Effects of Some Metal Ions on the Activity of Polyphenol Oxidase from Potato

以马铃薯多酚氧化酶为对象,研究金属离子对该酶活性的影响.实验结果表明,lI+、k+、bA2+和Mg2+对酶活力几乎没有影响,CA2+和nA+对酶活力有微弱的抑制作用,Cu2+则表现出较强烈的抑制作用,其IC50为0.248 MMOl/l.Al3+、fE3+、Cd2+、CO2+、Mn2+和zn2+则对马铃薯多酚氧化酶有不同程度的激活作用.本研究为探讨多酚氧化酶的催化活性和催化机理提供理论基础.In this paper,we studied the effects of some metal ions on the activity of polyphenol oxidase purified from potato.The results showed that Li+,K+,Ba2+ and Mg2+ had no effects on the enzyme activity.Ca2+ and Na+ showed a slight inhibition.Cu2+ could strongly inhibit the enzyme and the IC50 value was estimated to be 0.248 mmol/L.Al3+,Fe3+,Cd2+,Co2+,Mn2+ and Zn2+ activated the activity of polyphenol oxidase.This paper laid the foundation for the studies of the enzyme activity,catalytic mechanism of polyphenol oxidase.国家自然科学基金(30570408);福建省重点科技项目(2007N0051

兰州在线同位素分离器的FEBIAD源研制

叙述了兰州近代物理研究所的在线同位素分离器FEBIAD源的设计原理、结构、运行状况及离线和在线调试结果。离线测定Kr和Xe的总效率分别为 3.1%和 4 .5% ,12 9Xe分辨本领达到36 0 ,离子源总离子束流小于 10 μA。在线测到截面为 10 - 2 8cm2 、寿命短至 1s的反应产物 ,在线测出10 4 In总效率达到 1.5%— 2 % ,10 4 Ag和10 4 Gd达到 1%

具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法

 一种具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法,包括：采用金属有机化学气相沉积的方法,在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层,形成GaN外延片；将GaN外延片放入蒸发台,在P-GaN层的表面蒸镀CsCl或氯化物；蒸镀结束后,向蒸发台腔室中充入水汽,控制相对湿度使P-GaN层表面的CsCl或氯化物吸收水分逐渐长大形成CsCl或氯化物的纳米岛；将CsCl或氯化物纳米岛作为刻蚀掩膜,对GaN外延片进行刻蚀,形成表面粗化的GaN外延片；再将GaN外延片的一侧进行刻蚀,形成台面；在GaN外延片的上表面蒸镀一层ITO薄膜；在GaN外延片的上表面制作P电极,在台面上制作N电极,完成器件制备

FEBIAD离子源的新进展

描述了用于兰州在线同位素分离的FEBIAD靶 -离子源的改进、最新进展和结果。经过改进后 ,在线同位素分离器对Xe的分辨本领由原来的 360提高到 60 0 ,对199Hg的在线测量效率提高了一个数量级 ,并测出了Hg、At、Rn等元素的一系列放射性同位素产物及生成截面为 5×10 - 34 m2 的2 0 8Hg衰变的能量最高的一条γ线

兰州在线同位素分离器ISOLAN

本文描述兰州在线同位素分离器ISOLAN的设计原理、结构和特性.对Ar和Xe的离线调试结果,分辨本领达到700—1200.ISOLAN将与兰州重离子加速器联机,以中能重离子核反应进行新核素的合成和远离β稳定线核素的研究

炭膜的功能化及其在气体分离上的应用

炭分子筛膜是一种新型无机分离膜，具有耐高温、耐酸碱、高气体选择性的特点，但其通量较低，如何进一步提高炭膜的气体通量，实现炭膜对气体的针对性分离已经成为当前研究的热点．综述了近年来功能炭分子筛膜的研究进展，提出了炭分子筛膜功能化主要存在的问题，着重讨论了采用化学功能化和物理填充无机粒子等方法对炭分子筛膜进行功能化的研究状况．展望了今后炭分子筛膜功能化技术的发展方向