N-苯基-3-氯-6-(3,5-二甲基-1-吡唑基)吡啶-2-甲酰胺及3-氯-6-(3,5-二甲基-1-吡唑基)吡啶-2-甲酸的合成和表征

以3,6-二氯吡啶-2-甲酸为原料经过酰胺化、肼取代、环合、水解等反应合成了标题化合物,并通过红外光谱、核磁共振谱和质谱对其结构进行了表征。广西民族大学学校科研启动项目(0409032);广西民族大学学校重大项目(0409012);教育部科学技术重点项目(205121);广西民族大学学校重点项目(0509ZD047

改进的SILAR法制备ZnO薄膜及其表征

采用一种改进的液相成膜技术——连续离子层吸附与反应(SILAR)法,用锌氨络离子[Zn(NH3)4]2+溶液作为独立的前驱体溶液,以载玻片为衬底,在(125±5)℃的温度下沉积出致密、透明的ZnO薄膜。分别用冷场发射型扫描电镜(FESEM)和X射线衍射(XRD)分析了薄膜样品的表面形貌和结晶状态,用紫外-可见分光光度计(UV-Vis spectroscopy)研究了薄膜样品的发光性能。结果表明:获得样品为六角纤锌矿结构的多晶薄膜材料沿[002]方向择优生长;样品表面均匀、致密,厚度约为550nm;在可见光波段具有高的透射率(>80%)

金纳米线阵列制备及其光谱特性

利用电化学沉积方法在重离子径迹模板中制备出直径从45nm到200nm,长径比达700的金纳米线阵列,利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对所制备金纳米线的形貌及晶体结构进行分析,结果表明,在1.5V(无参比电极)沉积电压下所制备出的直径为200nm金纳米线沿[100]晶向具有较好择优取向.利用紫外-可见光谱(UV-Vis)对镶嵌在透明模板中平行排列的金纳米线阵列光学特性进行研究,发现金纳米线直径为45nm时,其紫外可见光谱在539nm处有强烈吸收峰,随着金纳米线直径增加,吸收峰红移,当金纳米线直径达到200nm时,其吸收峰峰位移至700nm.结合金纳米颗粒相关表面等离子体共振吸收效应对实验结果进行了讨论

重离子径迹模板法合成银纳米线

聚碳酸脂(PC)膜被高能重离子辐照后沿入射离子路径产生潜径迹,把带有潜径迹的膜经紫外光敏化后置于NaOH溶液中进行蚀刻,通过选择蚀刻条件,在PC膜内得到直径从100到500nm导通的核径迹孔.以带有核径迹孔的PC膜为模板,用电化学沉积法制备出不同直径的银纳米线.在特定的实验条件下(沉积电压25mV、电流密度1-2mA·cm~(-2)、温度50℃和电解液为0.1mol·L~(-1)的AgNO_3溶液),获得了沿[111]方向择优取向生长的具有单晶结构的银纳米线.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)及选区电子衍射(SAED)等手段对银纳米线的形貌和晶体结构特征进行了表征

离子径迹模板辅助法制备InSb纳米线

以厚度30μm的聚碳酸酯薄膜为母板,利用加速器提供的高能重离子对其进行辐照,辐照过的模板经紫外光敏化后置于蚀刻液中进行蚀刻以获得重离子径迹模板。采用电化学共沉积技术在重离子径迹模板中成功制备了InSb纳米线。通过扫描电子显微镜(SEM)对其形貌进行观察和分析,结合X射线衍射(XRD)研究沉积电位对InSb纳米成分的影响,最终获得了重离子径迹模板中制备InSb纳米线所需的最佳电化学沉积条件

核径迹膜断面SEM样品制备

利用紫外光辐照结合液氮冷冻技术成功地制备了聚碳酸酯核径迹膜断面的扫描电子显微镜样品。结果表明,紫外光辐照引起了聚碳酸酯核径迹膜发生了光降解并使之脆化,导致其断裂伸长率大幅降低。经紫外光辐照过的核径迹膜在液氮中很容易被折断形成断面。扫描电子显微镜观测结果表明,形成的断面不存在残余形变,从而准确地表达了孔道的面分布、尺寸和形状等信息

利用重离子辐照技术制备锂离子电池隔膜；Preparation Lithium-ion Battery Separator by Swift Heavy Ion Irradiation Methods

用能量11.4MeV/u和注量1×108ions/cm2的197Au离子垂直辐照聚丙烯薄膜,通过电导测量法监测温度、硫酸浓度和重铬酸钾浓度对径迹蚀刻速率的影响,得到合适的蚀刻条件;成功制备出孔径范围在600—1000nm的重离子径迹聚丙烯孔膜,并用场发射扫描电镜对孔的形状及孔径大小进行了表征,对孔洞锥角的形成进行了分析,为重离子辐照技术制备锂离子电池隔膜提供了实验数据

电化学方法制备Si阵列微孔的工艺研究

对用电化学方法制备Si大孔阵列管坑工艺进行了初步探索。通过对Si在KOH溶液中各向异性湿法蚀刻和在HF酸溶液中的电化学蚀刻过程中各种参数的摸索,确定在室温下制备大孔阵列的最佳配比浓度,蚀刻出符合要求的管坑阵列,为进一步制备结构化闪烁屏奠定了实验基础

利用重离子径迹云母模板制备Au纳米线

利用重离子辐照单晶白云母片,经蚀刻后产生菱形的柱状孔道。菱形孔长轴和短轴对角线的长度分别约为50和30 nm。在云母模板的孔道中通过电化学沉积制备Au纳米线。通过紫外-可见光谱分析,观测到Au纳米线有两个表面等离子体共振(SPR)峰,依赖于模板的菱柱形孔道形状。同时利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)对Au纳米线的形貌和晶体结构特征进行了表征