多孔硅膜的半峰值宽度小于10nm的针形发光峰

通过改变电化学腐蚀生成多孔硅膜的工艺条件,研究了它的发光峰形状的变化。第一次从实验上观测到多孔硅膜的针形发光激发谱和发射光谱,其半峰值宽度约小于10nm。讨论了形成针形峰的可能机理

GaAs/AIGaAs光子平行存贮器的性能

报告用PnpN型GaAs/AlGaAs结构的光电双稳器件形成的光子平行存贮器单元器件和4×4阵列器件的特性。单元器件的最小维持功耗小于30μW。使器件从“关闭”态翻转到“导通”态所需的光触发功率小于80μW。单元面积160×160μm、间距40μm的存贮器4×4原理性阵列已经研制成功,这是0.85μm波长范围的光子平行存贮器的首次报道

硅基1．55μm可调谐共振腔窄带光电探测器的研究

制作了一种低成本硅基1．55μm可调谐共振腔增强型探测器．首次获得硅基长波长可调谐共振腔探测器的窄带响应，共振峰量子效率达44%，峰值半高宽为12．5nm，调谐范围14．5nm，并且获得1．8GHz的高频响应．本制作工艺不复杂，成本低，有望用于工业生产