掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法

一种掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法，包含以下步骤：步骤1：选用一衬底，并在金属有机化学气相外延设备的反应室中对衬底进行高温氮化处理；步骤2：用氢气或者氮气作为载气，在衬底上生长一低温III族氮化物缓冲层，该缓冲层的作用是用来提高InN纳米棒的晶体质量和形貌；步骤3：用氮气作为载气将含铟源、锌源的金属有机化合物和氨气通入到反应室，在氮化镓缓冲层上制备生长InN纳米棒，在InN纳米棒顶端同时生成金属In小球；步骤4：关闭铟源和锌源，反应室温度降到350℃以下关闭氨气，继续通氨气的作用是抑制InN材料的高温热分解；步骤5：降温，反应室温度由350℃降至室温后，将样品取出

一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法

本发明公开了一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法，包括：选用一衬底，并在金属有机化学气相外延设备的反应室中对衬底进行高温氮化处理；用氮气作为载气将含铟源、镓源的金属有机化合物和氨气通入反应室，在氮化后的衬底上生长InGaN薄膜；关闭铟源和镓源，反应室温度降到300摄氏度以下关闭氨气，继续通入氨气的作用是抑制InGaN材料的高温热分解；降温，反应室温度由300摄氏度降至室温后，将样品取出。本发明利用衬底应力调制，无需缓冲层，有效提高了In组分并入的方法制备高质量的富In组分InGaN薄膜材料

利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法

本发明公开了一种利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法，包括：步骤1：取一衬底；步骤2：采用MOCVD法生长非极性A面ZnO缓冲层；步骤3：采用MOCVD方法，通入铟源和氮源，在该非极性A面ZnO缓冲层上生长非极性A面InN薄膜；步骤4：关闭铟源，并在反应室温度降到300摄氏度以下关闭氮源，完成A面非极性InN薄膜的生长。本发明利用A面ZnO作为缓冲层以降低外延失配度，可以获得高质量的非极性A面InN薄膜，该方法可应用于高速微电子器件、发光二极管和太阳能电池中

艾滋病毒重组抗原及第三代艾滋病毒抗体EIA诊断试剂盒的研制

近年来中国的艾滋病毒(HIV)感染人数以每年30％的速度增长,HIV感染者总数已超过60万人,感染者已从吸毒人员、献血员等高危人群扩展到社会各个阶层,我国已处于艾滋病泛滥前的关键时期。HIV诊断试剂盒是HIV防制工作中最重要的技术工具。用于人群筛检的HIV诊断试剂盒已历经三代,第一代试剂盒主要使用来自细胞培养的HIV病毒的裂解产物作为抗原;第二代产品使用基因工程重组抗原和/或人工合成肽作为抗原,使包被抗原中免疫优势区的比例明显增强,从而提高了试剂的灵敏度,而且标准化生产的相对更纯的抗原的使用使试剂的特异性和重复性均大为提高。前两代试剂均采用间接法原理,即先以抗原包被聚丙乙烯板,再加入待检血清,最后加入酶标记的抗人Ig