Дослідження напівпровідникового твердого розчину Ti1-xMoxCoSb

The effect of doping of the TiCoSb compound (MgAgAs structure type) by Mo atoms on the features of the structural characteristics and behavior of the electrokinetic, energetic and magnetic properties of the Ti1-xMoxCoSb semiconducting solid solution (х = 0 - 0.06) in the temperature interval 80 - 400 K was studied. It was shown that including of Mo atoms (rМо= 0.140 nm) in the ToCoSb structure by substitution of Ti atoms (rТі= 0.146 нм) in 4a position is accompanied with non-monotonous variation of the lattice parameter values а(х), indicating unpredictable structural changes. Based on analysis of the variation of the electric resistivity values, thermopower coefficient, magnetic susceptibility and energetic characteristics, it was concluded that simultaneous generation in the crystal of the structural defects of the donor and acceptor nature (donor-acceptor pairs), which generate corresponding energy levels in the band gap of semiconductor and determine its electrical conductivity.Досліджено вплив легування сполуки TiCoSb (структурний тип MgAgAs) атомами Мо на особливості структурних характеристик та поведінку кінетичних, енергетичних та магнітних властивостей напівпровідникового твердого розчину Ti1-xMoxCoSb (х = 0 - 0,06) в інтервалі температур 80 - 400 К. Показано, що уведення атомів Мо (rМо = 0,140 нм) до структури сполуки ТiCoSb шляхом заміщення у позиції 4а атомів Ті (rТі = 0,146 нм) супроводжується немонотонною зміною значень періоду елементарної комірки а(х), вказуючи на непрогнозовані структурні зміни. На основі аналізу зміни значень питомого опору, коефіцієнта термо-ерс, магнітної сприйнятливості та енергетичних характеристик зроблено висновок про одночасне генерування у кристалі структурних дефектів донорної та акцепторної природи (донорно-акцепторні пари), які породжують відповідні енергетичні рівні у забороненій зоні напівпровідника та визначають його електропровідність

Дослідження напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb. I. Особливості електрокінетичних характеристик

The peculiarities of the temperature and concentration characteristics of resistivity and thermopower of V1-xTixFeSb semiconductor solid solution were investigated in the temperature and concentration ranges of T = 4.2 -400 K and Ті  ≈ 9.5·1019–3.6·1021 см-3 (х = 0.005 - 0.20), respectively. The existence of previously unknown mechanism for the generation of structural defects with donor nature which determined the conduction of n-VFeSb and V1-xTixFeSb was established. The acceptor type of structural defects generated in V1-xTixFeSb by substitution of V atoms by Ti ones was confirmed.Досліджено особливості температурних та концентраційних характеристик питомого електроопору та коефіцієнта термо-ерс напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb у діапазонах температур та концентрацій: Т = 4,2 – 400 К та Ті  ≈ 9.5·1019–3,6·1021 см-3 (х = 0,005–0,20). Встановлено існування невідомого раніше механізму генерування структурних дефектів донорної природи, які визначають провідність n-VFeSb та V1-xTixFeSb. Підтверджено акцепторну природу структурних дефектів, генерованих у V1-xTixFeSb, при заміщенні V атомами Ті

Investigation of structural, energy state and kinetic characteristics of RNiSb semiconductor (R = Gd, Lu)

The features of structural, energy state and kinetic characteristics of the p-GdNiSb and p-LuNiSb semiconductors were investigated in the temperature range T = 4.2-400 K. As example, in p-LuNiSb, the generating of structural acceptor defects as a result of the emergence of vacancies upto 6 % in the 4c positions of Ni (3d84s2) atoms and partial, up to 1.35 %, substitution of Ni (4c) atoms by Lu (5d16s2) ones was shown. Keywords: crystal structure, electronic structure, electrical conductivity, thermopower.</p

Features of Structural, Energy and Kinetic Characteristics of Hf_1-xEr_xNiSn Solid Solution

The features of structural, energy state and electrokinetic characteristics were investigated for Hf&lt;sub&gt;1-x&lt;/sub&gt;Er&lt;sub&gt;x&lt;/sub&gt;NiSn solid solution in the range: T = 80 – 400 K, x = 0 - 0.10. It was confirmed partly disorder crystal structure of HfNiSn compound as a result of occupation in the 4a crystallographic site of Hf (5d&lt;sup&gt;2&lt;/sup&gt;6s&lt;sup&gt;2&lt;/sup&gt;) atoms by Ni (3d&lt;sup&gt;8&lt;/sup&gt;4s&lt;sup&gt;2&lt;/sup&gt;) ones up to ~ 1 % that generates in the crystal structural defects of donor nature. It was shown that introduction of Er atoms ordered crystal structure (“healing” of structural defects). It was established mechanisms of simultaneous generation of structural defects as acceptors by substitution of Hf (5d&lt;sup&gt;2&lt;/sup&gt;6s&lt;sup&gt;2&lt;/sup&gt;) by Er (4f&lt;sup&gt;12&lt;/sup&gt;5d&lt;sup&gt;0&lt;/sup&gt;6s&lt;sup&gt;2&lt;/sup&gt;) atoms, and the donor nature defects as a result of the appearance of vacancies in the Sn (4b) atoms sites, which determines the mechanisms of conductivity for Hf&lt;sub&gt;1-x&lt;/sub&gt;Er&lt;sub&gt;x&lt;/sub&gt;NiSn.Keywords: crystal and electronic structures, conductivity, thermopower coefficient.</p

Investigation of Crystal and Electronic Structures Features of Hf1-xTmxNiSn Semiconductor Solid Solution

The features of structural, energy state and electrokinetic characteristics were investigated for Hf1 xTmxNiSn solid solution in the range: T = 80 - 400 K, x = 0 - 0.40. It was confirmed partly disorder crystal structure of HfNiSn compound as a result of occupation in the 4a crystallographic site of Hf (5d26s2) atoms by Ni (3d84s2) ones up to ~ 1 % that generates in the crystal structural defects of donor nature. It was shown that introduction of Tm atoms ordered crystal structure (“healing” of structural defects). It was established mechanisms of simultaneous generation of structural defects as acceptors by substitution of Hf (5d26s2) by Tm (4f135d06s2) atoms, and the donor nature defects as a result of the appearance of vacancies in the Sn (4b) atoms sites, which determines the mechanisms of conductivity for Hf1-xTmxNiSn. Keywords: crystal and electronic structures, conductivity, thermopower coefficient.</p