๋ ZnO ๋๋
ธ ๊ตฌ์กฐ๋ฅผ ์ ์ํ๊ณ , ์ด๋ฅผ ์ด์ฉํ์ฌ ์ ๋์ฑ ๋ณํ๊ฐ ์์์ ๋์ ํน์ฑ์ ์ง์ ์ ์ผ๋ก ์ํฅ์ ๋ฏธ์น๋ ์ ๊ณํจ๊ณผ ์์๋ฅผ ์ ์ํ์ฌ ์์์ ๋์ํน์ฑ๊ณผ ๋ํ๋ ๋๋
ธ ๊ตฌ์กฐ์ ๋ฌผ์ฑ๋ณํ์ ์๊ด๊ด๊ณ๋ฅผ ์ถ๋ก ํ์๋ค.
๋ง์ง๋ง์ผ๋ก 6์ฅ์์๋ ๋ณธ ์ฐ๊ตฌ์์ ์ป์ ๊ฒฐ๊ณผ๋ฅผ ์ ๋ฆฌํ์ฌ ์์ฝ ๋ฐ ๊ฒฐ๋ก ์ ๋ํ์ฌ ๊ธฐ์ ํ์๋ค.II-VI ํํฉ๋ฌผ ๋ฐ๋์ฒด ์ฌ๋ฃ์ธ ZnO ๋ฌผ์ง์ ๋ค์ํ ๋๋
ธ๊ตฌ์กฐ๋ฅผ ๊ธฐ๋ฐ์ผ๋ก ์ฑ์ฅ ๋ฐ ์์ฉ์ ๊ด์ ์์ ๋ง์ ์ฐ๊ตฌ๊ฐ ์งํ๋์ด ์๋ค. ๊ทธ๋ฌ๋ ๊ณ ์ฐจ์์ ์ด๊ณ ๋ค์ํ ๊ธฐ๋ฅ์ ๊ฐ๋ ๊ด๋ฒ์ํ ์์ฉ์ ์ํด์๋ ๋ฌด์๋ณด๋ค๋ ZnO์ ๋ฌผ์ฑ์ ์กฐ์ ํ๋ ๊ธฐ์ ์ ๋ฐ๋์ ํ์ํ๋ค. ๋ฐ๋ผ์ 2000๋
๋ ์ค๋ฐ๋ถํฐ ZnO ๋๋
ธ ๊ตฌ์กฐ์ ๋ํ์ ๊ดํ ์ฐ๊ตฌ๊ฐ ์งํ๋์ด ์๊ณ , ๋ค์ํ ๋ถ์๋ฌผ ์ฒจ๊ฐ๋ก ์ธํ ๊ตฌ์กฐ์ , ๊ดํ์ , ์ ๊ธฐ์ , ์๊ธฐ์ ํน์ฑ์ ๋ํ ๋ณด๊ณ ๋ค์ด ์๊ฐ๋ ๋ฐ ์๋ค. ํนํ, ๋ง์ ๋ํํธ ์ค์์, group-III ์กฑ ๊ธ์ (Al, Ga, In) ๋ถ์๋ฌผ์ ์ด์ฉํ ๋๋
ธ๊ตฌ์กฐ์ ๋ํ์ ZnO ๋๋
ธ ๊ตฌ์กฐ์ ์์ ์ ํ ๋๋๋ฅผ ์ฝ๊ฒ ์ฆ๊ฐ์ํฌ ์ ์๋ค๋ ์ ์์ ์ ํฉํ ๋ํํธ๋ก์จ ์๋ ค์ ธ ์๋ค. ๊ทธ๋ฌ๋, III ์กฑ ๊ธ์ ๋ถ์๋ฌผ ๋ํ์ํจ ZnO ๋๋
ธ ๊ตฌ์กฐ์ ์ฐ๊ตฌ์ ์์ด์, ์์ง๊น์ง๋ ๊ฐ์ ๋์ด์ผ ํ ๋ง์ ๋ฌธ์ ์ ๋ค์ด ์กด์ฌํ๋คContents ..... I
List of figures .... V
List of tables ..... IX
๊ตญ๋ฌธ์์ฝ โฆ.X
Abstract..... XII
1. Introduction
1.1 Nanotechnology ... 1
1.1.1 History of nanotechnology..... 1
1.1.2 A wide area of nanotechnology โฆ.2
1.2 Oxide-based materials and nanostructure ..... 5
1.3 Material properties of ZnO .... 7
1.3.1 Crystal structure and lattice parameters .... 7
1.3.2 Energy band structure ..... 8
1.4 ZnO-based nanostructure and applications ... 10
1.5 Consideration to widen potentiality of ZnO-based nanotechnology ... 12
1.6 Importance of group III-metal impurity doping ..... 15
1.7 Proposal of this study ...... 16
1.8 Outline of this thesis ...... 17
References ....19
2. Experimental
2.1 Growth processes ...... 23
2.1.1 Growth system ...... 23
2.1.2 Mixed source method ...... 24
2.2 Two kinds of doped nanostructure with different dimensions ..... 25
2.3 Characterization ...... 27
2.3.1 Field emission scanning electron microscopy ...... 27
2.3.2 Energy dispersive X-ray spectroscopy ...... 29
2.3.3 Auger electron spectroscopy ...... 31
2.3.4 Hard X-ray photoemission spectroscopy ..... 32
2.3.5 Powder X-ray diffraction ...... 34
2.3.6 Photoluminescence ..... 37
2.3.7 Diffused reflectance spectroscopy...... 40
2.3.8 Hall measurement ..... 44
References ...... 47
3. Growth and characterization of dispersive 0-dimensional (0D) doped ZnO nanostructures
3.1 Introduction ....... 49
3.2 Review on growth model of tetrapod structure ..... 50
3.3 Experimental ..... 52
3.3.1 Growth of dispersive 0D undoped ZnO nanostructures ... 52
3.3.2 Growth of dispersive 0D Ga-, Al, and In-doped ZnO nanostructure .. 52
3.4 Growth condition determination of the dispersive 0D undoped ZnO nanostructures ... 54
3.4.1 Control of the growth parameters .... 55
3.4.2 Structural and optical properties .... 55
3.5 Characterization of dispersive 0D Al-doped ZnO nanostructures ... 57
3.5.1 Morphological variation and composition .... 57
3.5.2 TEM images ..... 58
3.5.3 Optical property ..... 59
3.6 Characterization of dispersive 0D Ga-doped ZnO nanostructures ...... 60
