氮化镓缓冲层生长过程分析

研究了用金属有机物化学气相外延(MOVPE)在蓝宝石上生长氮化镓(GaN)缓冲层的生长速率随生长温度(500～600℃)的变化关系。用原位激光反射厚度测量方法，发现生长温度、三甲基镓和氨气的摩尔流量、以及源进入双层反应室的模式都对生长速率有影响。提出了生长过程的微观模型，解释了MOVPE生长GaN缓冲层过程中观察到的现象

掺硅氮化镓材料的MOVPE生长及其性质研究

研究了用金属有机物气相外延(MOVPE)方法在蓝宝石衬底上生长掺硅氮化镓的生长方法。发现了在硅烷掺杂剂流量较高的情况下，氮化镓的电子浓度趋于饱和现象。研究了掺硅氮化镓的电学、光学、结晶学以及表面形貌等物理性质

N型GaN的持续光电导

该文报道了金属有机的化学气相外延(MOVPE)生长的未人为掺杂和掺Si n-GaN的持续光电导(Persistent Photoconductivity-PCC)。在不同温度下观察了光电导的产生和衰变行为。实验结果表明，未人为掺杂和掺Si n-GaN的持续光电导和黄光发射可能起源于深能级缺陷，这些缺陷可以是V_(Ga)空位、N_(Ga)反位或者V_(Ga)-Si_(Ga)络合物。和未人为掺杂样品A相比，样品B中因Si的并入导致GaN中的深能级缺陷增加，提高了GaN中黄光发射，使持续光电导衰变减慢,但实验未发现黄光的加强和光电导衰变特性与两样品生长温度有明显关系。随测量温度的增加，持续光电导衰变加快，衰变曲线能用扩展指数定律进行拟合

InP的MOVPE生长

利用常压MOVPE设备和国产的三甲基铟以及进口的磷烷生长了InP处延材料,其77K迁移 率为65300cm~2/V·s,是国内迄今为止用各种方法获得的InP薄膜的最大低温迁移率值