细胞三维动态培养微器件的设计与制作

细胞培养是进行细胞研究的基础,为了在细胞体外培养时提供一种近似于体内的微环境,设计了一种可供细胞三维动态培养的微器件。首先设计了用于输运流体的微通道网络,培养池对称布置于微通道网络中,通过一系列\"多进多出\"型微通道分别与进样口和出样口相连。利用Comsol软件中的层流物理场和多孔介质物理场耦合对培养池内的流场进行仿真,通过比较流场的均一性和稳定性优化微通道网络结构。然后,采用静电直写技术在培养池内集成聚己内酯(PCL)三维支架,构建细胞三维培养空间。最后,封合微器件,检测微器件培养池内的流体流动情况,并进行细胞实验。实验结果表明,\"2×2\"型微器件培养池内的流体稳定性和均一性较好;PCL三维支架的纤维间距400μm,纤维直径80μm,孔隙率64%,细胞存活率达到90%以上。该细胞三维动态培养微器件更好地模拟了生物体内细胞生存所需的微环境,培养池内的细胞生长良好,满足设计要求。国家自然科学基金资助项目(No.51475079,No.51375076

Rotatory Multiple Needles Electrospinning Based on Weissenberg Effect

文中研究了用静电纺丝法批量制备纳米纤维的方法。基于韦森堡效应的原理,圆盘的旋转使溶液沿转轴爬升,从而为静电纺丝连续供液,由此设计了一种装置。纺丝头是由固定在圆盘上的针尖阵列组成的。圆盘的旋转使针尖蘸取爬升的溶液,在针尖和收集板间高电压的作用下制备出直径较小（200~800 nm）、比较均一的整齐的纤维。随着针数量和圆盘转速的增加,纤维的产率呈增加的趋势,产率可达3.3 g/h。纤维直径随着溶液浓度的增加而增加,但会随着圆盘转速以及电极至收集板之间的距离的增加而减小。A new technique to generate nanofibers in batches using electrospinning is studied in this paper. The rotation of the rod enables the solution to climb to realize the continuous supply of the solution. A device for eleetrospinning is designed based on the Weissenberg effect. The electrospinning head is composed of the circular needle arrays attached to the disc. The needles dip the polymer solution supplied by reciprocating ro- tation of the disc. Thin and uniform nanofibers and ordered fibers with small diameters （200 - 800 nm） can be obtained under high voltage between needles and the collecting board. The production rate of nanofibers in- creases gradually with the increase of the number of needles and the rotation speed of the disc. The productivi- ty can be as high as 3.3 g/h. The fiber diameter increases with the increase of solution concentration, but de- creases with the decrease of the rotation speed of the disc and the distance between the electrode and the col- lecting board.国家自然科学基金资助项目（51475398,U1505243

p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法

本发明涉及无机光电技术领域，公开了一种p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法，该p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构包括衬底、低温氮化镓成核层、非有意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂InxGa1-xN层、非掺杂i层InyGa1-yN量子点结构和p型掺杂InxGa1-xN层。本发明采用InxGa1-xN三元合金材料和量子点结构，利用该合金带宽可调节的优点，结合量子点超晶格结构的优势，通过严格控制生长条件，得到高质量的以InyGa1-yN量子点为i层和InxGa1-xN为势垒层的p-i-n结构材料，从而可在理论上达到63％的极限转换效率

Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法

一种III-氮化物半导体材料pn结的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上生长p型GaN基材料；步骤2：在p型GaN基材料上面外延非掺杂GaN基材料；步骤3：在非掺杂的GaN基材料上生长非掺杂薄层；步骤4：在非掺杂薄层上生长n型GaN基材料