3.6.1 Morphological variation and composition ..... 60
3.6.2 Phase transition and conductivity change ..... 62
3.7 Characterization of dispersive 0D In-doped ZnO nanostructures ..... 64
3.7.1 Morphological variation and composition ..... 64
3.7.2 Phase transition and conductivity change ..... 66
3.7.3 Crystal structure and optical property ...... 70
3.7.4 Electrical properties ...... 73
3.8 Summary ...... 74
References ..... 75
4. Growth and characterization of integrated 1-dimensional (1D) doped ZnO nanostructures
4.1 Introduction ..... 78
4.2 Theoretical background ..... 79
4.2.1 Review on growth model ...... 79
4.2.2 Surface luminescence in the ZnO nanostructures .... 81
4.2.3 Negative thermal quenching phenomenon ...... 83
4.3 Experimental ...... 84
4.3.1 Growth of integrated 1D undoped ZnO nanostructures ...... 84
4.3.2 Growth of integrated 1D Al-, Ga-, In-doped ZnO nanostructures ...... 85
4.4 Growth condition determination of the integrated 1D undoped ZnO nanostructures ...... 86
4.4.1 Control of the growth parameters ...... 86
4.5 Characterization of integrated 1D Al-doped ZnO nanostructures ...... 89
4.5.1 Morphological variation and composition...... 89
4.5.2 Optical and electrical properties ....... 90
4.6 Characterization of integrated 1D Ga-doped ZnO nanostructures ........ 92
4.6.1 Morphological variation and composition ...... 92
4.6.2 Optical and electrical properties ........ 93
4.7 Characterization of integrated 1D In-doped ZnO nanostructures ........ 94
4.7.1 Morphological variation and composition ........ 94
4.7.2 Optical and electrical properties ...... 95
4.8 Growth mode of In-doped ZnO nanostructures ..... 97
4.9 In-induced physical phenomena ....... 101
4.9.1 Variation of surface excitonic emission ..... 101
4.9.2 Inhomogeneity in the doped ZnO nanostructures ...... 106
4.10 Summary ...... 109
References ....... 110
5. Field emission properties of doped ZnO nanostructures
5.1 Introduction ........ 114
5.2 Theoretical background ......... 115
5.2.1 Fowler-Nordheim theory ..... 115
5.2.2 Factors related to the field emission property .... 116
5.3 Experimental .... 119
5.3.1 Fabrication process of dispersive 0D ZnO:In nanostructure .... 120
5.3.2 Fabrication process of integrated 1D ZnO:In nanostructure ..... 121
5.4 Field emission property of dispersive 0D ZnO:In nanostructure ..... 121
5.5 Field emission property of integrated 1D ZnO:In nanostructure ...... 123
5.6 Summary ........ 125
References ........ 126
6. Summary and Conclusion ....... 128
Appendix A. Classical nucleation theory ........ 131
Appendix B. Free and bound exciton recombinations of ZnO crystals โฆ. 135
References ........ 136
List of publications & presentations ...... 137
Acknowledgement ........ 14
์ฒด์ธ์์ ์์ ์ ์๊ถ๋ด๋ง๋๊ป ๋ณํ๊ฐ ์์ ์จ์ ๋ฏธ์น๋ ์ํฅ์ ๊ดํ ์์์ฐ๊ตฌ (๋์์ฑ์ทจ์ผ๋ณด๋ค ๋ฐฐ์์ด์์ผ์ ์๊ถ๋ด๋ง๋๊ป๊ฐ ์ฆ๊ฐํ์ง ์์ ๋ ์ต์ ์ ์์ ์จ์ ๋ณด์)
ํ์๋
ผ๋ฌธ(์์ฌ) -- ์์ธ๋ํ๊ต๋ํ์ : ์๊ณผ๋ํ ์ํ๊ณผ, 2021.8. ์ ๋ฏธ๋.๋ชฉํ: ๋ณธ ์ฐ๊ตฌ๋ ์ฒด์ธ์์ ์์ ์์ ์๊ถ๋ด๋ง๋๊ป์ ๋ณํ์์์ด ์์ ๊ฒฐ๊ณผ์ ๋ฏธ์น๋ ์ํฅ์ ๋ํด ๋ถ์ํ๊ณ ์ ํ์๋ค.
