3 research outputs found
์์ถฉ์ธต ๋ด GaN nano-island๋ฅผ ์ด์ฉํ GaN ์ํผ์ธต์ ๊ฒฐ์ ํ์ง ํฅ์
ํ์๋
ผ๋ฌธ (์์ฌ)-- ์์ธ๋ํ๊ต ๋ํ์ : ์ฌ๋ฃ๊ณตํ๋ถ(ํ์ด๋ธ๋ฆฌ๋ ์ฌ๋ฃ), 2012. 8. ์ค์์ค.์ต๊ทผ, GaN ์ ๊ด์ ์ ์ฌ๋ฃ๋ก์ ๋งค์ฐ ์ฐ์ํ ๋ฌผ์ง๋ก์, ๊ทธ ๊ฒฐ์ ์ง์ ํ์ง์ ๋์ด๊ณ ์ ๋ง์ ์ฐ๊ตฌ๊ฐ ๋์ด ์๋ค. ์ฌ๊ธฐ์ ์ฑ์ฅ ์ด๊ธฐ ๋จ๊ณ์์ 3D ์ฑ์ฅ์ ํ์ฌ ๊ฒฐ์ ๊ฒฐํจ์ ์ค์ด๋ ์ฐ๊ตฌ๋ค์ด ์ฐ๊ตฌ๋์ด ์๋ค[1,2].Gibart ๋ฑ์ ์ฐ๊ตฌ๊ฒฐ๊ณผ์ ๋ฐ๋ฅด๋ฉด, ์ฌ์ผ๋ ๊ณผ ์๋ชจ๋์๋ฅผ ํตํ์ฌ SiNx ๋ง์คํน์ด๋ ์ฌํ์ด์ด ๊ธฐํ์ Si/N ์ฒ๋ฆฌ๋ฅผ ํํ๋ ๊ฒ์ด nucleation site ์ ์ซ์๋ฅผ ์ค์ฌ island ์ ํฌ๊ธฐ๋ฅผ ํค์, ๊ฒฐ๊ณผ์ ์ผ๋ก ๊ดํต ์ ์์ ์๋ฅผ ์ค์ด๋ ๊ฒ์ ํ์ธ ํ ์ ์์๋ค. ๊ทธ ์ธ์๋ ์๋ง์ ๊ทธ๋ฃน์ด ์ฌ์ผ๋ ๊ณผ ์๋ชจ๋์๋ฅผ ์ฌํ์ด์ด ๊ธฐํ์ ์ฒ๋ฆฌํ์ฌ grain ํฌ๊ธฐ๋ฅผ ํค์ ๊ดํต์ ์๋ฅผ ํค์ฐ๋ ์ฐ๊ตฌ์ ์ฑ๊ณตํ์๋ค.[3,4,5]
๊ทธ๋ฌํ GaN ์ ํ์ง์ ํฅ์์ํค๋ ๋ฐฉ๋ฒ์ ๊ธฐํ์ nano-island๋ฅผ ํ์ฑํ๋ ๊ฒ ์ด๋ค. ์ฐ๋ฆฌ๋ GaN film์ ๊ณ ์จ์์ etching ํ์ฌ GaN nano-island๋ฅผ ์ฑ์ฅ์์ผฐ๋ค. ๊ทธ๋ฆฌ๊ณ ์ด nano-island๋ฅผ ๋ฒํผ์ธต์ ์ ์ฉํ์ฌ ์ ์๊ฐ GaN ์ฑ์ฅ๋ฐฉํฅ์ผ๋ก ์ ํํ์ฌ ๋๊ฐ๋ ๊ฒ์ ๋ง์๋ค.
