La evolución hacia formatos de modulación digital con altas tasas de transmisión de datos por unidad de ancho de banda, típica de las nuevas generaciones de sistemas de comunicaciones inalámbricas (el caso de 4G), impone fuertes requisitos de linealidad en el diseño de los esquemas de transmisión. La manipulación sin distorsión de señales con una envolvente muy variable y valores para su relación potencia pico a potencia promedio (PAPR de sus siglas en inglés) tan altos como 10 dB, impone además la necesidad de introducir nuevos conceptos y arquitecturas que permitan garantizar la linealidad requerida junto a una eficiencia apropiada en el uso de los limitados recursos de potencia disponibles. Destaca además en esta evolución, la incorporación de nuevas bandas de frecuencia y el uso de señales con un cada vez mayor ancho de banda. Atendiendo a lo anterior, este proyecto tiene como objetivo el diseño de un amplificador de potencia de alta eficiencia en la banda de 2.6 GHz, el cual permitirá más adelante la implementación de un esquema de transmisión para señales LTE. Se utilizará un dispositivo empaquetado comercial, en tecnología GaN HEMT sobre SiC, explotando al máximo las capacidades que pueden ofrecer los componentes pasivos discretos (bobinas y condensadores), los cuales poseen un alto factor de calidad a estas frecuencias. El diseño se basará en simulaciones mediante el uso del modelo no lineal del transistor ofrecido por su fabricante, en las que se prestará especial atención a la correcta terminación en drenador de los armónicos segundo y tercero. Se realizará la implementación y posterior ajuste, con el fin de conseguir prestaciones en eficiencia pico en el estado de la técnica, completando el trabajo con su caracterización exhaustiva frente a frecuencia, tensión de alimentación y potencia de entrada.Grado en Ingeniería de Tecnologías de Telecomunicació