๋ฐฉ๋ฒ: 2017๋
1์๋ถํฐ 2018๋
11์๊น์ง ํ ๋์์์ ๊ธฐ๊ด์์ ์ํ๋ ์ด 370๊ฐ์ ์ฒด์ธ์์ ์์ ์ฃผ๊ธฐ๋ฅผ ํํฅ์ ์ผ๋ก ๋ถ์ํ์๋ค. ์ฒด์ธ์์ ์์ ๊ธฐ๊ฐ ์ค ๋ํฌ์ ์ต์ข
์ฑ์์ ์ํด ์ธ๊ฐ ์ต๋ชจ์ฑ ์์์ ์๊ทนํธ๋ฅด๋ชฌ์ ํฌ์ฌํ๋ ๋ , ๋์์ฑ์ทจ์ผ, ๋ฐฐ์์ด์์ผ์ ๋ชจ๋ ์๊ถ๋ด๋ง ๋๊ป๋ฅผ ์ธก์ ํ์ฌ ์์์ ์์ ์จ ๋ฐ 20์ฃผ ์ดํ๊น์ง ์ง์๋๋ ์์ ์จ๊ณผ์ ๊ด๊ณ๋ฅผ ๋ถ์ํ์๋ค. ๋ํ ๋์์ฑ์ทจ์ผ๋ก๋ถํฐ ๋ฐฐ์์ด์์ผ๋ก์ ์๊ถ๋ด๋ง๋๊ป ๋ณํ์ ๋ฐ๋ผ ๋์์ฑ์ทจ์ผ๋ณด๋ค ๋ฐฐ์์ด์์ผ์ ์๊ถ๋ด๋ง๋๊ป๊ฐ ์ฆ๊ฐํ์ง ์์ โ๋น์ฆ๊ฐ๊ตฐโ ๊ณผ ๋ฐฐ์์ด์์ผ์ ์๊ถ๋ด๋ง๋๊ป๊ฐ ๋ ๋๊บผ์์ง โ์ฆ๊ฐ๊ตฐโ ์ผ๋ก ๋๋์ด ๋ ๊ตฐ์ ์์ ๊ฒฐ๊ณผ๋ฅผ ๋น๊ตํ์๋ค.