๊ทธ๋ฆฌ๊ณ ์ฑ์ฅ์ํจ GaN ๊ฒฐ์ ์ x-ray diffraction (XRD), field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), atomic force microscopy (AFM) ๊ทธ๋ฆฌ๊ณ high resolution transmission electron microscopy (HR-TEM) ๋ฐฉ๋ฒ์ผ๋ก ์ธก์ ํ์๋ค. ๊ทธ ๊ฒฐ๊ณผ, ์ฐ๋ฆฌ๋ epi layer ์ crystal quality ์ physical properties ๊ฐ ๊ฐ์ ๋ ๊ฒ์ ํ์ธ ํ ์ ์์๋ค. ๋น๋ก crystal quality ๊ฐ ํฅ์๋๋ ์ด์ ๋ ์์๋ด์ง ๋ชปํ์์ง๋ง, ์ด ์ฐ๊ตฌ ๊ฒฐ๊ณผ๊ฐ GaN ์ฑ์ฅ์ด๋ MOCVD๋ฅผ ํตํ ๋ค๋ฅธ ์์์ ์ฑ์ฅ์๋ ๋์์ด ๋ ๊ฒ์ด๋ค.Due to the potentialities of GaN and related alloys for the optoelectronic devies emitting in the green-ultra-violet range important efforts have been made to improve the crystal quality.
The use of a three dimensional (3D) mode at the first stage of GaN growth has been reported a major role in the reduction of defect density [1,2]. One solution to improve the crystal quality of GaN is GaN nano-island formation on substrate. It is well known that GaN nano-island reduces dislocation density in GaN epitaxial layer. As proposed by Gibart and co-workers, in situ SiNx masking or Si/N treatment of sapphire substrate with silane and ammonia reduces the density of nucleation sites prior to GaN epitaxial layer growth, and hence increases the average grain size leading to films with TD densities below 10-10 cm-2. Several research groups reported exposure of the sapphire substrate, prior to the deposition of a GaN nucleation layer, under silane and ammonia flows. [3,4,5] Another method to similarly reduce the TD density is by intentionally delaying the coalescence of individual GaN islands by starting the growth of the epilayer proper at a reduced V/III ratio.
So, we proposed GaN nano-island formation technique in buffer layer, which prevents propagation of dislocation at very early stage of the growth. We formed GaN nano-islands in buffer layer intentionally by thermal etching, then grew GaN epitaxial layer on nano-islands.
The crystal quality and morphologies of the GaN were examined using x-ray diffraction (XRD), field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), atomic force microscopy (AFM) and high resolution transmission electron microscopy (HR-TEM).
We confirmed that crystal quality and physical properties of GaN layer was improved. Despite the fact that the mechanism for crystal quality improvement is not well understood, we believe this method could prove useful to the MOCVD growth in variety of ways. However, further studies are necessary to confirm the exact reason of crystal quality improvement.Abstract.โฆโฆโฆโฆโฆ I
Contents....................... III
List of figures............................................................ VI
Chapter 1 Introduction 1
1.1 Introduction 1
1.2 Growth techniques of GaN 7
1.2.1 General methods 7
1.2.2 GaN nano-island in buffer layer by Si/N treatment 8
1.3 GaN epitaxial layer using nano-island in buffer layer 9
Chapter 2 Experiments and analysis 14
2.1 Growth equipment 14
2.1.1 MOCVD system 14
2.2 Analysis tools 16
2.2.1 Scanning electron microscopy (SEM) 16
2.2.2 Transmission electron microscopy (TEM) 16
2.2.3 X-ray diffractometry (XRD) 16
2.2.4 Atomic force microscopy (AFM) 17
2.3 Experimental details 17
2.3.1 Sample preparation 17
2.3.2 Growth procedure 17
Chapter 3 Results and disccusion 20
3.1 Nano-island in buffer layer (NB) GaN 20
3.1.1 Growth of NB GaN 20
3.1.2 GaN nano-islands 21
3.2 Characteristics of NB GaN 26
3.2.1 Physical properties of NB GaN 26
3.2.2 Dislocations of NB GaN 27
Chapter 4 Conclusions 33
References 34
Abstract 36Maste
๋ฌธ์ ํด๊ฒฐ ์ ๋ต์ ์ค์ฌ์ผ๋ก
ํ์๋
ผ๋ฌธ (์์ฌ)-- ์์ธ๋ํ๊ต ๋ํ์ : ์ฌ๋ฒ๋ํ ๊ตญ์ด๊ต์ก๊ณผ(ํ๊ตญ์ด๊ต์ก์ ๊ณต), 2019. 2. ๋ฏผ๋ณ๊ณค.The purpose of this study is to analyze how Chinese advanced learners use problem solving strategies in their Korean writing process.
