Article thumbnail

Measurement of characteristics of organic transistor structures

By Наталія Іванівна Кус, Зенон Юрійович Готра, Владислав Володимирович Черпак, Павло Йосипович Стахіра and Григорій Іванович Барило

Abstract

В роботі проведено аналіз органічних матеріалів для використання в транзисторних структурах. Запропоновано та розроблено систему вимірювання параметрів органічних транзисторних структур. Змодельовано  схему електричну принципову у програмному середовищі Proteus. Досліджено вихідні та передаточні вольт-амперні характеристики органічних транзисторних структур.В роботе проведено анализ органических материалов для использования в транзисторных структурах. Предложена и разработана система измерения параметров органических транзисторных структур. Смоделирована схема электрическая принципиальная в программной среде Proteus. Исследованы выходные и передаточные вольт-амперные характеристики органических транзисторных структур.The system for measuring parameters of organic transistor structures was proposed and developed in the paper. Circuit diagram was simulated in the software environment Proteus. Output and transfer current-voltage characteristics of organic transistor structures were studied.To develop a measuring system, modern elements of electronic equipment were used. Current-voltage characteristics, which show the work of organic transistor structures were shown, such as output and transfer characteristics, that is the dependence of the drain-source current (Ids) on the drain-source voltage (Vds) and gate voltage (Vg). The studies at different gate voltages Vg = 0÷100V with the interval 10V were conducted. It is shown that at the increase in the gate voltage, the drain-source current (Ids) increased within about 0.2 mA÷0.1 mA. This allows to use organic FETs both in display panels and in the smart cards since in the display panels transistors are used for color control and in smart cards - for improving information transfer. (This should remain so.

Topics: напівпровідниковий шар; органічні транзисторні структури; вимірювальна система, УДК 621.38.049, полупроводниковый слой; органические транзисторные структуры; измерительная система, УДК 621.38.049, semiconductor layer; the organic transistor structure; measuring system, УДК 621.38.049
Publisher: 'Private Company Technology Center'
Year: 2014
DOI identifier: 10.15587/1729-4061.2013.19771
OAI identifier: oai:ojs.journals.uran.ua:article/19771
Download PDF:
Sorry, we are unable to provide the full text but you may find it at the following location(s):
  • http://journals.uran.ua/eejet/... (external link)
  • Suggested articles


    To submit an update or takedown request for this paper, please submit an Update/Correction/Removal Request.