LA TECHNOLOGIE GAN ET SES APPLICATIONS POUR L'ELECTRONIQUE ROBUSTE, HAUTE FREQUENCE ET DE PUISSANCE

Abstract

publié dans la revue "L'actualité Composants du CNES, N°27, 1er trimestre 2008", Centre Competence Technique, CNESveille technologique sur la filière GaNDepuis le début des années 90, une nouvelle catégorie de filières dites à large bande interdite est venue compléter l'éventail déjà large des technologies utilisées pour les capteurs, pour l'optique, pour l'électronique de puissance et pour l'électronique des hautes fréquences. Les technologies carbure de silicium (SiC) et nitrure de gallium (GaN) possèdent des qualités intrinsèques remarquables, et représentent ainsi une véritable rupture technologique avec les technologies GaAs et Si/SiGe. Leur développement offre de nouvelles opportunités en terme de conception de circuits, voire d'architecture de systèmes (réseau de transpondeurs des applications radar, gestion de l'énergie des systèmes embarqués, ...) en panachant les différentes technologies disponibles pour des applications en optique, en opto-électronique et en électronique. Ce papier propose un état de la technologie GaN et de ses applications HF : les principaux acteurs mondiaux sont présentés, ainsi que les performances des technologies, quelques démonstrateurs de circuits HF et premiers résultats sur la fiabilité de ces filières