专题:中国非正规经济(下)

李明欢以非正规雇佣为主要内涵的非正规经济之所以能够在跨国领域大行其道,根源之一在于全球化正如同由跨国资本把握方向盘的巨型“压路机“,力图突破一切不利于其扩张之国境边界,朝着政治和

Advance in Study on the Ecotoxicological Effect of Microcystins against Microorganisms

微囊藻毒素是一类由蓝藻产生的具有肝毒性的环状肽类化合物,是富营养化淡水水体中最常见的藻类毒素,也是蓝藻水华污染过程中产量最大、危害最严重的藻毒素种类.论文根据微囊藻毒素对微生物(包括微型浮游植物、细菌、真菌)生态毒理学效应最新的研究进展,简要综述了微囊藻毒素的产生、理化性质以及对微生物的毒性效应,并对此研究领域进行了展望

有机磷细菌的分离鉴定及其对MC-RR的响应

从云南滇池水样中分离出具有解磷能力的有机磷细菌P-2,并利用现代分子生物学技术进行了初步鉴定.用0.01、5mg·L-1微囊藻毒素(MC-RR)处理有机磷细菌P-2,研究了MC-RR对其生长、细胞内酸碱磷酸酶活性(ACP和AKP)以及培养液中可溶性磷酸盐含量的影响.结果表明,高浓度MC-RR能显著抑制有机磷细菌的生长,延缓其细胞增殖,抑制细胞内酸碱磷酸酶活性以及培养液中可溶性磷酸盐含量的升高,因而可能改变或减缓生态系统中磷循环的进程,这表明微囊藻毒素在一定程度上可能调节水体细菌功能群落.

微囊藻毒素对微生物的生态毒理学效应研究进展

微囊藻毒素是一类由蓝藻产生的具有肝毒性的环状肽类化合物,是富营养化淡水水体中最常见的藻类毒素,也是蓝藻水华污染过程中产量最大、危害最严重的藻毒素种类.论文根据微囊藻毒素对微生物(包括微型浮游植物、细菌、真菌)生态毒理学效应最新的研究进展,简要综述了微囊藻毒素的产生、理化性质以及对微生物的毒性效应,并对此研究领域进行了展望

微囊藻毒素-RR对大肠杆菌和枯草杆菌的渗透效应

微囊藻毒素是一类由蓝藻产生的具有肝毒性的环状肽类化合物,是富营养化淡水水体中最常见的一种藻类毒素,也是蓝藻水华污染过程中产量最大、危害最严重的藻毒素种类.本文研究了微囊藻毒素MC-RR对大肠杆菌(Escherichia coli)和枯草杆菌(Bacillus subtilis)细胞膜的渗透效应,采用MC-RR和溶菌酶协同处理下由于细胞溶解而引起吸光值A675的降低来表示.结果表明,A675值的降低随MC-RR处理浓度和时间的变化而变化,浓度越高,A675值降低越明显,由此表明,MC-RR的存在增加了细菌细胞膜对溶菌酶的渗透性,促进了溶菌酶的溶菌效应.更进一步的实验证明,MC-RR能促进细菌细胞内可溶性蛋白和可溶性糖的外渗量,并且具有一定的剂量效应.实验结果还进一步暗示,MC-RR和水环境中的其他化合物的复合效应或许能够调节水体中的细菌群落,MC-RR在水体生态系统中可能具有非常重要的生态学意义.

微囊藻毒素-RR对反硝化细菌生长及生理特性的影响

用0.01、5.00mg/L微囊藻毒素-RR(MC-RR)处理反硝化细菌,研究了MC-RR对反硝化细菌的生长、培养液中NO3--N和NO2--N含量以及细胞内硝酸还原酶活性的影响。结果表明,高浓度MC-RR能显著抑制反硝化细菌的生长,延缓其细胞增殖,抑制培养液中硝酸盐含量的降低和亚硝酸盐含量的升高以及细胞内硝酸还原酶的活性,因而可能抑制或减缓生态系统中氮循环的进程。这表明,微囊藻毒素在一定程度上可能调节水体细菌群落

The effect of microcystin-RR on the growth and physiological characteristics of denitrifying bacteria

用0.01、5.00 mg/L微囊藻毒素-RR(MC-RR)处理反硝化细菌,研究了MC-RR对反硝化细菌的生长、培养液中NO_3~--N和NO_2~--N含量以及细胞内硝酸还原酶活性的影响.结果表明,高浓度MC-RR能显著抑制反硝化细菌的生长,延缓其细胞增殖,抑制培养液中硝酸盐含量的降低和亚硝酸盐含量的升高以及细胞内硝酸还原酶的活性,因而可能抑制或减缓生态系统中氮循环的进程.这表明,微囊藻毒素在一定程度上可能调节水体细菌群落

低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响

为提高外延SiGe/Si HBT材料中Si发射极的生长速率，研究了Si_2H_6预热温度对Si生长速率的影响，结果表明在一很窄的温区内，Si的生长速率提高了一倍，进一步升温Si的生长速率迅速下降。用四极质谱仪对低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解过程进行了研究，对该现象做了解释

GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术

在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制，建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术。采用该技术生长的SiGe/Si HBT外延材料，可将硼杂质较好地限制在SiGe合金基区内，并能有效地提高磷烷对N型掺杂的浓度和外延硅层的生长速率，获得了理想N,P型杂质分布的SiGe/Si HBT外延材料