๊ฒฐ๊ณผ: 20์ฃผ ์ดํ๊น์ง ์์ ์ด ์ง์๋๋ ๊ตฐ์์ ๊ทธ๋ ์ง ์์ ๊ตฐ๋ณด๋ค ๋์์ฑ์ทจ์ผ์ ์๊ถ๋ด๋ง๋๊ป๊ฐ ๋ ๋๊บผ์ ๋ค (9.4 ยฑ 1.6 mm vs. 9.0 ยฑ 1.9 mm, p = 0.016). ์ด์ธ์ ๊ฐ ์๊ถ๋ด๋ง๋๊ป์ ์์ ๊ฒฐ๊ณผ์ ์ฐ๊ด์ฑ์ ํ์ธ๋์ง ์์๋ค. ์๊ถ๋ด๋ง๋๊ป์ ๋ณํ์ ๊ด๋ จํด์๋, ์์ ๊ตฐ๊ณผ ๋น๊ตํ์ฌ ๋น์์ ๊ตฐ์์ ๋์์ฑ์ทจ์ผ์ ๋นํด ๋ฐฐ์์ด์์ผ์ ์๊ถ๋ด๋ง๋๊ป๊ฐ ๋ ๋ง์ด ์ฆ๊ฐํ์๋ค. ์ด์ ๋ฐ๋ผ ๋์์ฑ์ทจ์ผ๋ก๋ถํฐ ๋ฐฐ์์ด์์ผ๋ก์ ์๊ถ๋ด๋ง๋๊ป ์ฆ๊ฐ๊ตฐ๊ณผ ๋น์ฆ๊ฐ๊ตฐ์ ๋น๊ตํ์์ ๋ ๋น์ฆ๊ฐ๊ตฐ์์ ์์์ ์์ ์จ๊ณผ 20์ฃผ ์ดํ ์ง์๋๋ ์์ ์จ์ด ๋ชจ๋ ์ ์ํ๊ฒ ๋์๋ค. ์์ ๊ฒฐ๊ณผ์ ์ํฅ์ ์ค ์ ์๋ ์ฌ์ฑํ์์ ๋์ด, ํญ๋ฎฌ๋ฌ๊ดํธ๋ฅด๋ชฌ ๋๋, ์์ง์ ๋ฐฐ์ ์ด์ ์, ๋์์ฑ์ทจ์ผ์ ์๊ถ๋ด๋ง๋๊ป๋ฅผ ๋ชจ๋ ๋ณด์ ํ๊ณ ๋ถ์ํ์์ ๋๋ ์ด ์๊ถ๋ด๋ง๋๊ป ๋ณํ์ ์์ ์จ์ ๋ํ ์ฐ๊ด์ฑ์ ์ฌ์ ํ ์ ์ํ๊ฒ ํ์ธ๋์๋ค (์์์ ์์ ์จ์ ๋ํ ๋ณด์ ๋ ์ค์ฆ๋น (adjusted odds ratio (aOR) = 1.649, 95% ์ ๋ขฐ๊ตฌ๊ฐ (confidence interval (CI)): 1.033-2.633, 20์ฃผ ์ดํ ์ง์๋๋ ์์ ์จ์ ๋ํ aOR = 1.796, 95% CI: 1.108-2.911).
๊ฒฐ๋ก : ์ฒด์ธ์์ ์์ ์์ ๋์์ฑ์ทจ์ผ๊ณผ ๋น๊ตํ์ฌ ๋ฐฐ์์ด์์ผ์ ์๊ถ๋ด๋ง๋๊ป๊ฐ ์ฆ๊ฐํ์ง ์์์ ๋ ์ฆ๊ฐํ ๊ตฐ๊ณผ ๋น๊ตํ์ฌ ์์์ ์์ ์จ ๋ฐ 20์ฃผ ์ดํ๊น์ง ์ง์๋๋ ์์ ์จ์ด ๋ ๋์๋ค.Objective: This study aimed to evaluate the effect of changes in endometrial thickness (EMT) on pregnancy outcome during in vitro fertilization and embryo transfer (IVF-ET) cycles.
Methods: In total, 370 fresh IVF cycles performed at a single fertility center from January 2017 to November 2018 were retrospectively analyzed. EMT on the day of human chorionic gonadotropin injection, ovum pick-up (OPU), and embryo transfer (ET) were examined and analyzed according to the presence and absence of clinical and ongoing pregnancy. Subsequently, pregnancy outcomes (i.e., clinical and ongoing pregnancy) were compared according to the change in EMT. The โnon-increaseโ group was defined when EMT was the same or decreased from the OPU day to the ET day, whereas the โincreaseโ group was defined when cycles had thicker EMT on the ET day than on the OPU day.
Results: EMT on the OPU day was thicker in cycles with ongoing pregnancy than in cycles without ongoing pregnancy (9.4 ยฑ 1.6 mm versus 9.0 ยฑ 1.9 mm, p = 0.016). There was no other association between each EMT and pregnancy outcomes. EMT increased more from the OPU day to the ET day in cases with non-pregnant cycles than in those with clinical and ongoing pregnancy. Clinical and ongoing pregnancy rates were both significantly higher in the non-increase group than in the increase group. After adjusting for female age, the serum anti-Mรผllerian hormone level, transferred number of good-quality embryos, and EMT on the OPU day, clinical pregnancy (adjusted odds ratio [aOR] = 1.649, 95% confidence interval [CI]: 1.033-2.633) and ongoing pregnancy rates (aOR = 1.796, 95% CI: 1.108-2.911) were still significantly higher in the non-increase group than in the increase group.
