A Study of the Construction Status of Archaeological Site Parks in China——Case Analysis of the First Batch of National Archaeological Site Parks of China

我国考古遗址公园建设工作开始于20世纪80年代前后，多年来政府出台了不少扶持政策并在财政上给予一定的支持，2010年国家文物局公布我国首批国家考古遗址公园名单以之后，我国考古遗址公园建设工作开始进入较快的发展阶段。这些考古遗址公园发展的过程中存在着一些问题，也有值得借鉴之处。笔者通过搜集相关数据及资料并作比较详细深入的分析，初步归纳总结出我国首批国家考古遗址公园在建设工作中依然存在一些具体问题。譬如考古遗址公园的考古研究工作开展不到位导致相应的规划编制和实施工作不能及时进行，而国内从事规划编制工作的单位的专业水平又相对有限，再加上政府政策和财政上的不支持等都制约了我国考古遗址公园建设工作的健康...Our archaeological site park construction work began in the 1980s after years government introduced many policies to support and finance to give some support, the 2010 National Cultural Relics Bureau announced the list of China's first batch of National Archaeological Site Park in, China's archaeological site park construction work started into the rapid development stage. There are some problems ...学位：文物与博物馆硕士院系专业：人文学院_文物与博物馆硕士学号：1032013115234

2D/3D级联卷积在分割CT肺动脉上的应用研究

医学影像分割是计算机辅助诊断的重要组成部分。针对CT影像的三维特性,提出了一种基于2D/3D级联卷积的Unet网络结构用来分割肺动脉。该结构相比基于传统2D卷积的方法,关联了第三维度信息,提高了分割准确度和泛化能力,相比基于传统3D卷积的方法提高了准确度和执行效率。实验对多套肺动脉增强CT数据集做了验证,分割准确率达到85.7%,高于传统2D和3D Unet网络,同时执行效率较3D Unet提高近30%,在CT影像分割上做到了效率和准确度的兼顾。国家自然科学基金(编号:61001144,61102137,61327001,61671399)~

一种利用时间编码控制权重和信息整合的方法

本发明公开了一种利用时间编码控制权重和信息整合的方法，该方法包括：利用树突电路实现权值的空间分布控制；利用树突电路实现特征参量与权值的对应关系；以及利用树突电路实现权值的时间分布控制。本发明利用输入信号在时间与空间分配的有机组合，实现了权重的动态分布控制，利用CMOS反相器的噪声容限特性来改变神经元电路的输出脉冲频率，使数字信号增加了模拟变化参量。利用本发明，有助于理解和模拟生物学神经元的信息处理的方式

基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路

本发明公开了一种基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路，该电路由树突电路、积分求和器和脉冲发生电路三部分依次连接构成。该脉冲耦合神经元电路的特点是输出和输入均为脉冲序列串，该电路的器件均为硅纳米线CMOS晶体管。树突电路由一组并联的P型纳米线MOS晶体管与一N型纳米线MOS晶体管通过漏端节点相串联而构成CMOS电路，P型纳米线MOS晶体管的源端输入脉冲电压信号；积分求和器由一电容C∑构成，该电容与树突电路中的P型与N型纳米线MOS晶体管的漏端节点相连接，积累加权电流形成触发电压信号；脉冲发生电路由偶数个串联的CMOS反相器与树突CMOS电路形成反馈回路，产生脉冲序列串输出，输出脉冲序列串的频率受到输入电压脉冲信号的调制

Properties and mechanism analysis of metal/Ge ohmic contact

金属与gE材料接触时界面处存在着强烈的费米钉扎效应,尤其与n型gE形成的欧姆接触的比接触电阻率高,是制约SI基gE器件性能的关键因素之一.本文对比了分别采用金属Al和nI与SI衬底上外延生长的P型gE和n型gE材料的接触特性.发现在相同的较高掺杂条件下,nIgE与n型gE可形成良好的欧姆接触,其比接触电阻率较Al接触降低了一个数量级,掺P浓度为2x1019CM-3时达到1.43x10-5·CM2.nIgE与P型gE接触和Al接触的比接触电阻率相当,掺b浓度为4.2x1018CM-3时达到1.68x10-5·CM2.nIgE与n型gE接触和Al电极相比较,在形成nIgE过程中,P杂质在界面处的偏析是其接触电阻率降低的主要原因.采用nIgE作为gE的接触电极在目前是合适的选择.Large contact resistance due to Fermi level pinning effect at the interface between metal and n-type Ge strongly restricts the performance of Ge device on Si substrate.In this paper, the contacts of metal Al and Ni with n-type Ge and p-type Ge epitaxial layers grown by UHV/CVD are comparatively studied.It is found that the contact of NiGe/n-Ge is better than that of Al/n-Ge at the same dopant concentration.When the concentration of P is 2×1019 cm-3 , the ohmic contact of NiGe/n-Ge with ρc down to 1.43×10-5·cm2 is demomstrated, which is about one order of magnitude lower than that of Al/n-Ge contact.The specific contact resistance of NiGe/p-Ge is 1.68×10-5·cm2 when the B concentration is 4.2×1018 cm-3 , corresponding to that of Al/p-Ge.Compared with Al/n-Ge contact, P segregation at the interface between NiGe and Ge, rather than lowering Schottky barrier height, is the main reseaon for achieving the low specific contact resistance.NiGe/Ge contact should be a good choice for contact electrode for Ge devices at present.国家重点基础研究发展计划(批准号:2012CB933503;2013CB632103); 国家自然科学基金(批准号:61036003;61176092); 中央高校基本科研业务费(批准号:2010121056)资助的课题~