Hemos calculado la estructura electronica con la formulacion de Iii funcional densidad, del semiconductor PbS. A partir de ella, calculamos la variacion en frecuencia de las funciones dielectricas en el espectro comprendido entre 0 y 5 eV. Los picos obtenidos, asi como la forma general de las curvas correspondientes a las partes real epsilon1 e imaginaria epsilon2, resultan muy bien caracterizadas y entendidos en base a los diagram de bandas y densidades de estados calculados. El espectro dispersivo tiene su punto de inflexion en razonable acuerdo con la energia a la cual la absorcion aJcanza su maximo y comienza a disminuir, correspondiendo a un comportamiento metalico en el rango de las energfas mayores a 3 eV. Tambien presentamos resultados de la reflectividad de este material.We have performed a calculation of the electronic structure within the density functional formalism, of the semiconductor PbS. From it, the dependence in frecuency of the dielectric functions in the range between 0 and 5 eV, is calculated. The peaks, as well as the general shape of the curves corresponding to the real part Si and imaginary part s2, are very well described and understandable in terms of the calculated bands and density of states. The dispersive spectrum has its point of inflexion in reazonably agreement with the energy where the absorption is maximum, and starts decreasing in a metalic like behavior, for energies higher than 3 eV. Also we present results on the reflectivity of this material.Instituto de Física de Líquidos y Sistemas BiológicosFacultad de Ingenierí