Conclusion: Clinical and ongoing pregnancy rates were higher in the non-increase group than in the increase group of EMT from the OPU day to the ET day after fresh IVF cycles.Chapter 1. Introduction 1
Chapter 2. Methods 4
Chapter 3. Results 9
Chapter 4. Discussion 17
Bibliography 22
Abstract in Korean 27์
ํ๋์ค ์น์์ ์ฑ ๊ณผ ์ฌ๋ฒ๊ท๋ฒ ๊ด๊ณ๋ฅผ ์ค์ฌ์ผ๋ก
Abstract
The European Arrest Warrant (EAW), the first concrete legislative measure in the field of criminal law cooperation based on the principle of mutual recognition, is a European system of surrender which has replaced the national systems of extradition. This system has played a vital role in mitigating the side-effect of the freedom of movement, which has led to the equally free movements of criminals, by promoting the quasi-automatic execution of judicial decisions across the border and fast-track extradition with minimal formalities and limited grounds for refusal. However, the practical use of the EAW varies not only between countries but also between governments. This study seeks to understand these disparities by investigating the different relationships between the public safety policies and norms regarding the judicial self-reliance of each government.
In France, public safety has been a key policy agenda since the early 2000s. Discourses on public safety and criminal justice policies involve dynamic processes of determining what constitutes security threats and how to justify the means to address such threats. The way of implementing strict public safety policies thus varies depending on the political strategies of each administration. The Sarkozy administration focused on the leading role of the executive branch to ensure the safety of citizens while criticizing the judiciary for incompetence and dereliction. The administration partially decomposed certain norms demanding respect for decisions rendered by judges and justified the suppressive security policies led by the government. The Hollande administration legitimated and implemented similar security policies. However, the administration justified its policies by emphasizing norms to respect judicial decisions and focusing on discourses that protect judicial independence. It also led the legislative reforms in the criminal law field that emphasize the neutrality of public prosecutors and EU-level judicial cooperation to address terrorism issues. These differences in security discourses and norms pursued by the two administrations affect the scope of political options available.
The case of Aurore Martin provides a clear example, as the first case that a French court agreed to extradite a Batasuna member who was also a French citizen. While the court allowed her surrender under the Sarkozy administration, the actual arrest and surrender took place under the Hollande administration. The analysis of the case shows that the political strategy of the latter administration, which justified public safety policies through the rule of law, fostered more favorable conditions for the actual implementation of the EAW system than the previous one which decomposed judicial norms to justify the increased controlling power of the executive.์ด ๋ก
์ ๋ฝ์ ์ฌ๋ฒํตํฉ ๋
ผ์๋ 9.11ํ
๋ฌ๋ผ๋ ์ธ๋ถ์ ์ถฉ๊ฒฉ์ ๊ณ๊ธฐ๋ก ๊ธ์ํ ์ง์ ๋์ด 2002๋
์ ๋ฝ์ฒดํฌ์์ฅ์ ๋์ ์๋ฆฝ์ด๋ผ๋ ๊ณ ๋ฌด์ ์ธ ์ฑ๊ณผ๋ฅผ ๊ฑฐ๋์๋ค. ํด๋น ์ ๋๋ ์ ๋ฝ ํ์๊ตญ๋ค ๊ฐ์ ์ํธ์ ๋ขฐ๋ฅผ ๋ฐํ์ผ๋ก ๋ฒ์ฃ์ธ ์ธ๋๊ฐ ๊ตญ๊ฒฝ์ ๋์ด ์ฆ๊ฐ์ , ๋ฐ์๋์ ์ผ๋ก ์ด๋ฃจ์ด์ง๋ ์ ์ฐจ๋ฅผ ๊ณ ์ํ์ฌ ํ์ฌ๋ฒ ๋ถ์ผ์์ ํตํฉ์ ์ด์์ ๋์๋ค. ์ ๋ฝํตํฉ์ ์ต๋ ์ฑ๊ณผ์ด์ ์ ์ ์กฐ๊ฑด์ธ ์ด๋์ ์์ ๋ ๋ฒ์ฃ์๋ค์ ์ด๋ ๋ํ ์ฉ์ดํ๊ฒ ํ์ฌ ๊ฐ๋ณ ํ์๊ตญ์ ๊ณต๊ณต์๋ณด ๋ฐ ์น์์
ํ๋ผ๋ ๋ถ์์ฉ์ ๋ฐ์์์ผฐ๋ค. ์ ๋ฝ์ฒดํฌ์์ฅ์ ์ผ์ข
์ ์ฌ๋ฒ์ ๊ตญ๊ฒฝ๊ฐ๋ฐฉ ๋ฐ ์ฌ๋ฒ์ฃผ๊ถ ์๋๋ฅผ ํตํ์ฌ ์ ๋ฝํตํฉ ๊ณผ์ ์ ์๋ฐ๋๋ ์ด๋ฌํ ๋ถ์์ฉ์ ์ํ์ํค๊ณ ์ ๋ฝํตํฉ์ ๊น์ด๋ฅผ ๋ด๋ฌด์ฌ๋ฒ ๋ถ์ผ๊น์ง ์ง์ ์ํค๋ ์ฃผ์ํ ์ญํ ์ ํด์๋ค.
