Experimental investigation of size effect on thermal conductivity for ultra-thin amorphous poly(methyl methacrylate) (PMMA) films

An investigation was conducted to determine whether a “size effect” phenomenon for one particular thermophysical property, thermal conductivity, actually exists for amorphous poly(methyl methacrylate) (PMMA) films with thicknesses ranging from 40 nm to 2 μm. This was done by using a non-contact, non-invasive, in-situ Transient Thermo-Reflectance (TTR) laser based technique. The results demonstrated that the intrinsic thermal conductivity of a 40 nm PMMA film deposited on native oxide of silicon increases by a factor of three over bulk PMMA values, and a distinct increase in the thermal conductivity of PMMA film was observed in ultra-thin (sub 100 nm) films. This confirmed the importance of film thickness for the through-plane thermal conductivity value of PMMA film on native oxide of silicon

Imagerie thermique et thermoélastique de circuits intégrés : application à l'analyse de défaillances

Ce travail décrit le développement d’une instrumentation en mesures thermiques et thermoélastiques pour l’analyse de défaillance sur circuits intégrés, il comporte trois parties : La première partie concerne des mesures interférométriques effectuées avec deux interféromètres, homodyne et hétérodyne. Ces interféromètres seront appliqués pour la détection de points chauds sur des circuits défaillants. La deuxième partie concerne des mesures thermiques effectuées en thermoréflectance. Deux bancs de mesure ont été développés : - le premier s’applique pour l’imagerie face avant. - le deuxième entièrement original, concerne l’imagerie large champ face arrière qui utilise une porte optique temporelle. La dernière partie concerne le développement d’une nouvelle approche pour les mesures de température et déplacement en utilisant la microscopie à balayage laser, avec une étude de résolution et sensibilité.This work describes the development of instrumentation in thermal and thermoelastic measurements for failure localisation and test diagnostic. It is divided in three parts: The first part is about interferometric measurements done with homodyne and heterodyne interferometers. Those interferometers were applied for defects localisation in failures ICs. The second part is about thermal measurements done with thermoreflectance. Two experimental benches were developed: - the first is applied for front side imaging - the second is a new technique applied for back side imaging, which is based on time gating. The last part of this work is about the development of a new approach for thermal and thermelastic measurements with the use of light scanning microscopy. It includes a study of the resolution and the sensitivity