一种半导体特性参数综合测试设备

本实用新型提供一种半导体特性参数综合测试设备，涉及半导体性能测试领域，包括光源、光学探测系统、电学系统、磁学系统以及控制系统，所述光学探测系统、电学系统、磁学系统均可通过通讯接口连接至控制系统，所述光学探测系统、电学系统、磁学系统任意两者之间可通过控制系统实现切换。本实用新型的积极效果在于虽然将独立模块有机结合到了一起，不仅能独立进行测试，还能进行耦合测试，从而大大拓展了测试的模式和能力

In组分对InGaN/GaN蓝光LED的发光性质的影响

<span>利用扫描透射电子显微术(STEM)和变温光致发光光谱(PL)研究了In组分对InGaN/GaN蓝光LED的发光的影响。STEM发现两个样品量子阱结构相同,低温PL显示低In组分的样品的发光峰位随着温度的升高呈现出经典S(Red-Blue-Red)曲线。目前普遍认为蓝移是In组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因,然而实验发现高In组分没有出现峰位蓝移,产生这一异常现象的原因主要是因为高In组分造成的势起伏较大,在80K～160K条件下造成很大的热势垒,从而阻碍了载流子从强束缚局域态向弱束缚局域态的跃迁。同时,在高温段160K～300K载流子的带填充过程在峰位蓝移方面起主要作用。这是由于高In样品的量子限制效应较低In组分的明显,导致高温段峰位整体红移减小。&nbsp;</span

同时测量LED中衬底温度和器件层温度的方法

一种同时测量LED中衬底温度和器件层温度的方法,包括如下步骤:提供一LED结构,所述LED结构包括衬底及其表面的器件层;提供一激发光,聚焦入射在衬底靠近器件层一侧的表面上,同时激发得到衬底和器件层的拉曼光谱特征峰;根据衬底和器件层的拉曼光谱特征峰的频率值,计算衬底和器件层的温度。本发明的优点在于,通过采用一聚焦的竖直空间分辨率大于有源区的厚度的聚焦激光束来同时测定有源区和衬底的拉曼光谱特征峰,从而计算出两者在同一时刻的温度值,为研究LED散热问题提供直接的测量手段

The electrical properties of bulk GaN crystals grown by HVPE

The electrical properties of high-quality bulk GaN crystals grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) were investigated. The series of samples were sliced from the same bulk crystal grown by HVPE. The crystal quality of the samples was characterized by the cathode luminescence (CL) and high resolution X-ray diffraction measurements (HRXRD), the evaluated dislocation density ranges from 2.4 x 10(6) cm(-2) to 2.3 x 10(5) cm(-2). The temperature-dependent Hall measurements were conducted and the results were analyzed theoretically. The results suggest that with low dislocation density (<= 10(6) cm(-2)) and low carrier concentration (<= 10(17) cm(-3)), the impurity concentration should play an important role in the electrical properties. With the impurity concentration decreasing, the hall mobility increases from 619 to 1160 cm(2)/(V s), and the carrier concentration decreases from 5.42 x 10(16) cm(-3) to 1.31 x 10(16) cm(-3). (C) 2015 Elsevier B.V. All rights reserved

多层材料的减薄装置及减薄待测样品的方法

本发明提供多层材料的减薄装置及减薄待测样品的方法，属于半导体测试领域。装置包括反应腔室、原子力显微镜、电子显微镜和样品台，样品台、原子力显微镜、电子显微镜均位于反应腔内；所述减薄待测样品的方法步骤为：将一样品置于反应腔室内；测量待测样品的第一裸露表面的第一接触电势差V1；移开原子力显微镜的导电探针；刻蚀第一裸露表面一深度X，露出第二表面；测量待测样品的第二裸露表面的第一接触电势差V2；比较V1与V2大小，判断是否继续刻蚀。本发明解决了现有技术无法进行精确解剖的问题，本发明做到精确解剖异质结器件，对半导体器件的制备和性质研究有重要意义

材料表面局部光谱测量装置及测量方法

本发明提供材料表面局部光谱测量装置及测量方法，属于半导体测试技术领域。装置包括反应腔、光源和光谱仪，光源和光谱仪均与反应腔相连，反应腔又包括第一真空腔、第二真空腔、真空阀门、真空传递装置、聚焦离子束刻蚀装置和光路耦合装置；其方法步骤为：将待测样品置于样品台上；关闭真空阀；将探针插入至第一针尖台；去除探针的污染物和氧化物；对探针刻蚀，形成天线结构；打开真空阀；将探针从第一针尖台传递并插入至第二针尖台；关闭真空阀；测量待测样品的表面光谱。本发明解决了针尖在刻蚀加工和使用之间的传递过程中的表面的污染和氧化，扩展了用于针尖镀膜的金属材料的选择范围

材料界面的原位加工测试装置

本发明提供材料界面的原位加工测试装置，属于半导体测试技术领域。测试装置包括一第一真空腔室、一第二真空腔室、一真空管、一光路耦合装置和一传递装置；第一真空腔室与第二真空腔室通过真空管相连；真空管包括一真空阀门，用于控制第一真空腔室与第二真空腔室的连通和隔绝；光路耦合装置和第二真空腔室连接；传递装置用于在第一真空腔室和第二真空腔室连通时传递样品和探针。本发明解决了纳米材料在加工和测试之间的传递过程中的表面的污染和氧化，实现室温和低温下的局域电学、光学和光电表征，以及原子级分辨率的表面形貌和表面结构表