等离子体薄膜沉积装置

本实用新型提供了一种等离子体薄膜沉积装置，该装置包括腔体、供气系统、等离子体喷枪系统、抽真空系统、射频电源系统和压力控制系统，所述腔体中设置有样品台;所述等离子体喷枪系统与所述供气系统连通;所述抽真空系统与所述腔体连通;所述压力控制系统与所述腔体连通，在所述压力控制系统中设置有压力控制阀;所述压力控制系统控制所述腔体的压力为0.05kPa至10kPa。本实用新型的等离子体薄膜沉积装置将腔体的压力控制在0.05kPa至10kPa之间，能够实现薄膜的高效、快速、低温沉积

多晶硅薄膜的制备方法以及光电器件

一种多晶硅薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1，提供非晶硅薄膜，将所述非晶硅薄膜放入反应室中的水冷样品台上；S2，向所述反应室中通入等离子体气体源，并将所述反应室的压力调节至100Pa至10000Pa；S3，激发所述等离子体气体源并产生等离子体，在所述等离子体环境中，所述非晶硅薄膜发生退火晶化，从而得到所述多晶硅薄膜。本发明通过将非晶硅薄膜置于中压条件下电感耦合产生的射频等离子体环境中，使得所述非晶硅薄膜进行快速退火晶化，从而在低温条件下快速制备多晶硅薄膜；本发明不仅可以使用普通玻璃等廉价衬底，从而极大的降低了制备成本，而且极大的节约了时间成本，同时还具有低沉本、大面积制备和工艺简单的优势

电感耦合等离子体喷枪及等离子体设备

本实用新型公开了一种电感耦合等离子体喷枪及等离子体设备，其中，电感耦合等离子体喷枪包括放电室、气体导入装置、冷却装置和电感线圈；放电室由第一空心管材围设而成，第一空心管材为氮化硅管或碳化硅管；气体导入装置与放电室连通；冷却装置包括第二空心管材、冷却剂导入组件和冷却剂导出组件，第二空心管材围设在第一空心管材的外侧，且第二空心管材的内侧壁与第一空心管材的外侧壁之间存在第一间隙，冷却剂导入组件和冷却剂导出组件均与第一间隙连通；电感线圈设置在第二空心管材的外侧。本实用新型提高了电感耦合等离子体喷枪在使用过程中的稳定性，有效避免了由于高温造成的破裂，满足了连续生产的需要，降低了安全隐患

衬底温度的控制方法、装置及薄膜沉积设备

本发明公开了一种衬底温度的控制方法、装置及薄膜沉积设备。其中，所述衬底置于中空的样品台上，所述样品台的中空区域通有流通的冷却剂，通过以下方式实现对衬底温度的控制：测量流入样品台的冷却剂的温度，得到流入温度；测量流出样品台的冷却剂的温度，得到流出温度；计算所述流入温度和所述流出温度的差值；根据所述差值调节冷却剂的流量，通过冷却剂的流量来控制衬底的温度。本发明实现了衬底温度的精确控制，保证了沉积薄膜的质量，大大提高了工艺的可控性和重复性