3 research outputs found

    Efficient and Interference-Resilient Wireless Connectivity for IoT Applications

    Full text link
    With the coming of age of the Internet of Things (IoT), demand on ultra-low power (ULP) and low-cost radios will continue to boost tremendously. The Bluetooth-Low-energy (BLE) standard provides a low power solution to connect IoT nodes with mobile devices, however, the power of maintaining a connection with a reasonable latency remains the limiting factor in defining the lifetime of event-driven BLE devices. BLE radio power consumption is in the milliwatt range and can be duty cycled for average powers around 30渭W, but at the expense of long latency. Furthermore, wireless transceivers traditionally perform local oscillator (LO) calibration using an external crystal oscillator (XTAL) that adds significant size and cost to a system. Removing the XTAL enables a true single-chip radio, but an alternate means for calibrating the LO is required. Innovations in both the system architecture and circuits implementation are essential for the design of truly ubiquitous receivers for IoT applications. This research presents two porotypes as back-channel BLE receivers, which have lower power consumption while still being robust in the presents of interference and able to receive back-channel message from BLE compliant transmitters. In addition, the first crystal-less transmitter with symmetric over-the-air clock recovery compliant with the BLE standard using a GFSK-Modulated BLE Packet is presented.PHDElectrical and Computer EngineeringUniversity of Michigan, Horace H. Rackham School of Graduate Studieshttp://deepblue.lib.umich.edu/bitstream/2027.42/162942/1/abdulalg_1.pd

    On the design of ultra low voltage CMOS oscillators.

    Get PDF
    Wireless sensor nodes require very tight power budgets to operate from either asmall battery, some energy harvesting mechanism or both. In many cases, thermalor electrochemical harvesting devices provide very low voltages of the order of100 mV or even lower. Time-keeping functionality is required in IoT systems andthe time-keeping module must be on at all times. Crystal oscillators have provento be useful for low power time-keeping applications, and in this context supplyvoltage lowering is a convenient strategy. Therefore, 32 kHz crystal oscillatorsoperating with only 60 mV supply are presented. Two implementations based ona Schmitt trigger circuit for two different crystals were designed and experimentallycharacterized.These crystal oscillators are based on the application of a Schmitt trigger asan amplifier. Guidelines for designing this block to be the amplifier of a crystaloscillator are provided. Furthermore, a dynamic model of the Schmitt trigger isproposed and the model results are compared against simulations. The amplifierswere experimentally characterized, providing a gain of 2.48 V/V with a 60 mVpower supply. As it was intended in the design stage, for voltages above 100 mVhysteresis appears and the Schmitt trigger starts operating as a comparator.The Schmitt triggers to operate as amplifiers of the crystal oscillators aredesigned in a 130 nm CMOS process, requiring an area of 45渭m x 74渭m and78渭m x 83渭m, respectively. The power consumptions of the crystal oscillators are2.26 nW and 15 nW and the temperature stabilities attained are 62 ppm (25-62掳C)and 50 ppm (5-62掳C), respectively. The dependence on the supply voltage of thecurrent consumption, fractional frequency, start-up time and oscillation amplitudewere measured. The Allan deviation is 30 ppb for both oscillators.On the other hand, an LC voltage controlled oscillator (VCO) is designed in28 nm FD-SOI for RF applications. The possibility of modeling the transistors inthe 28 nm FD-SOI technology by means of the all inversion region long channelbulk transistor model used for the Schmitt trigger circuits, is studied. A cross-coupled nMOS architecture is used to build the VCO. The theoretical limit for theminimum supply voltage that enables oscillation is studied. The transistors wereoptimally sized to aim the minimum power consumption through a low-voltageapproach and the performance of the VCO was obtained through simulations. Los nodos sensores inal谩mbricos tienen fuertes requerimientos de bajo consumo demanera de operar con bater铆as peque帽as o alg煤n mecanismo de cosecha de energ铆a, o ambos. En muchos casos, la cosecha de energ铆a t茅rmica o electroqu铆mica provee tensiones muy bajas del orden de 100 mV o incluso menos. Los sistemas de internet de las cosas incluyen un m贸dulo de reloj que debe estar siempre encendido a efectos de contar el tiempo. Los osciladores a cristal son probadamente 虂utiles como relojes de bajo consumo, y en este contexto la reducci贸n de la tensi贸n es una estrategia conveniente. Por lo tanto, presentamos osciladores a cristal de 32 kHz operando con s贸lo 60 mV de tensi贸n de alimentaci贸n. Dos implementaciones, basadas en el circuito Schmitt trigger para dos cristales diferentes, se dise帽an y caracterizan experimentalmente.Estos osciladores a cristal est谩n basados en la aplicaci贸n del Schmitt trigger como amplificador. Se provee una gu铆a para el dise帽o de este bloque para funcionar como el amplificador de un oscilador a cristal. Adicionalmente se propone un modelo din谩mico del Schmitt trigger y los resultados del modelo son comparados con resultados de simulaci贸n. Los amplificadores son caracterizados experimentalmente, proveyendo una ganancia de 2.48 V/V con 60 mV de tensi贸n de alimentaci贸n. Tal como se pretende en la etapa de dise帽o, para tensiones mayores a 100 mV aparece el fen贸meno de hist茅resis y el Schmitt trigger comienza a operarcomo un comparador.Los Schmitt trigger para operar como amplificadores de los osciladores a cristal son dise帽ados en un proceso CMOS de 130 nm y ocupan un 谩rea de 45渭m x 74渭my 78渭m x 83渭m, respectivamente. El consumo de potencia de sendos osciladores es2.26 nW y 15 nW y la estabilidad en temperatura obtenida es de 62 ppm (25-62掳C)y 50 ppm (5-62掳C), respectivamente. Se midieron la dependencia del consumo de corriente con respecto a la tensi贸n de alimentaci贸n, la frequencia de oscilaci贸n, eltiempo de arranque y la amplitud de oscilaci贸n. La desviaci贸n de Allan es 30 ppben ambos osciladores.Por otra parte, un oscilador LC controlado por voltaje es dise帽ado en un proceso CMOS de silicio sobre aislante en deplexi贸n total de 28 nm, para aplicaciones de radiofrecuencia. Se estudia la posibilidad de utilizar en este caso el mismo modelo utilizado para el dise帽o del Schmitt trigger. Dicho modelo es v谩lido en todas las regiones de inversi贸n y est谩 desarrollado para transistores de tipo sustrato y de canal largo. La arquitectura de transistores nMOS entrelazados es la utilizada para este oscilador. Se estudia el l铆mite te贸rico para la m铆nima tensi贸n de alimentaci贸n. Los transistores son dimensionados de manera 贸ptima para obtener el m铆nimo consumo de potencia posible, utilizando un enfoque de baja tensi贸n y el desempe帽o del oscilador se obtuvo mediante simulaciones

