晶格匹配型GaAs／Al_xGa_（1－x）As量子阱电极光电转换性能的研究

研究了晶格匹配型GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱电极在非水溶液中的光电转换性能,以及电极结构参数(如阱宽、外垒厚度,量子阱周期)对其光电转换性能的影响,并设计生长了量子产率可比GaAs电极高3倍的变阱宽多周期新型结构的量子阱电极

GaAs／AlxGa_（1－x）As量子阱电极／非水溶液界面性能的研究

用阻抗谱研究了晶格匹配型单、多量子阱ＧａＡｓ／Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ电极在二茂铁乙腈溶液中的界面性能．得到了空间电荷层电容及表面态电容与电极电位的依赖关系．空间电荷电容与量子阱电极的结构有关，而表面态电容则决定于电极的表面性质如表面氧化层及二茂铁的吸附．分析和讨论了表面态的能级，密度的分布，来源和作用．作者联系地址：中国科学院感光化学所，中国科学院半导体研究

晶格匹配型单量子阱GaAs/AlxGa（1-x）As半导体电极的光电化学行为

研究了晶格匹配型单量子阱GaAs/Al_xGa_(1-x)As电极在含不同氧化还原离子的溶液中以及在不同电极电位下的光电流谱和光电压谱以及它们的量子化效应

气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ-V族化合物材料

简要报告气态源分子束外延实验结果。材料是GaAs(100)衬底上外延的晶格匹配的In_y(Ga_(1-x)Al_x)_(1-y)P(x=0～1,y=0.5),InGaP/InAlP多量子阱;在InP(100)衬底上外延的InP,晶格匹配的InGaAs、InAlAs以及InP/InGaAs、InP/InAsP多量子阱,InGaAs/InAlAs HEMT等,外延实验是用国产第一台化学束外延(CBE)系统做的

InGaAs/InP超晶格材料的GSMBE生长研究

在国产第一台CEB(Chemical beam epitaxy)设备上,用GSMBE(Gas source molecular beam epitaxy)技术在国内首次研究了InGaAs/InP匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长,用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负应变超晶格材料,并用双晶X-射线衍射技术对样品进行了测试和分析。结果表明,我们在国产地一台CBE设备上用GSMBE技术采用非对称切换方法生长的超晶格材料质量很好