As writing requires a sophisticated thinking ability, it is a quite difficult function even for a native speaker. Moreover, Korean language learners have to deal with language problems and the problems about Korean communicative community. Therefore, for Korean language learners writing is more difficult. However, if we consider the writing process as a problem-solving process which is proposed by Linda Flower, there is a better way to write and writers will be able to expand the list of their writing strategies.
First, I reviewed the related research in chapter II in order to establish a framework for analyzing the way in which Chinese advanced learners use problem solving strategies in their Korean writing process. The concept of the problem is defined by summarizing the concept of problem in the previous research. Then, I classify the types of problems according to the stages of Korean writing process. This means, the difficulties Chinese advanced learners encounterd when they are performing Korean writing tasks.
According to the types of problems that are summarized in Chapter โ
ข, I found that excellent Chinese learners and poor Chinese learners use different problem solving strategies in the writing process. Especially at the stage of the content creation stage, it exists validity of evidence problem and credibility of evidence problem for Chinese advanced learners. About credibility of evidence problem, excellent Chinese learners use evaluating the form of information strategie and evaluating authors expertise whereas poor Chinese learners use cite information of internet cafe strategie and cite stories heard strategie. About validity of evidence problem, excellent Chinese learners use evaluating content on the internet strategie whereas poor Chinese learners use writing content on the webpage strategie and use self-experienced material strategie.
Based on the results of the mentioned analysis above, I suggested the educational content of Chinese advanced learners problem solving strategy. I designed the lesson for five times, analyzing the tasks, creating the contents, organizing the contents, expressing and reviewing them according to the stages of the Korean writing process.
The implications of this study are summarized as follows. First, as I have used the computer screen recording software, I collected and analyzed data of the whole Korean writing process which is produced by advanced Chinese learners. In addition, the analysis of problem solving strategies using by excellent learners and poor learners shows how differently they use problem solving strategies. So that It is possible to learn more effectively if an poor learner is taught with the educational contents based on the problem solving strategy used by excellent learner.๋ณธ ์ฐ๊ตฌ๋ ์ค๊ตญ์ธ ๊ณ ๊ธ ํ์ต์๊ฐ ํ๊ตญ์ด ๋
ผ์ค๋ฌธ ๊ธ์ฐ๊ธฐ ๊ณผ์ ์์ ๋ฌธ์ ํด๊ฒฐ ์ ๋ต์ ์ฌ์ฉํ๋ ์์์ ๋ถ์ํ์ฌ ๊ต์ก ๋ฐฉ์์ ์ ์ํ๋ ๋ฐ์ ๋ชฉ์ ์ ๋๊ณ ์๋ค.