๊ทธ๋ฌ๋ ์ ๋ฝ์ฒดํฌ์์ฅ ์ ๋๊ฐ 20์ฌ ๋
๊ฐ ์ง์๋๋ ๊ณผ์ ์์ ๊ตญ๊ฐ๋ณ, ์๊ธฐ๋ณ๋ก ๋ค์ํ ์ด์ฉ์ ํธ์ฐจ๊ฐ ๋ํ๋๊ณ ์์ผ๋ฉฐ, ํนํ ํ ๊ตญ๊ฐ ๋ด์์๋ ๊ตญ๋ด ์ ์น์ ๋์ ์กฐ๊ฑด์ ๋ณํ์ ๋ฐ๋ผ ๊ทธ ์๋์์์์ ์ธ์ธํ ์ฐจ์ด๋ฅผ ๋ณด์ธ๋ค. ๋ณธ ๋
ผ๋ฌธ์ ์ด๋ฌํ ์ฐจ์ด๊ฐ ๋ฐ์ํ๋ ์์ธ์ ๊ฐ ์ ๋ถ์ ์น์์ ์ฑ
๊ณผ ์ฌ๋ฒ๋ถ์ ๋
์์ฑ๊ณผ ๊ด๋ จ๋ ๊ท๋ฒ ๊ฐ์ ๊ด๊ณ์์ ์ฐพ๊ณ ์๋ค. ์ ๋ฝ์ฒดํฌ์์ฅ์ ๋๋ ํ์ ๋ถ์ ์ ์น์ ๊ฐ์
์ ์ ํํ๊ณ ๊ฐ๊ตญ ๋ฒ์ ๊ฐ์ ์ฌ๋ฒ์ ๊ด๊ณ๋ฅผ ํตํด ์ธ๋๊ฐ ์ ์ํ๊ฒ ์ด๋ฃจ์ด์ง๋ ๋ฒ์ฃ์ธ ์ธ๋์ ์ฌ๋ฒํ์ ๋น์ ์นํ๋ฅผ ์์ ํ๊ณ ์๋ค. ๊ทธ๋ฌ๋ ์ค์ ์ ๋ฝ์ฒดํฌ์์ฅ์ ๋๊ฐ ์๋ํ ์ ์๋ ํ ์์ ์ด๋ฃจ๋ ์ฌ๋ฒ๊ท๋ฒ์ ๊ฐ ์ ๋ถ๊ฐ ์ค์ ํ๋ ๊ณต๊ณต์๋ณด ๋ฐ ์น์์ ์ฑ
์ ๊ตฌ์ฒด์ ์ธ ๋ด์ฉ๊ณผ ์ ๋นํ ์ ๋ต์ ์ํด์ ๋ณํํ๋ค.
ํ๋์ค์์๋ 2000๋
๋ ์ด๋ฐ ํ
๋ฌ๋ฆฌ์ฆ์ ์ํ ๋ฐ ํ๋ฆฌ์์์ฌํ๋ฅผ ํฌํจํ ๋ค์ธต์ ์ธ ์๋ณด์๊ธฐ๋ฅผ ๊ฒช์ผ๋ฉด์ ์น์๋ด๋ก ์ด ์ฃผ์ํ ๊ตญ์ ๊ณผ์ ๋ก ๋ถ๊ฐ๋์๋ค. ์น์๋ด๋ก ๊ณผ ํ์ฌ์ฌ๋ฒ์ ์ฑ
์ ๋ฌด์์ด ์๋ณด์ํ์ธ์ง ๊ฒฐ์ ํ๊ณ , ๋์๊ฐ ๊ทธ๋ฌํ ์ํ์ ํด๊ฒฐํ๊ธฐ ์ํ ๋ฐฉ์์ ์ ์น์ ์ผ๋ก ์ ๋นํํ๋ ์ญ๋์ ์ธ ๊ณผ์ ์ ํฌํจํ๋ค. ์ด์ ๋ฐ๋ผ ํ๋์ค์์๋ ์ด๋์ ์์ ๋ผ๋ ๊ถ๋ฆฌ๋ฅผ ๋จ์ฉํ์ฌ ๊ตญ๋ด๋ก ๋ค์ด์จ ํ
๋ฌ๋ฆฌ์คํธ๋ค๊ณผ ๋ฒ๋ฒ์๋ค์ ๊ณตํ๊ตญ์ ๋ฒ๊ณผ ์ง์, ์ ์๋ฅผ ์ํํ๋ ์กด์ฌ๋ก ๋ณด๊ณ ๊ฐ๋ ฅํ ์น์์ ์ฑ
์ ์ํํ์๋ค. ๋ค๋ง ๋ณด๋ค ์ต์์ ์ด๊ณ ๊ฐ๊ฒฝํ ์น์์ ์ฑ
์ ์ํ์ ์ ๋นํํ๋ ๋
