纪念五四宪法颁布暨全国人民代表大会成立五十周年理论研讨会纪要

今年 9月是五四宪法颁布、全国人民代表大会成立五十周年。五四宪法是新中国的第一部宪法 ,为我国的社会主义民主法制奠定了基础 ,具有划时代的意义。坚持和完善人民代表大会制度 ,是新的历史条件下推进政治体制改革和社会主义政治文明建设的重要内容。基于“以学术表达纪念、以纪念促进学术”的目的 ,中国社会科学院法学研究所于 2 0 0 4年 9月 5日举办了“纪念五四宪法颁布暨全国人民代表大会成立五十周年理论研讨会”。来自全国各地的 70余位代表莅临会议 ,研讨了诸多热点和前沿问题

不同温度下离子注入研究316L不锈钢中氦泡的形核与生长

鉴于在较低温区（<600 ℃）金属中氦泡形核生长的实验数据尚缺乏，我们安排了在400 ℃、500 ℃ 下用2.5MeV He~+离子注入316L 不锈钢（固溶样和冷轧样）的实验，剂量2.5 * 10~(21)ions·m~(-2)，剂量率3.4-3.6 * 10~(16)ions·m~(-2)·s~(-1)。由于在透射电镜（TEM）观测中采用横断面制样技术，得到了各样品中He泡深度分布的信息。分析表明实验结果与He泡的双原子形核模型的预言一致；He泡的迁移合并机制不显著，这与实验测得He泡中存在极高的原子密度相对应。固溶样品的离位损伤峰区发生了大量空位向He泡的凝聚从而加速了He泡生长。位错的存在显著增强了He泡的形核并抑制了空位的凝聚，并且这种作用在较低温度下更加显

碳化硅中惰性气体离子辐照引起缺陷的研究

综述了有关碳化硅材料中惰性气体离子引起辐照缺陷研究的进展。包括借助多种方法对氦离子辐照的碳化硅中氦泡集团形成的剂量阈值的实验研究,基于过冷固体假设对氦泡阈值的理论解释,不同剂量氦泡的两种形态及其机理的研究,以及重惰性气体离子(Ne,Xe)辐照下缺陷演化的特点

聚变堆候选金属材料的惰性气体离子辐照损伤的研究

综述了有关核聚变反应堆材料的辐照损伤问题的研究,主要包括国产316L奥氏体不锈钢中氦的扩散与氦泡形核生长的研究、316L及低活化FeCrMn合金的高能Ar离子辐照缺陷与空洞肿胀的研究、近期开展的低活化马氏体钢和氧化物颗粒弥散强化合金的高能Ne离子辐照损伤和效应的研究成果

金属掩模套版及使用方法

<div style="text-indent: 0px;"> <span style="text-indent: 24px;">&nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp; &nbsp;</span><span style="color: rgb(69, 69, 69); font-family: Arial, Helvetica, sans-serif; line-height: 21px; text-indent: 24px;">本发明涉及一种适用于新材料电子器件制作模板及模板的使用方法。一种金属掩模套版，包括掩模后挡板，还包括有用于测试各向异性材料的霍尔效应和电阻率的第一欧姆接触电极图形掩模板、用于测试各向同性材料的霍尔效应和电阻率的第二欧姆接触电极板、用于分析材料的电容电压特性的绝缘层图形掩模板和用于制作肖特基电极的肖特基接触电极图形掩模板。本发明还提供一种以上所述的金属掩模套版的使用方法。本发明的优点是：金属掩模套版结构简单，操作方便快捷，一次就可以在小尺寸样品上生长一批电极样品器件，同时能够方便高效的获得需要的器件尤其适合于材料辐照改性的研究。</span></div

Optical properties revealing annealing behavior of high-temperature He-implantation induced defects in silicon carbide

6H-SiC single crystal specimens were implanted at 600 K with 100 KeV He ions to three successively increasing fluences and subsequently annealed at different temperatures ranging from 600℃ to 1200℃ in vacuum.After the annealing,the samples were investigated by using Raman scattering spectroscopy and photoluminescence spectrometry,respectively.Both of the two methods showed that the damage induced by helium-ion-implantation in the lattice is closely related to the dose.The thermal annealing brings about reco...中文摘要：对氦(He)离子高温(600K)注入6H-SiC中的辐照缺陷,在阶梯温度退火后演化行为的拉曼光谱和室温光致发光谱的特征进行了分析.这两种方法的实验结果表明,离子注入所产生晶格损伤的程度与注入剂量有关;高温退火导致损伤的恢复,不同注入剂量造成的晶格损伤需要不同的退火温度才可恢复.在阶梯温度退火下呈现出了点缺陷的复合、氦-空位团的产生、氦泡的形核、长大等特性.研究表明:高温(600K)注入在一定剂量范围内是避免注入层非晶化的一个重要方法,为后续利用氦离子注入空腔掩埋层吸杂或者制备低成本、低缺陷密度的绝缘层上碳化硅(SiCOI)材料提供了可能

Surface Disorder of GaN Irradiated by Highly Charged Arq+-Ions

Surface damage of gallium nitride films irradiated by Arq+ (6 ≤ q ≤ 16) ions at room temperature is studied by the atomic force microscopy. It is found that when charge state exceeds a threshold value, significant swelling was turned into obvious erosion in the irradiated region. The surface change of the irradiated region strongly depends on the charge state and ion fluence. On the other hand, surface change is less dependent on the kinetic energy nearly in the present experimental range (120 keV≤ Ek ≤ 220 keV). For q ≤ 14, surface of the irradiated region iscovered with an amorphous layer, rough and bulgy. A step-up appears between the irradiated and un-irradiated region. Moreover, the step height and the surface roughness are functions of the ion dose and charge state..