์ฐ๊ธฐ๋ ๊ณ ๋์ ์ฌ๊ณ ๋ฅ๋ ฅ์ ์๊ตฌํ๋ฏ๋ก ๋ชจ์ด ํ์์กฐ์ฐจ ์ด๋ ค์ํ๋ ๊ธฐ๋ฅ์ด๋ค. ๋๊ตฌ๋ ํ๊ตญ์ด ํ์ต์์๊ฒ๋ ์ธ์ด ๋ฌธ์ ์ ํ๊ตญ์ธ ๋ดํ๊ณต๋์ฒด์ ๊ด์ต์ ๊ดํ ๋ฌธ์ ๊ฐ ์์ด์ ํ๊ตญ์ด ๊ธ์ฐ๊ธฐ๋ฅผ ๋์ฑ๋ ์ด๋ ต๊ฒ ๋๋ ์๋ฐ์ ์๋ค. ๊ทธ๋ฌ๋ ๊ธ์ฐ๊ธฐ ๊ณผ์ ์ ๋ฌธ์ ํด๊ฒฐ ๊ณผ์ ์ผ๋ก ๋ณธ๋ค๋ฉด, ํ์๊ฐ ์์ ์ ๊ธ์ฐ๊ธฐ ์ ๋ต์ ๋ชฉ๋ก์ ํ์ฅ์ํค๋ฉด ๊ธ์ ์ธ ๋ ๋น๋ฉดํ๋ ์ด๋ ค์์ ํด๊ฒฐํ๋ ๋ฐ ๋์์ด ๋ ๊ฒ์ด๋ค. ๋ฐ๋ผ์ ๋ณธ๊ณ ๋ ํ๊ตญ์ด ๊ธ์ฐ๊ธฐ ๊ณผ์ ์์ ๋ฅ์ํ ํ์ต์์ ๋ฏธ์ํ ํ์ต์๊ฐ ๊ฐ๊ฐ ๋ฌธ์ ํด๊ฒฐ ์ ๋ต์ ์ฌ์ฉํ๋ ์์์ ๋น๊ตโ
๋ถ์ํ๊ณ ๋ ํจ์จ์ ์ธ ์ ๋ต์ ์ถ์ถํ์ฌ ๊ต์ก ๋ด์ฉ์ผ๋ก ์ ์ํ๊ณ ์ ํ๋ค.
์ฐ์ ์ค๊ตญ์ธ ๊ณ ๊ธ ํ์ต์๊ฐ ํ๊ตญ์ด ๊ธ์ฐ๊ธฐ ๊ณผ์ ์์ ๋ฌธ์ ํด๊ฒฐ ์ ๋ต์ ์ฌ์ฉํ๋ ์์์ ๋ถ์ํ๊ธฐ ์ํ ํ์ ๋ง๋ จํ๊ธฐ ์ํ์ฌ โ
ก์ฅ์์ ๊ด๋ จ๋ ์ ํ ์ฐ๊ตฌ๋ฅผ ๊ณ ์ฐฐํ์๋ค. ์ ํ ์ฐ๊ตฌ์์ ๋ํ๋ ๊ธ์ฐ๊ธฐ ๋ฌธ์ ์ ๊ฐ๋
์ ์ ๋ฆฌํ ํ์ ๋ฌธ์ ์ ๊ฐ๋
์ ๋ค์ ์ ์ํ์๋ค. ์ด์ด์ ์ค๊ตญ์ธ ๊ณ ๊ธ ํ์ต์๊ฐ ํ๊ตญ์ด ๊ธ์ฐ๊ธฐ ๊ณผ์ ๋ฅผ ์ํํ๋ ๊ณผ์ ์์ ๋ถ๋ชํ๋ ์ด๋ ค์์ ๊ดํ์ฌ ๊ธ์ฐ๊ธฐ ๊ณผ์ ์ ๋จ๊ณ์ ๋ฐ๋ผ ๋ฌธ์ ์ ์ ํ์ ๋ถ๋ฅํ์๋ค.