    On the design of ultra low voltage CMOS oscillators

    Get PDF
    Los nodos sensores inal谩mbricos tienen fuertes requerimientos de bajo consumo de manera de operar con bater铆as peque帽as o alg煤n mecanismo de cosecha de energ铆a, o ambos. En muchos casos, la cosecha de energ铆a t茅rmica o electroqu铆mica provee tensiones muy bajas del orden de 100 mV o incluso menos. Los sistemas de internet de las cosas incluyen un m贸dulo de reloj que debe estar siempre encendido a efectos de contar el tiempo. Los osciladores a cristal son probadamente 煤tiles como relojes de bajo consumo, y en este contexto la reducci贸n de la tensi贸n es una estrategia conveniente. Por lo tanto, presentamos osciladores a cristal de 32 kHz operando con s贸lo 60 mV de tensi贸n de alimentaci贸n. Dos implementaciones, basadas en el circuito Schmitt trigger para dos cristales diferentes, se dise帽an y caracterizan experimentalmente. Estos osciladores a cristal est谩n basados en la aplicaci贸n del Schmitt trigger como amplificador. Se provee una gu铆a para el dise帽o de este bloque para funcionar como el amplificador de un oscilador a cristal. Adicionalmente se propone un modelo din谩mico del Schmitt trigger y los resultados del modelo son comparados con resultados de simulaci贸n. Los amplificadores son caracterizados experimentalmente, proveyendo una ganancia de 2.48 V/V con 60 mV de tensi贸n de alimentaci贸n. Tal como se pretende en la etapa de dise帽o, para tensiones mayores a 100 mV aparece el fen贸meno de hist茅resis y el Schmitt trigger comienza a operar como un comparador. Los Schmitt trigger para operar como amplificadores de los osciladores a cristal son dise帽ados en un proceso CMOS de 130 nm y ocupan un 谩rea de 45 um x 74 um y 78 um x 83 um, respectivamente. El consumo de potencia de sendos osciladores es 2.26 nW y 15 nW y la estabilidad en temperatura obtenida es de 62 ppm (25-62掳C) y 50 ppm (5-62掳C), respectivamente. Se midieron la dependencia del consumo de corriente con respecto a la tensi贸n de alimentaci贸n, la frequencia de oscilaci贸n, el tiempo de arranque y la amplitud de oscilaci贸n. La desviaci贸n de Allan es 30 ppb en ambos osciladores. Por otra parte, un oscilador LC controlado por voltaje es dise帽ado en un proceso CMOS de silicio sobre aislante en deplexi贸n total de 28 nm, para aplicaciones de radiofrecuencia. Se estudia la posibilidad de utilizar en este caso el mismo modelo utilizado para el dise帽o del Schmitt trigger. Dicho modelo es v谩lido en todas las regiones de inversi贸n y est谩 desarrollado para transistores de tipo sustrato y de canal largo. La arquitectura de transistores nMOS entrelazados es la utilizada para este oscilador. Se estudia el l铆mite te贸rico para la m铆nima tensi贸n de alimentaci贸n. Los transistores son dimensionados de manera 贸ptima para obtener el m铆nimo consumo de potencia posible, utilizando un enfoque de baja tensi贸n y el desempe帽o del oscilador se obtuvo mediante simulaciones.Agencia Nacional de Investigaci贸n e Innovaci贸nComisi贸n Acad茅mica de Posgrado. Universidad de la Rep煤blicaComisi贸n Sectorial de Investigaci贸n Cient铆fica. Universidad de la Rep煤blic
    corecore