ผ๋ฆฌ๋ ๊ฐ ์ ๋ถ์ ์ ์น์ ์
์ฅ๊ณผ ์ ๋ต์ ์ ํ์ ๋ฐ๋ผ ๊ทธ ๊ตฌ์ฒด์ ์ธ ๋ด์ฉ์ ๋ฌ๋ฆฌ ํ๋ค. ์ฌ๋ฅด์ฝ์ง ์ ๋ถ๋ ์ฌ๋ฒ๋ถ์ ๋ฌด๋ฅ๋ ฅ๊ณผ ํ๋ง์ ๋น๋ํ๊ณ ํ์ฌ๋ค์ ์ฌ๋ฒ๊ฒฐ์ ์ ์กด์คํด์ผ ํ๋ค๋ ๊ท๋ฒ์ ์ผ์ ๋ถ๋ถ ํด์ฒดํ๋ ํํธ, ์ฌ๋ฒ๋ถ์ ๋๋นํ์ฌ ์๋ฏผ์ ์์ ์ ๋ณด์ฅํ ์ ์๋ ํ์ ๋ถ ์ฃผ๋์ ๊ฐ๊ฒฝํ ์น์์ ์ฑ
์ํ์ ์ ๋นํํ์๋ค. ๋ฐ๋ฉด ์ฌ๋๋ ์ ๋ถ๋ ์ ์ฌํ๊ฒ ๊ฐ๊ฒฝํ ์ ์ฑ
์ ์ํํ์์ผ๋ ํด๋น ์ ์ฑ
์ ์ ๋นํํ๊ธฐ ์ํ์ฌ ์ฌ๋ฒ๋ถ์ ๊ฒฐ์ ์ ์กด์คํ๊ณ ์ฌ๋ฒ ๋
์์ฑ์ ๋ณด์ฅํ๋ ๋ด๋ก ์ ์ด์ ์ ๋์๋ค. ์ด์ ๋ฐ๋ผ ํ์ฌ๋ฒ ๊ฐํ๋ ๊ฒ์ฌ์ ๋
๋ฆฝ์ฑ๊ณผ ์ค๋ฆฝ์ฑ์ ํ๋ณดํ๋ ๋ฐฉํฅ์ผ๋ก ์ด๋ฃจ์ด์ก์ผ๋ฉฐ, ๋์ธ์ ์ผ๋ก๋ ํ
๋ฌ๋ฌธ์ ํด๊ฒฐ์ ์ํ ์ ๋ฝ์ฐจ์์ ์ฌ๋ฒํ๋ ฅ์ ๊ฐ์กฐํ์๋ค. ๊ฐ ์ ๋ถ๊ฐ ์ถ๊ตฌํ ์น์๋ด๋ก ๋ฐ ์๋ณด์ ์ฑ
๊ธฐ์กฐ์ ์ฐจ์ด๋ ์ ๋ฝ์ฒดํฌ์์ฅ์ด ์ค์ ๋ก ์ด์ฉ๋ ์ ์๋ ๊ตญ๋ด์ ์๊ฑด์ ์ํฅ์ ์ฃผ์๋ค.
์ด๋ฌํ ์ฐจ์ด๋ ์ ๋ฝ์ฒดํฌ์์ฅ์ ๋๊ฐ ํ๋์ค์์ ์๋นํ ์ ์น์ ๋
ผ๋์ ์ผ์ผ์ผฐ๋ ์ค๋ก๋ฅด ๋ง๋ฅดํ
ก ์ฌ๊ฑด์์ ๋ถ๋ช
ํ ๋๋ฌ๋๋ค. ์ค๋ก๋ฅด ๋ง๋ฅดํ
ก ์ฌ๊ฑด์ ์ฌ๋ฅด์ฝ์ง ์ ๋ถ ํ์์ ๋ฒ์์ ์ธ๋ํ๊ฒฐ์ด ๋ด๋ ค์ก์ผ๋ ์ฌ๋๋ ์ ๋ถ ํ์์ ์ค์ ์ฒดํฌ ๋ฐ ์ธ๋๊ฐ ์ด๋ฃจ์ด์ง ์ฌ๋ก์ด๋ค. ๋ ์ ๊ถ์ ๊ฑธ์ณ ์ด๋ฃจ์ด์ง ํด๋น ์ฌ๋ก์ ๋ํ ๋น๊ต๋ถ์์ ํ์ ๋ถ์ ๊ถํ์ ๊ฐ์กฐํ๋ ์ ์์ ์น์์ ์ฑ
๋ฐ ๊ท๋ฒ ํด์ฒด์ ๋นํด ๋ฒ์น์ฃผ์์ ์ฌ๋ฒ๊ท๋ฒ์ ํตํด ์น์์ ์ฑ
