用于半导体器件中的取样光栅的制作方法

一种用于半导体器件的取样光栅的制作方法，其特征在于，包括如下步骤:步骤1:在衬底上依次生长缓冲层、下波导层、多量子阱、上波导层，得到含有半导体波导结构的芯片;步骤2:在上波导层的上面，均匀地涂上一层光刻胶;步骤3:对涂有光刻胶的芯片进行全息曝光，使光刻胶上印制出条状的光栅轮廓;步骤4:将芯片置于取样周期光刻版之下进行二次曝光，二次曝光后对芯片上的光刻胶显影，使光刻胶形成有光栅轮廓的胶条;步骤5:对显影好的芯片，进行离子刻蚀，在上波导层上得到光栅;步骤6:用腐蚀液修整光栅形貌，完成取样光栅的制作。本发明具有成本低、适于大规模生产的优点

光子晶体波导传输特性的计算和模拟

应用时域有限差分法研究了在空气孔-介质光子晶体波导中引入一空气柱后对光学传输特性的影响。结果表明:引入空气柱后,通过改变空气柱的半径及其在波导中的位置,能使其透射特性产生显著的变化。在归一化频率>0.26的高频段,透射率迅速降低;空气柱半径越大、越靠近入射源,透射率越小。通过数值模拟对计算结果进行了验证

借助保护层的取样光栅的制作方法

一种借助保护层的取样光栅的制作方法，包括:在衬底上依次生长缓冲层、下波导层、有源区、上波导层和保护层;在保护层之上，均匀地涂上一层光刻胶，借助于取样光栅光刻版，在光刻胶上曝光出需要制作光栅的区域;将曝光后的结构进行选择性腐蚀;去除剩余的光刻胶，并清洗，将半导体波导结构再涂上一层均匀的光刻胶，并对其进行全息曝光，使光刻胶上印制出光栅轮廓，然后显影;对半导体波导结构进行离子刻蚀，然后再用腐蚀液修整光栅形貌，此时光栅间隔地周期性地制作于保护层和上波导层之上;对半导体波导结构进行选择性腐蚀，将剩余的保护层腐蚀掉，从而在上波导层上获得完整的取样光栅

单片集成电吸收调制分布反馈激光器

提出一种选择区域外延双有源区叠层(SAG-DSAL)结构新技术,基于此技术设计研制了单片集成电吸收调制激光器(EML),SAG-DSAL-EML管芯的阈值电流为20 mA,工作电流为100 mA时的出光功率为10 mW,由吸收调制器(EAM)加-3 V偏压时的消光比为12 dB,实现了简化制作工艺并提高器件性能的预期目的,有望用于规模化生