Growth and characterization of Nickel Silicide and Ge on Si surfaces : a scanning tunneling microscopy study

Thesis (doctoral)--서울대학교 대학원 :물리학과 고체물리전공,1996.Docto

Experimental Study on the Patterns of Particle Deposition in the Reverse-flow Cyclone with a Tangential Inlet

Maste

A Study on the bureaucratic behavior in budgeting in Korean local gevernment

학위논문(박사)--서울대학교 대학원 :행정학과 행정학전공,1999.Docto

Analysis of flow and heat transfer in twin roll strip casting process by finite element method

Maste

A study on the reaction of 1-[α-(phenylseleno)benzyl］benzotriazole

Thesis (master`s)--서울대학교 대학원 :화학과 유기화학전공,1995.Maste

Evaluation of ALD-Ru/Direct-Grown Graphene as Next Generation Diffusion Barrier of Cu Metallization

학위논문 (석사)-- 서울대학교 대학원 : 공과대학 재료공학부, 2018. 2. 김기범.반도체 소자의 Cu 배선공정에 있어 회로의 집적도가 점점 높아짐에 따라 더욱 낮은 두께를 가지는 Cu 확산방지막에 대한 연구가 화두이다. 현재는 2D 물질의 Cu 확산방지막의 적용에 대한 관심이 크며, 실제 Cu 배선공정의 적용을 위해 직성장 그래핀 확산방지막에 대한 연구가 필요하다. 본 연구에서는 직성장 그래핀의 Cu 확산방지막에 대한 적용을 주제로 성장조건에 따른 직성장 그래핀의 두께, 그레인의 크기, 결정 방향의 분석을 진행하였다. 그리고 다른 확산방지막과 비교했을 때, 직성장 그래핀이 Cu 확산방지특성이 좋은지 time-dependent dielectric breakdown (TDDB) 실험을 통해 확인하였다. 두께 2.3 nm의 직성장 그래핀은 확산방지막에 대한 3 nm 이하의 현재 두께 요구조건을 만족시키며, Cu 확산방지특성이 좋아 Cu 이온의 확산을 효과적으로 억제할 수 있었다. 본 연구에서는 추가적으로 직성장 그래핀 위에 Cu와의 접착력이 좋다고 알려진 Ru을 실제 반도체 배선공정에 적용이 가능한 ALD 방식을 통해 증착하여 Cu와의 접착특성이 좋은 복합재료의 확산방지막을 제작하였다. 직성장 그래핀 위에 Ru ALD를 수행할 경우 Cu 확산방지특성이 향상이 되었으며, 기존의 CVD 그래핀에 비해 전기적으로 뛰어난 Cu 확산방지막을 만들 수 있었다. 또한, 직성장 그래핀 위에 Ru ALD를 수행해 만든 확산방지막 위에서 Cu agglomeration이 효과적으로 억제되며, 확산방지막과 Cu 사이의 계면접착에너지가 좋아지는 것을 확인했다. 이에 따라 복합 재료로 이루어진 Cu 확산방지막 위에서 Cu 일렉트로마이그레이션의 신뢰성이 향상되는 것을 확인했다.제 1장. 서론 1 1. Cu 확산방지막의 발전과정 2 2. 직성장 그래핀으로 이루어진 Cu 확산방지막 8 3. 직성장 그래핀 위에 Ru ALD를 진행해 만든 복합재료로 이루어진 Cu 확산방지막 11 4. 논문의 개요 13 5. 참고문헌 15 제 2장. 직성장 그래핀의 재료특성 평가 17 1. 서론 18 2. 이론적 배경: time dependent dielectric breakdown (TDDB) test 18 3. 증착조건에 따른 직성장 그래핀의 증착양상 20 4. TDDB 실험을 통한 직성장 그래핀의 Cu 확산방지특성평가 27 5. 참고문헌 31 제 3장. Ru ALD 처리를 한 직성장 그래핀의 재료특성 평가 32 1. 서론 33 2. 이론적 배경: 그래핀 위에 Ru ALD를 수행을 통한 확산방지특성의 향상 33 3. Ru ALD 수행에 따른 직성장 그래핀 위의 Ru 증착양상 35 4. TDDB 실험을 통한 Ru ALD를 한 직성장 그래핀 복합재료의 확산방지특성평가 42 5. 참고문헌 47 제 4장. Ru ALD 처리를 한 직성장 그래핀의 접착특성 평가 48 1. 서론 49 2. 이론적 배경: Cu와의 접착특성 49 3. Ru ALD를 한 직성장 그래핀 복합재료 위에서의 Cu agglomeration 53 4. Ru ALD를 한 직성장 그래핀 위의 Cu 적심성 66 5. Ru ALD를 한 직성장 그래핀 위에서의 Cu 일렉트로마이그레이션 신뢰성의 평가 70 6. 참고문헌 73 제 5장. 요악 및 결론 76 Abstract 78Maste