Experimental Investigation of Current Oscillations by Using N-Type Semiconductor Barrier in DBD System

Abstract

Teknolojinin gelişmesine paralel olarak yarıiletken malzemenin kullanıldığı alanlar giderek yaygınlaşmaktadır. Özellikle uzay teknolojisi, savunma sanayi ve tıp alanında kullanılan sistemlerin her koşulda kararlı, verimli ve uzun ömürlü olması istenmektedir. Elektronik teknolojisinin temelini oluşturan yarıiletken malzemelerin kararlılığı değişken kuvvetli elektrik alan ortamında incelenebilir. Bu çalışmada N tipi yarıiletken malzemenin kararlılığını analiz etmek için DBB sisteminde farklı ortam ve farklı frekans değerlerinde uygulamalar gerçekleştirilmiştir. Bu uygulamalar her ortam için rastgele seçilen 50 Hz, 100 Hz, 200 Hz, 350 Hz ve 500 Hz frekanslı gerilim değerlerinde yapılmıştır. Elde edilen deneysel veriler ile gerilim akım eğrileri oluşturularak N tipi yarıiletken malzeme DBB sistemi ile analiz edilmiştir. Sonuçlara göre vakum ortamında delinmeler 0,675 kV-0,855 kV aralığında meydana gelirken, hava ortamında 6 kV-7,05 kV aralığında ve azot ortamında 7,2 kV-7,95 kV aralığında meydana gelmiştir. Uygulamalara ait delinme gerilimleri ve boşalma akım osilasyonları incelendiğinde DBB sisteminde basıncın önemli bir faktör olduğu görülmektedir. İnert olan azot gazı ise sistemin kararlılığını artırmaktadır. N tipi yarıiletken malzemenin özellikleri düşük basınç, düşük gerilim ve düşük frekansta daha belirgin olduğu söylenebilir