一种新型核级FeCrAl合金的离子辐照行为

采用400 keV的Fe+离子在400℃下对一种新型核级Fe13Cr4Al合金进行了辐照,利用透射电镜（TEM）和纳米显微硬度仪分析及测试了其辐照前后的微观结构和硬度值。结果表明:Fe+离子辐照在合金基体中形成了大量位错环而未形成明显尺寸的空位团。随辐照剂量的增加,位错环尺寸不断增大,位错环体密度先增加,后趋于饱和,数值稳定在3.1×1022 /m3。辐照未使合金基体非晶化,但导致Laves析出相发生非晶化转变。随辐照剂量的增加,析出相中Nb、Mo、Ta和Cr 4种元素的含量呈减少趋势,而Si的含量却逐渐增加。在60～100 nm深度范围发生明显辐照硬化现象,临界深度值hc=100 nm。辐照硬化值与辐照剂量呈幂函数关系:ΔHIrr=0.4288（d）0.2311;而与微观组织参量（ND）0.5呈正相关:ΔHIrr=55.36（ND）0.5。国家自然科学基金(U1867201,U1832112);;\n厦门大学能源学院发展基金(2018NYFZ01

微量硼掺杂非晶硅的瞬态光电导衰退及其光致变化

利用EG&G的瞬态分析测试仪对微量硼掺杂的高氢烯释非晶硅薄膜的瞬态光电导作了测量，并研究了长时间曝光处理对瞬态光电导的影响。发现薄膜的瞬态光电导衰退可以用双指数函数来拟合，说明在样品的光电导衰退过程中有两种陷阱在起作用，估算了陷阱能级的位置。曝光处理后样品的光电导和暗电导不仅没有下降，而且还有所上升，薄膜的光敏性有所改善。很可能曝光过程引起了硼受主的退激活，导致费米能级向导带边移动，使有效地复合中心减少，样品的光电导上升

快速热退火和氢等离子体处理对富硅氧化硅薄膜微结构与发光的影响

采用micro-Raman散射、傅里叶变换红外吸收谱和光致发光谱研究了快速热退火及氢等离子体处理对等离子体增强化学气相沉积法200 ℃衬底温度下生长的富硅氧化硅（SRSO）薄膜微结构和发光的影响。研究发现在300-600 ℃范围内退火，SRSO薄膜中非晶硅和SiO_x:H两相之间的相分离程度随退火温度升高趋于减小；而在600-900 ℃范围内退火，其相分离程度退火温度升高又趋于增大；同时发现SRSO薄膜发光先是随退火温度的升高显著加强，然后在退火温度达到和超过600 ℃后迅速减弱；发光峰位在300 ℃退火后蓝移，此后随退火温度升高逐渐红移。对不同温度退火后的薄膜进行氢等离子体处理，发光强度不同程度有所增强，发光峰位有所移动，但不同温度退火样品发光增强的幅度和峰位移动的趋势不同。分析认为退火能够引起薄膜中非晶硅颗粒尺度、颗粒表面结构状态以及氢的存在和分布等方面的变化。结果表明不仅颗粒的尺度大小，而且颗粒表面的结构状态都对非晶硅颗粒能带结构和光生载流子复合机理发挥重要影响