磁性多层膜中SiO_2/Ta界面反应及其对缓冲层的影响

磁性多层膜常以金属Ta作为缓冲层。利用磁控溅射方法在表面有300nm厚SiO_2氧化膜的单晶硅(100)基片上沉积了Ta/NiFe/Ta薄膜。采用X射线光电子能谱（XPS）对该薄膜进行了深度剖析，并且对获得的Ta 4f和Si 2p的高分辨XPS谱进行计算机谱图拟合分析。结果表明在SiO_2/Ta界面处发生了化学反

Ta/NiO/NiFe/Ta的磁性及界面的结构

利用磁控反应溅射方法以Ta作为缓冲层制备了Ta/NiO/NiFe/Ta薄膜，磁性分析表明，该结构薄膜的交换耦合场为9.6×10~3A/m，但量所需NiO的实际厚度增加了。采用X射线光电子能谱研究了Ta/NiO/Ta界面，并进行计算机谱图拟合分析。结果表明界面反应是影响层间耦合的一个重要因素。在Ta/NiO界面处发生了反

退火对FeMn钉扎自旋阀性质的影响

通过对退火后FeMn钉扎自旋阀磁性的研究表明，真空退火对自旋阀的性质有影响。低于200 ℃的退火能有效的提高钉扎场；退火温度高于200　℃时，自旋阀的钉扎场要下降，其他性能也恶化；在300　℃时，钉扎场降为零，giant magnetoresistance （GMR）现象消失。俄歇电子能谱仪（AES）的结果表明，在自旋阀多层膜中存在着晶界扩散

Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中Cu的层间偏聚及其对磁性的影响

实验结果表明Ta/NiFe/FeMn/Ta多层膜的交换耦合场Hex要大于Ta/NiFe/Cu /NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中的Hex. 为了寻找其原因, 用X射线光电子能谱(XPS)研究了Ta(12 nm)/NiFe(7 nm), Ta(12 nm)/NiFe(7 nm)/Cu(4 nm)和Ta(12 nm)/NiFe(7 nm)/ Cu(3 nm)/NiFe(5 nm) 3种样品, 研究结果表明前两种样品表面无任何来自下层的元素偏聚, 但在第3种样品最上层的NiFe表面上, 探测到从下层偏聚上来的Cu原子. 认为: Cu在NiFe/FeMn层间的存在是Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜的Hex低于Ta/NiFe/FeMn/Ta多层膜Hex的一个重要原因