Local optical and electrical characteristics of optoelectronic devices

Konverze solární energie a miniaturizace polovodičových součástek a s tím spojená životnost, spolehlivost a účinnost zařízení jsou základní premisy této práce. Práce je zaměřena na studium a nedestruktivní diagnostiku optoelektronických součástek, především solárních článků. Ty jsou výhodné pro studium především proto, že mají přístupný pn přechod blízko povrchu a obsahují značné množství nehomogenit. Vzhledem k rozměrům nehomogenit bylo ještě donedávna obtížné zkoumat jejich lokální fyzikální (tj. elektrické a optické) charakteristiky, které by umožnily lépe pochopit jejich chování. Vybudování vlastního měřicí pracoviště, které splňuje specifické požadavky pro oblast měření lokálního optického vyzařování a lokálně indukovaného proudu, umožnilo dosáhnout lokalizaci a detekci nehomogenit s rozlišením přibližně 100 nm. Jádrem práce je charakterizace nedokonalostí s využitím nedestruktivních technik, a to nejen z makroskopického hlediska, ale především v mikroskopickém měřítku s využitím sondové mikroskopie. Nedílnou součást práce tedy tvoří studium problematiky charakterizačních technik pro optoelektronické součástky, studium mikroskopických technik, především sondových a problematika zpracování naměřených dat. Pro účely mikroskopické charakterizace je použit mikroskop se skenující sondou v blízkém optickém poli, který kromě morfologie povrchu umožňuje zkoumat také lokální optické, optoelektrické a elektrooptické vlastnosti struktur ve vysokém prostorovém rozlišení. Z makroskopického hlediska jsou v rámci práce zkoumány vzorky s využitím techniky lokálně indukovaného proudu, voltampérových charakteristik vzorků, emise ze závěrně polarizovaných vzorků ale i jejich teplotních závislostí. Společným využitím těchto technik je možné lokalizovat defekty a nehomogenity struktury, které byly následně podrobeny kompozitní analýze a dále zobrazeny s využitím elektronové mikroskopie. Mezi konkrétní výstupy práce patří specifikace možností využití nedestruktivních charakterizačních technik pro studium optoelektronických součástek a zvláště pak pro klasifikaci jejich defektů. Dále jsou formou metodiky popsány experimentální charakterizační techniky a postupy charakterizace defektů. Klíčovým výstupem je katalog objevených typů defektů, ve kterém jsou ukázány konkrétní defekty vzorků a jejich lokální vlastnosti v mikroskopickém měřítku společně s popisem jejich vlivu na celý vzorek.Solar energy conversion, miniaturization of semiconductor devices and associated lifetime, reliability and efficiency of devices are the basic premise of this work. This work is focused on the study of optoelectronic devices especially solar cells and its nondestructive diagnostic. Solar cells are advantageous for study mainly because the pn junction is located near the surface and contains a lot of inhomogeneities. It has been difficult until recently to investigate their local physical (electrical and optical) parameters due to the size of inhomogeneities. Behavior of inhomogeneities can be well understood with knowledge of its local properties. Establishment of measurement workplace, that satisfies requirements for measurement of local emission and optically induced current measurement, allows us detection and localization of inhomogeneities with spatial resolution more or less 100 nm. The core of thesis is characterization of imperfection using nondestructive techniques in the macroscopic region but primarily in microscopic region using scanning probe microscopy. Integral parts of the work are characterization techniques for photoelectrical devices, microscopic techniques and data processing. Scanning near-field optical microscope is used for the purpose of microscopic characterization such as topography, local optical, photoelectrical and electrooptical properties of structures in high spatial resolution. Locally induced current technique, current voltage characteristics, emission from reversed bias pn junction measurement including its thermal dependence are used for samples investigation in macroscopical region. It is possible to localize defects and structure inhomogeneity using mentioned techniques. Localised defects are consequently analyzed for composition and measured using electron microscopy. Specific outputs of work are classification of photoelectric devices defects and specification of nondestructive characterization techniques used for defect detection. Experimental characterization techniques are described together with defects measurement procedures. The key output is the catalog of serious defects which was detected. Particular defects of samples are shown including describe of its properties and physical meaning.

Irradiation treatment of laryngeal cancer in a patient with an implantable cardioverter-defibrillator (ICD)

Background: Due to an aging population the incidence of both cardiac and tumor-related illnesses is increasing. A problem may arise if radiotherapy is necessary in close anatomic proximity to an implantable cardioverter-defibrillator (ICD). These highly precise devices may respond to ionizing radiation with a loss of function or uncontrolled stimulation, with both effects being potentially life threatening. Available guidelines recommend the dose maximum to a pacemaker to be cumulative below 2 Gy. For most patients undergoing radiation therapy of the neck or of the chest this limit is exceeded, thus making a removal of the device and an implantation of an external ICD necessary. Case Report: A patient with severe cardiac problems underwent an implantation of an ICD. However, a recurrence of a laryngeal cancer was diagnosed. The irradiation dose after resection was 60 Gy to the tumor region and 50 Gy to the lymph nodes. Irradiation peakload to the ICD was calculated to be 2.5 Gy. This dose was verified with thermoluminescence measurements. The ICD was externally deactivated during the sessions of irradiation. Device checks demonstrated no malfunction. Conclusion: Even though the dose limits of the ICD of 2 Gy were exceeded, the device demonstrated a regular function during and after radiotherapy