โ
ข์ฅ์์๋ ์ ๋ฆฌํ ๋ฌธ์ ์ ์ ํ์ ๋ฐ๋ผ ๋ฅ์ํ ์ค๊ตญ์ธ ๊ณ ๊ธ ํ์ต์์ ๋ฏธ์ํ ์ค๊ตญ์ธ ๊ณ ๊ธ ํ์ต์๊ฐ ํ๊ตญ์ด ๋
ผ์ค๋ฌธ ๊ธ์ฐ๊ธฐ ๊ณผ์ ์์ ๋ฌธ์ ํด๊ฒฐ ์ ๋ต์ ์ฌ์ฉํ๋ ์์์ ๋น๊ตโ
๋ถ์ํ์๋ค. ๋์๊ฐ ์ค๊ตญ์ธ ๊ณ ๊ธ ํ์ต์๊ฐ ํ๊ตญ์ด ๋
ผ์ค๋ฌธ ๊ธ์ฐ๊ธฐ ๊ณผ์ ๋ฅผ ์ํํ๋ ๊ณผ์ ์์ ๋ถ๋ชํ๋ ์ด๋ ค์์ ํด๊ฒฐํ๊ธฐ ์ํ์ฌ ์ฌ์ฉํ๋ ์ ๋ต์ ๊ธ์ฐ๊ธฐ ๋จ๊ณ์ ๋ฐ๋ผ ๊ท๋ฉ์ ์ผ๋ก ๋์ถํ์๋ค. ๊ฐ ๋จ๊ณ๋ง๋ค ๋ฅ์ํ ํ์ต์์ ๋ฏธ์ํ ํ์ต์๊ฐ ๋ฌธ์ ํด๊ฒฐ ์ ๋ต์ ์ฌ์ฉํ๋ ๋ฐ์ ์ฐจ์ด๊ฐ ๋ง์ด ๋ฌ๋ค. ํนํ ๋ด์ฉ ์์ฑํ๊ธฐ ๋จ๊ณ์์ ๋ฅ์ํ ํ์ต์๋ ์ ๋ณด์ ํํ ํ๊ฐํ๊ธฐ ์ ๋ต, ์นํ์ด์ง ๊ธ์ด์ด์ ์ ๋ฌธ์ฑ ํ๊ฐํ๊ธฐ ์ ๋ต ๊ทธ๋ฆฌ๊ณ ์นํ์ด์ง ๋ด์ฉ ํ๊ฐํ๊ธฐ ์ ๋ต์ ์ฌ์ฉํ๋ ๊ฒ์ ๋นํ์ฌ ๋ฏธ์ํ ํ์ต์๋ ๋ ํจ์จ์ ์ธ ์ธํฐ๋ท ์นดํ์ ์ ๋ณด ์ธ์ฉํ๊ธฐ ์ ๋ต, ์๋ฌธ์ผ๋ก ๋ค์๋ ์ด์ผ๊ธฐ ์ธ์ฉํ๊ธฐ ์ ๋ต, ์นํ์ด์ง ๋ด์ฉ ๋ง ์ฐ๊ธฐ ์ ๋ต ๊ทธ๋ฆฌ๊ณ ์๊ธฐ ๊ฒฝํ ์์ฌ๋ก ํ์ฉํ๊ธฐ ์ ๋ต์ ์ฌ์ฉํ๋ค. ๋ํ ๋ณธ๊ณ ๋ โ
ข์ฅ 3์ ์์ ๋ฏธ์ํ ํ์ต์๊ฐ ํจ์จ์ด ๋ฎ์ ์ ๋ต์ ์ฌ์ฉํ๋ ์์ธ์ ์ถ์ถํ์๋ค. ์ฃผ์ ์์ธ์ผ๋ก๋ ์ค๊ตญ์ด ๊ธ์ฐ๊ธฐ ๋ฐฉ์์ ์ํฅ ์์ธ, ๋ฌธํ์ ์ํฅ ์์ธ, ๊ต์ก์ ๋ถ์ฌ ์์ธ์ด ์์๋ค.
โ
ฃ์ฅ์์ ์์ ์ธ๊ธํ ๋ถ์ ๊ฒฐ๊ณผ๋ฅผ ๊ธฐ์ด๋ก ํ์ฌ ์ค๊ตญ์ธ ๊ณ ๊ธ ํ์ต์๋ฅผ ์ํ ๋ฌธ์ ํด๊ฒฐ ์ ๋ต์ ๊ต์ก ๋ฐฉ์์ ์ ์ํ์๋ค. ํ๊ตญ์ด ๊ธ์ฐ๊ธฐ ๊ณผ์ ์ ๋จ๊ณ์ ๋ฐ๋ผ ๊ณผ์ ๋ถ์ํ๊ธฐ, ๋ด์ฉ ์์ฑํ๊ธฐ, ๋ด์ฉ ์กฐ์งํ๊ธฐ, ํํํ๊ธฐ ๊ทธ๋ฆฌ๊ณ ๊ฒํ ํ๊ธฐ์ ๊ฐ์ด ๋ค์ฏ ์ฐจ๋ก์ ๊ฑธ์ณ์ ์์
์ ์ค๊ณํ์๋ค.