์ ์ ๋นํํ๋ ํ์์ ์ ๋ต์ด ์ ๋ฝ์ฒดํฌ์์ฅ์ด ์ด์ฉ๋๋ ๋ฐ ์์ด ๋ณด๋ค ์นํ์ ์ธ ๊ตญ๋ด์ ์น์ ์๊ฑด์ ๊ตฌ์ฑํ์์์ ๋ณด์ธ๋ค.์ 1 ์ฅ ์ ๋ก 1
์ 1 ์ ์ฐ๊ตฌ ๋ฐฐ๊ฒฝ 1
์ 2 ์ ์ ํ ์ฐ๊ตฌ 8
์ 3 ์ ์ฐ๊ตฌ ๊ตฌ์ฑ 12
์ 2 ์ฅ ํ๋์ค์ ์ ๋ฝ์ฒดํฌ์์ฅ ์ ์ฉ: ์ค๋ก๋ฅด ๋ง๋ฅดํ
ก ์ฌ๊ฑด 15
์ 1 ์ ํ๋์ค ํ์ฌ์ฌ๋ฒ์ ์ฐจ์ ์ ๋ฝ์ฒดํฌ์์ฅ์ ์๋ 15
1.1 ํ๋์ค ํ์ฌ์ฌ๊ฑด์ ์ฐจ ๊ฐ๊ด 15
1.2 ํ๋์ค์ FWD ์ดํ๋ฒ๋ฅ ๊ณผ ์ฒดํฌ์์ฅ ์งํ๊ณผ์ 18
์ 2 ์ ์ค๋ก๋ฅด ๋ง๋ฅดํ
ก ์ฌ๊ฑด์ ๊ฐ์ ๋ฐ ์์ 20
2.1 ์ค๋ก๋ฅด ๋ง๋ฅดํ
ก ์ฌ๊ฑด์ ์งํ๊ณผ์ 20
2.2 ์ฒดํฌ์์ฅ์ ์์ฉํ ๋ฒ์ํ๊ฒฐ ์์ง 22
2.3 ๋ง๋ฅดํ
ก ์ฌ๊ฑด์ ์์์ ์ ์น์ ๋
ผ๋์ ๋ฐ์ 23
์ 3 ์ฅ ์ฌ๋ฅด์ฝ์ง ์ ๋ถ ํ์ ์น์์ ์ฑ
๊ณผ ์ฌ๋ฒ๊ท๋ฒ 26
์ 1 ์ ์ฌ๋ฅด์ฝ์ง ์ ๋ถ์ ์น์๋ด๋ก ๋ฐ ์ ์ฑ
26
1.1 ํ๋์ค ์น์๋ด๋ก ์ ํ์ฑ๊ณผ ํ๋ 26
1.2 ์ฌ๋ฅด์ฝ์ง ํ์ ๋ถ์ ์น์์ ์ฑ
27
์ 2 ์ ์ฌ๋ฅด์ฝ์ง ํ์ ๋ถ์ ์ฌ๋ฒ๋
์์ฑ ๊ท๋ฒ ๋ฐ ์ ์ฑ
31
์ 4 ์ฅ ์ฌ๋๋ ์ ๋ถ ํ์ ์น์์ ์ฑ
๊ณผ ์ฌ๋ฒ๊ท๋ฒ 36
์ 1 ์ ์ฌ๋๋ ํ์ ๋ถ์ ์น์์ ์ฑ
36
์ 2 ์ ์ฌ๋๋ ํ์ ๋ถ์ ์ฌ๋ฒ๋
์์ฑ ๊ท๋ฒ ๋ฐ ์ ์ฑ
40
์ 5 ์ฅ ์ ๋ฝ์ฒดํฌ์์ฅ์ ๋์ ๊ตญ๋ด์ ์ด์ฉ ์๊ฑด 46
์ 6 ์ฅ ๊ฒฐ๋ก 51
์ฐธ๊ณ ๋ฌธํ 54
Abstract 66
ํ ๋ชฉ์ฐจ .
[ํ 1] ์ ๋ฝ์ฒดํฌ์์ฅ ์งํ๊ฑฐ์ ์ฌ์ ๊ด๋ จ ํ์ฌ์์ก๋ฒ ๊ท์ 19
[ํ 2] 9์ ํ๋์ค ์ฌํ๋ฌธ์ ์ ์ฐ์ ์์ 58
๊ทธ๋ฆผ ๋ชฉ์ฐจ
[๊ทธ๋ฆผ 1]ํ๋์ค์ ํ์ฌ์ฌ๊ฑด์ ์ฐจ 16
๋ถ๋ก .
[๋ถ๋ก 1] EU๋ฒ์ฃ์ธ์ธ๋ํ์ฝ๊ณผ ์ ๋ฝ์ฒดํฌ์์ฅ ๋น๊ต 68์