高光敏性高稳定性氢化非晶硅薄膜的研制

采用“不间断生长/退火”技术,并配之以微量硼补偿,制备了高性能的氢化非晶硅薄膜(a-Si:H),其光敏性(σ_(ph)σ_d)达到10~6)量级,并且稳定性得以显著提高,在100mW/cm~2的白光长时间照射后没有观察到衰退现象。分析指

用改进的调制光电流相 称分析技术研究氢人非晶硅的隙态分布

提出了一种严格校准调制光电流相移的方法,在此基础上,采用调制光电流相移分析技术研究了不掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜费米能级以上隙态密度及其分布的光致变化效应。实验发现，光电流相移的校准对确定隙态密度及其分布是至关重要的。除了校准测试系统的相移频率特性外，还需考虑样品本射电阻、电容等参数的影响，否则会使隙态密度偏低1-2个数量级，经严格校准的光电流相移测试，a-Si:H的隙态分布在导带边以下约0.43eV处观察到一个峰，可能是双占据悬挂键D~-中心引起的。光照引起浅态减小，深态增加，引起了隙态重新分布

RTCVD工艺制备poly-Si薄膜太阳电池的研究

报道了快速热化学气相沉积(RTCVD)工艺制备多晶硅(poly -Si)薄膜及电池的实验和结果。采用SiH_2Co_2作为原料气体，衬底温度为1030℃时，薄膜的生长速率为10nm/s。发现薄膜的平均晶粒度及载流子迁移率与衬底温度和材料有关。用该薄膜在未抛光重掺杂磷的硅衬底上制备1cm~2的p~+n结样品电池，无减反射涂层，其转换效率为4.54%(AM1.5,100mW/cm~2,25℃)