๋ณธ๊ณ ๊ฐ ์ง๋๋ ์์๋ ๋ค์๊ณผ ๊ฐ๋ค. ์ฐ์ , ํ์ต์์ ๊ธ์ฐ๊ธฐ ๊ฒฐ๊ณผ๋ฌผ ๋ฟ๋ง์ ๋ถ์ํ ๊ฒ์ด ์๋๋ผ ์ปดํจํฐ ์คํฌ๋ฆฐ ๋
นํ ์ํํธ์จ์ด๋ฅผ ํ์ฉํ์ฌ ์ค๊ตญ์ธ ๊ณ ๊ธ ํ์ต์์ ํ๊ตญ์ด ๊ธ์ฐ๊ธฐ์ ์ (ๅ
จ) ๊ณผ์ ์ ๊ดํ ์๋ฃ๋ฅผ ์์งํ๊ณ ๋ถ์ํ์ฌ ํ์ต์์ ๊ธ์ฐ๊ธฐ ๊ณผ์ ์ค์ ๋ฌธ์ ๋ฅผ ํด๊ฒฐํ๋ ์ ๋ต์ ๊ท๋ฉ์ ์ผ๋ก ์ถ์ถํ์๋ค. ๋ํ, ๋ฏธ์ํ ํ์ต์๊ฐ ๋ฌธ์ ํด๊ฒฐ ์ ๋ต์ ์ฌ์ฉํ๋ ์์๊ณผ ๋ฅ์ํ ํ์ต์๊ฐ ๋ฌธ์ ํด๊ฒฐ ์ ๋ต์ ์ฌ์ฉํ๋ ์์์ ์๋ก ๋น๊ตํ๋ฉด์ ๋ถ์ํ์๋ค. ๋ฅ์ํ ํ์ต์๊ฐ ์ฌ์ฉํ๋ ๋ฌธ์ ํด๊ฒฐ ์ ๋ต์ ๋ฐํ์ผ๋ก ๊ต์ก ๋ด์ฉ์ ์ค๊ณํ์ฌ ๋ฏธ์ํ ํ์ต์์๊ฒ ๊ฐ๋ฅด์น๋ฉด ๋ฏธ์ํ ํ์ต์๋ ๋ณด๋ค ํจ๊ณผ์ ์ผ๋ก ์ต๋ํ ์ ์์ ๊ฒ์ด๋ค.โ
. ์๋ก 1
1. ์ฐ๊ตฌ์ ํ์์ฑ ๋ฐ ๋ชฉ์ 1
2. ์ ํ ์ฐ๊ตฌ 3
1) ํ๊ตญ์ด๊ต์ก์์์ ์ฐ๊ธฐ ์ฐ๊ตฌ 3
2) ์ฐ๊ธฐ ๊ณผ์ ์ ๊ดํ ์ฐ๊ตฌ 5
3. ์ฐ๊ตฌ ๋ฐฉ๋ฒ 8
1) ์ฐ๊ธฐ ๊ณผ์ ์ ์ฌ๋ก์ ์ธ ์ ๊ทผ 8
2) ํ์ง ๋ฐฉ๋ฒ ๋ฐ ์ฐ๊ตฌ ์ฐธ์ฌ์ ์ ๋ณด 8
3) ์๋ฃ ์์ง ๋ฐฉ๋ฒ 11
โ
ก. ์ด๋ก ์ ๋ฐฐ๊ฒฝ 15
1. ์ฐ๊ธฐ ์ด๋ก ํจ๋ฌ๋ค์์ ๋ณ์ฒ 15
1) ํ์์ฃผ์ ์ฐ๊ธฐ ์ด๋ก 15
2) ์ธ์ง์ฃผ์ ์ฐ๊ธฐ ์ด๋ก 16
3) ์ฌํ๊ตฌ์ฑ์ฃผ์ ์ฐ๊ธฐ ์ด๋ก 19
2. ์ 2 ์ธ์ด ๊ธ์ฐ๊ธฐ ๊ต์ ํ์ต ์ด๋ก 21