Risk analysis of soldering chips

Tato bakalářská práce se věnuje tématu pájení. V první části je popsána obecně technologie pájení - aplikace, materiály, pouzdra používaných součástek, postupy - se zaměřením na pouzdra typu BGA. Dále jsou popsány chyby, ke kterým u těchto pouzder dochází. Druhá část práce se věnuje risk-managementu - vysvětlení pojmů, popisu používaných nástrojů. V praktické části byla zpracována risk-analýza pájení BGA čipu v konkretním případě včetně porovnání hodnoty rizika s přijatým řešením problému a dále byla provedena experimentální studie vlivu teplotního profilu na správné zapájení BGA čipu.The subject of this bachelor's thesis is soldering. There is the description of the soldering technology in the first part - application, materials, packages of used components, process - with a view to BGA components. Also the thesis introduces to BGA defects. The second part of the thesis attend to risk management - terms explanation, description of used implemets. In the next part the risk analysis of soldering chips in concrete situation was proceesed - including the comparsion of the value of the risk with the accepted solution of the problem. Within the frame of practical part of the thesis the experimental study of thermal profile impact to error-free soldering was accomplished

Microscopic analysis of silicon solar cells defects

Tato bakalářská práce se zabývá detekcí defektů solárních článků pomocí elektroluminiscence, elektronového mikroskopu a následného 3D modelování defektních oblastí a struktury solárního článku. V textu jsou popsány základní metody pro detekci defektů vyskytujících se v solárních článcích. Také jsou zde popsány základní defekty, které se mohou objevit při jejich výrobě. Pro lepší orientaci je zde také popsán základní princip funkčnosti solárních článků a postup jejich výroby.This thesis deals with detection of defects solar cells using method electroluminescent, electron microscope and subsequent 3D modeling of areas with defects and structure of the solar cell. In the text are describe basic methods for detection of defects appearing in solar cells. Also some basic defects which can be made during manufacture are there describe. For better orientation the basic principle of functionality and manufacturing process is included.

On the Number of Hamiltonian Groups

Finite hamiltonian groups are counted. The sequence of numbers of all groups of order $n$ all whose subgroups are normal and the sequence of numbers of all groups of order less or equal to $n$ all whose subgroups are normal are presented.Comment: 6 pages, 8 table

Defektmissbildungen an den unteren Extremitäten

Zusammenfassung: Missbildungen mit Defekten an den unteren Extremitäten sind selten. Sie entstehen in der Regel als toxische Schädigung während der Schwangerschaft zwischen der 4. und der 12.Woche. Es gibt auch solche mit hereditären Ursachen. Insgesamt beträgt die Inzidenz der Defektmissbildungen an den Beinen ca. 18 auf 100.000Neugeborene. Am häufigsten sind fibuläre Längsdefekte, gefolgt vom kongenitalen Femurdefekt und dem tibialen Längsdefekt. Längsdefekte sind meist mit Strahldefekten an den Füßen assoziiert. Seltener ist die kongenitale Tibiapseudarthrose, wobei diese Diagnose in epidemiologischen Studien an Neugeborenen unterschätzt wird, da sich die Fraktur meist erst nach Gehbeginn ereignet. Andere Defektmissbildungen wie die Blasenexstrophie, der Spaltfuß sowie Defekte im Rahmen von Syndromen (Apert-Syndrom, Schnürringkomplex) sind extrem selten. Für die Behandlung steht ein breites Spektrum an Möglichkeiten zur Verfügung. Dieses reicht von Schuherhöhung, orthetischer oder prothetischer Versorgung über Umstellungsosteotomien, Arthrodesen, Umkehrplastiken, Amputationen bis zur operativen Beinverlängerung. Die Therapie der komplexen Deformitäten sollte stets in einem Team von Spezialisten mit Orthopäden, Orthopädietechnikern, Physiotherapeuten, Psychologen, evtl. auch anderen spezialisierten Chirurgen erfolge

Kombiniert-heterozygote Defizienz von Komplementfaktor C7 bei einerPatientin mit rezidivierender Meningitis

Zusammenfassung: Hintergrund:: Die Assoziation zwischen Komplementdefizienzen, insbesondere von Komponenten der terminalen Kaskade (C5-C9), und dem Auftreten von Meningokokkeninfekten und bakteriellen Meningitiden ist gut beschrieben. Fallbeschreibung:: In dem vorliegenden Fallbericht wird dabei erstmals ein kombiniert-heterozygoter Defekt im C7-Gen beschrieben, der noch eine Restproduktion von C7 erlaubte. Diese Restproduktion reichte jedoch nicht aus, um vor rezidivierenden Meningitiden zu schützen. Schlussfolgerung:: Der Fallbericht zeigt erneut den Stellenwert der Komplementdiagnostik bei Patienten mit Meningokokkeninfekt und die Notwendigkeit, auch Patienten mit reduzierter, aber noch messbarer Komplementaktivität einer weiteren Abklärung auf eine Komplementdefizienz zuzuführe