The Design of intelligent warehouse and real-time distribution system

以制造企业的库房仓储及物料配送环节为研究对象，面向信息化与智能化程度不高，数据采集的处理效率低下，上层业务作业滞后等问题，设计了智能仓储及实时配送系统。根据对系统中的各业务功能分析，通过对立体货柜、工业机器人、传送带、(自动导引小车)AGV、各类传感器等硬件设备的集中控制，实现物料的出入库操作及物料配送的自动化，集成应用仓储环境中具备的硬件设施和外部ERP接口，实现了对业务数据的快速提取工作，加快了上层业务的运作效率。信息流和实体流在时间上和空间上达到同步，成功地实现了仓库存储及配送过程的信息化、自动化和智能化改造

Linking Method for Additive Manufacturing of Lattice Structure Components

旨在提高点阵结构部件增材制造的加工效率。点阵结构经分层切片后,每层将产生大量待填充多边形,通过将这些多边形抽象为离散点,并在切片层面内求解旅行商问题,进行连接路径的规划,进而获得高效率的点阵模型填充路径。算法综合考虑到旅行商问题的计算效率以及连接路径的计算总长:采用蚁群算法可获得无交叉连接轨迹,计算2000个点的连接规划耗时小于3.5s,对照国际先进算法仅增加0.2%的路径总长;当部分抽象点距离过远,则采用距离聚类的方式将抽象点集分割为子集,再分别进行路径规划。仿真及试验验证结果表明,该方法可以获得高效的无交叉连接路径,有效降低连接路径总长及加工时间:总打印时间减少17.52%,总连接长度减少17.38%,满足实际增材制造需求。</p

GaAs／AlxGa_（1－x）As量子阱电极／非水溶液界面性能的研究

用阻抗谱研究了晶格匹配型单、多量子阱ＧａＡｓ／Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ电极在二茂铁乙腈溶液中的界面性能．得到了空间电荷层电容及表面态电容与电极电位的依赖关系．空间电荷电容与量子阱电极的结构有关，而表面态电容则决定于电极的表面性质如表面氧化层及二茂铁的吸附．分析和讨论了表面态的能级，密度的分布，来源和作用．作者联系地址：中国科学院感光化学所，中国科学院半导体研究

晶格匹配型GaAs／Al_xGa_（1－x）As量子阱电极光电转换性能的研究

研究了晶格匹配型GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱电极在非水溶液中的光电转换性能,以及电极结构参数(如阱宽、外垒厚度,量子阱周期)对其光电转换性能的影响,并设计生长了量子产率可比GaAs电极高3倍的变阱宽多周期新型结构的量子阱电极

GSMBE生长的高质量氮化镓材料

使用NH_3作氮源，采用GSMBE方法在(0001)Al_2O_3衬底上生长出了高质量的GaN单晶外延膜。1.2μm厚的GaN外延膜的(0002)X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽为6'，室温电子迁移率为300cm~2(V·s),背景电子浓度约为3×10~(17)cm~(-3)

NH_3-MBE生长极化场二维电子气材料

介绍了用NH_3-MBE技术在蓝宝石C面上外延的高质量的GaN单层膜以及GaN/AlN/GaN极化感应二维电子气材料。外延膜都是N面材料。形成的二维电子气是“倒置二维电子气”。GaN单层膜的室温电子迁移率为300cm~2/Vs。二维电子气材料的迁移率为680cm~2/Vs(RT)和1700cm~2/Vs(77K)，相应的二维电子气的面密度为3.2×10~(13)cm~(-2)(RT)和2.6×10~(13)cm~(-2)(77K)

RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料

用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料。所外延的GaN膜室温背景电子浓度为2×10~(17)cm~(-3)，相应的电子迁移率为177cm~2/(V·s);GaN(0002)X射线衍射摇摆曲线半高宽(FWHM)为6'；AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为730cm~2(V·s)，相应的电子气面密度为7.6×10~(12)cm~(-2)；用此二维电子气材料制作的异质结场效应晶体管(HFET)室温跨导达50mS/mm(栅长1μm)，截止频率达13GHz(栅长0.5μm)