MBE生长温度对InGaAs/GaAs应变单量阱激光器性能的影响

采用分子束外延(MBE)技术，研制生长了InGaAs/GaAs应变单量子阱激光器材料，并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明较高的InGaAs生长温度和尽可能短的生长停顿时间，将有利于降低激光器的闽值电流。所外延的激光器材料在250μm×500μm宽接触、脉冲工作方式下测量的闽电流匠典型值为160mA/CM~2。用湿法腐蚀制作的4μm条宽的脊型波导激光器，闽值电流为16nA,外微分量子效率为0.4mW/mA,激射波和工为976±2nm，线性输出功率为100mW

衬底温度和生长速率对MBE自组织生长In_xGa_(1-x)As/GaAsQD的影响

研究GaAs基In_xGa_(1-x)As/GaAs量子点(QD)的MBE生长条件，发现在一定的Ⅴ/Ⅲ比下，衬底温度和生长速率是影响In_xGa_(1-x)As/GaAs QD形成及形状的一对重要因素，基中衬底温度直接影响着In的偏析程度，决定了In_xGa_(1-x)As/GaAs的生长模式；生长速率影响着In_xGa_(1-x)As外延层的质量，决定了In_xGa_(1-x)As/GaAs QD的形状及尺寸。通过调节衬底温度和生长速率生长出了形状规则、尺寸较均匀的In_xGa_(1-x)As/GaAs QD(x=0.3)

GSMBE 生长掺杂 Si 及GeSi/Si合金及其电学性质研究

用气态源分子束外延法对Si及GeSi/Si合金进行了N、P型掺杂研究，结果表明，杂质在外延层中的掺入行为取决于生长过程中乙硅烷与相关掺杂气体的竞争吸附与脱附过程，所获得的N型及P型载流子浓度范围分别为1.5×10~(16)～4.0×10~(19)cm~(-3)及1.0×10~(17)～2.0×10~(19)cm~(-3),基于对n型Si外延材料中迁移率与杂质浓度、温度的关系，用Klaassen模型对实验结果进行拟合，分析了不同散射机制，特别是少数载流子电离散射对迁移率的影响。此外，样品的二次离子谱及扩展电阻分析表明，N、P型杂质浓度纵向分布较为均匀，无明显的偏析现象

气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ-V族化合物材料

简要报告气态源分子束外延实验结果。材料是GaAs(100)衬底上外延的晶格匹配的In_y(Ga_(1-x)Al_x)_(1-y)P(x=0～1,y=0.5),InGaP/InAlP多量子阱;在InP(100)衬底上外延的InP,晶格匹配的InGaAs、InAlAs以及InP/InGaAs、InP/InAsP多量子阱,InGaAs/InAlAs HEMT等,外延实验是用国产第一台化学束外延(CBE)系统做的

InGaAs/InP超晶格材料的GSMBE生长研究

在国产第一台CEB(Chemical beam epitaxy)设备上,用GSMBE(Gas source molecular beam epitaxy)技术在国内首次研究了InGaAs/InP匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长,用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负应变超晶格材料,并用双晶X-射线衍射技术对样品进行了测试和分析。结果表明,我们在国产地一台CBE设备上用GSMBE技术采用非对称切换方法生长的超晶格材料质量很好