3. ๋ฌธ์ ํด๊ฒฐ ๊ธ์ฐ๊ธฐ์์์ ๋ฌธ์ ์ ์ ๋ต 28
1) ๋ฌธ์ ํด๊ฒฐ ๊ธ์ฐ๊ธฐ์์ ๋ฌธ์ ์ ๊ฐ๋
๋ฐ ์ ํ 28
2) ๋ฌธ์ ํด๊ฒฐ ๊ธ์ฐ๊ธฐ์์ ์ ๋ต์ ๊ฐ๋
๋ฐ ์ ํ 43
โ
ข. ์ค๊ตญ์ธ ๊ณ ๊ธ ํ์ต์์ ๋ฌธ์ ํด๊ฒฐ ์ ๋ต ๋ถ์ 60
1. ์ฌ๋ก ์ฐ๊ตฌ ์ค๊ณ 60
1) ๊ณผ์ ์ํฉ ์ค์ 60
2) ๊ณผ์ ์ ์ ๊ธฐ์ค 61
3) ์๋ฃ ๋ถ์ ๋ฐฉ๋ฒ 62
2. ์ฐ๊ธฐ ๊ณผ์ ๋ฅผ ์ํํ๋ ๊ณผ์ ์์ ๋ถ๋ชํ๋ ์ด๋ ค์ 65
1) ๊ณผ์ ๋ถ์ํ๊ธฐ ๋จ๊ณ 65
2) ๋ด์ฉ ์์ฑํ๊ธฐ ๋จ๊ณ 69
3) ๋ด์ฉ ์กฐ์งํ๊ธฐ ๋จ๊ณ 80
4) ํํํ๊ธฐ ๋จ๊ณ 88
5) ๊ฒํ ํ๊ธฐ ๋จ๊ณ 101
3. ํจ์จ์ด ๋ฎ์ ์ ๋ต์ ์ฌ์ฉํ๋ ์์ธ 106
1) ์ค๊ตญ์ด ๊ธ์ฐ๊ธฐ ๋ฐฉ์์ ์ํฅ 106
2) ๋ฌธํ์ ์ํฅ 110
3) ๊ต์ก์ ๋ถ์ฌ 112
4) ๊ธฐํ ์์ธ 113
โ
ฃ. ์ค๊ตญ์ธ ๊ณ ๊ธ ํ์ต์๋ฅผ ์ํ ๋ฌธ์ ํด๊ฒฐ ์ ๋ต ๊ต์ก์ ์ค์ 115
1. ๋ฌธ์ ํด๊ฒฐ ์ ๋ต์ ๊ต์ก ๋ชฉํ 115
2. ๋ฌธ์ ํด๊ฒฐ ์ ๋ต์ ๊ต์ก ๋ด์ฉ 119
1) ๊ณผ์ ๋ถ์ํ๊ธฐ ๋จ๊ณ 119
2) ๋ด์ฉ ์์ฑํ๊ธฐ ๋จ๊ณ 120
3) ๋ด์ฉ ์กฐ์งํ๊ธฐ ๋จ๊ณ 121
4) ํํํ๊ธฐ ๋จ๊ณ 123
5) ๊ฒํ ํ๊ธฐ ๋จ๊ณ 125
3. ๋ฌธ์ ํด๊ฒฐ ์ ๋ต์ ๊ต์ก ๋ฐฉ๋ฒ 126
1) ๊ต์ ํ์ต ๋ฐฉ๋ฒ 126
2) ์์
์ค๊ณ 129
โ
ค. ๊ฒฐ๋ก 140
1. ์์ฝ 140
2. ์ ์ธ 143
์ฐธ๊ณ ๋ฌธํ 145
๋ถ๋ก 155
Abstract 161Maste