21世纪中国金融学教学改革与发展战略

国家教育部新世纪教改工程项目《21 世纪中国金融学专业教育教学改革与发展战略研究》, 目前已取得阶段性成果。2001 年8 月16 日至21 日, 承担该项目的中央财经大学、中国人民大学、厦门大学和复旦大学在青海省西宁市举行了成果交流和研讨会。项目主持人、中央财经大学副校长、金融学博士生导师王广谦教授主持了这次会议, 全国所有有金融学博士学位授权点的高校和科研院所都有代表出席大会, 用主持人的话来说, “全国金融学界顶尖级人物基本上都到了”。出席会议的还有教育部高等教育司刘凤泰副司长和杨志坚处长。与会专家学者回顾了近20 年国内外金融业的迅猛发展, 分析了在21 世纪随着经济全球化、金融国际化对我国经济金融带来的机遇和挑战, 以及对我国金融研究、金融学科建设和人才培养带来的冲击,大家认识到, 经过20 年的改革开放和发展, 目前我国在这些领域虽有长足的进步, 但仍远远不能适应形势发展的要求。要想把我国金融学科建设成国际一流学科, 培养出一流的高素质金融专业人才, 还必须进行一系列改革与创新。与会专家教授根据各自的教学实践, 提出了许多具有建设性的意见。研讨会上发言踊跃、气氛热烈, 不时出现不同观念的碰撞和不同观点的交锋, 对推进金融学科建设十分有益。下面将著名专家教授颇具代表性的观点( 按发言顺序) 择要摘发, 以飨读者, 以推动中国金融学科的建设与繁荣

铝含量对超塑性锌铝合金腐蚀行为的影响

通过比较不同Al含量的超塑性Zn-Al合金在模拟酸雨溶液中的腐蚀行为，系统研究了超塑性Zn-Al合金在酸雨环境中的腐蚀行为。结果表明，Zn-Al合金在模拟酸雨溶液中发生的腐蚀行为与其显微组织有关。富Al相优先腐蚀，然而，随着合金中Al含量的提高富Al相增多，合金的腐蚀速率反而下降。这是因为ZA4合金与ZA8合金晶界上分布有不连续的富Al相，腐蚀产物不致密，腐蚀坑逐渐向纵深方向发展，腐蚀速率相对较高。而ZA12合金与ZA16合金存在连续分布的富Al相，其表面形成致密的腐蚀产物膜，能有效阻碍反应的进行

NdFeB永磁材料腐蚀与防护研究进展

"NdFeB 永磁材料的应用范围不断拓广，对表面防护技术提出更多新要求。介绍了NdFeB 永磁材料 腐蚀过程以及NdFeB 磁体因表面处理过程产生损伤的机理的最新研究进展，同时也介绍了我们在复合电镀、复 合化学镀、磷化、物理气相沉积铝镀等技术研究及产业化方面的进展。

protection technology of ndfeb magnet materials: characteristics, applications and problems

烧结钕铁硼(NdFeB)磁体耐蚀性差,须对其表面进行防护处理.国内钕铁硼表面防护技术面临的问题主要有:工业规模生产质量的一致性和稳定性差,新镀层、新镀种的研发速度无法跟上稀土磁体应用技术的发展,原材料上涨,镀层环保要求,污染治理,等.对现有技术进行改进优化,同时根据应用的需求开展新镀种的研发具有重要意义.对钕铁硼磁体表面防护技术的现状和问题作了一定程度的分析,在此基础上提出研究开发所应关注的问题

钕铁硼材料纳米复合镀层制备方法

一种钕铁硼材料纳米复合镀层制备方法，其特征在于包括如下步骤：①样品表面的 预处理；②分别配置基础镀液和复合纳米镀液，复合纳米镀液制备是将基础镀液、纳米 粉末及分散剂混合后经过搅拌和球磨制得；③封孔施镀：取预处理完毕的样品在基础镀 液中施镀；④纳米施镀：取封孔施镀完毕的样品在复合纳米镀液中且保证纳米粉末始终 处于良好分散的状态下施镀。与现有技术相比，本发明的优点在于：采用两步施镀法， 首先以传统镀液施镀，有利于减少镀层的孔隙率，提高基层与镀层的结合力，而之后的 以纳米复合镀液施镀，有利于提高复合镀层的耐蚀和耐磨性能

钕铁硼永磁材料表面防护技术：特点·应用·问题

烧结钕铁硼(NdFeB)磁体耐蚀性差，须对其表面进行防护处理 国内钕铁硼表面防护技术面临的问题主要有：工业规模生产质量的一致性和稳定性差，新镀层、新镀种的研发速度无法跟上稀土磁体应用技术的发展，原材料上涨，镀层环保要求，污染治理，等。对现有技术进行改进优化，同时根据应用的需求开展新镀种的研发具有重要意义。对钕铁硼磁体表面防护技术的现状和问题作了一定程度的分析，在此基础上提出研究开发所应关注的问题

Cu-Al-Be合金逆马氏体相变过程中内耗的等温变化研究

本文研究了Cu-Al-Be合金等温逆马氏体相变过程中内耗的变化规律。研究发现，在相变温区，样品内耗值随等温时间的延长而有规律地下降。我们认为，这一现象是由于晶体内部缺陷运动引起的。在等温过程中，点缺陷向界面偏聚，逐渐限制界面移动，引起内耗的下降。本文研究了Cu-Al-Be合金等温逆马氏体相变过程中内耗的变化规律。研究发现，在相变温区，样品内耗值随等温时间的延长而有规律地下降。我们认为，这一现象是由于晶体内部缺陷运动引起的。在等温过程中，点缺陷向界面偏聚，逐渐限制界面移动，引起内耗的下降