Oliveira, Franciele Silva Mendes de

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Lume 5.8

Evento Salão UFRGS 2019: SIC - XXXI SALÃO DE INICIAÇÃOCIENTÍFICA DA UFRGSAno 2019Local Campus do Vale - UFRGSTítulo Modificação de filmes finos de Au induzida por irradiação comelétronsAutor FRANCIÉLE SILVA MENDES DE OLIVEIRAOrientador PAULO FERNANDO PAPALEO FICHTNERTítulo: Modificação de filmes finos de Au induzida por irradiação com elétronsAutor: Franciele Silva Mendes de OliveiraOrientador: Paulo Fernando Papaléo FichtnerInstituição de origem: Universidade Federal do Rio Grande do SulA irradiação de sólidos com partículas energéticas como elétrons ou íons pode serutilizada para a síntese de nanoestruturas com potencial aplicação tecnológica. Isto porque ainteração entre partículas energéticas e matéria produz deslocamentos atômicos, ionizações eaquecimento, eventos que normalmente alteram a configuração de materiais fora do equilíbriotermodinâmico. Filmes finos são termodinamicamente instáveis e quando aquecidos apresentamaglomeração e aumento da espessura em um processo denominado desmolhamento (dewetting).O dewetting ocorre no sentido de minimização da energia livre de Gibbs, o que neste caso, sedá pela redução da relação área/volume no sistema. Neste trabalho, filmes finos de Au foramirradiados com feixe de elétrons em densidades de corrente de 27 A cm−2 e energia de 200keV a fim de promover um processo similar ao dewetting, porém, em baixas temperaturas e emescala nanométrica. Filmes finos de SiO2 (15 nm) e Au (5 nm, 6 nm e 10 nm) foram depositadossobre membranas de Si3N4 (50 nm) através de evaporação térmica e magnetron sputtering. Asamostras como-depositadas foram caracterizadas por Espectrometria de RetroespalhamentoRutherford (RBS), micro-RBS e Microscopia Eletrônica de Transmissão (TEM). Micrografiasadquiridas em diferentes magnificações foram processadas para determinar a área projetada deAu, que é uma estimativa das áreas de superfície e de interface Au/SiO2. O percentual de áreaprojetada foi relacionado às respectivas densidades areais medidas por RBS, tornando possívelcalcular a relação área/volume de cada amostra e descobrir quais filmes seriam mais suceptíveisao dewetting durante irradiação. As irradiações foram realizadas em magnificação de 600.000vezes no microcópio eletrônico de transmissão JEOL 2010, instalado no Centro de Microscopia eMicroanálise da UFRGS. Micrografias obtidas em diferentes tempos caracterizaram as mudançasmicroestruturais em função da fluência de elétrons. Durante a irradiação, observou-se a retraçãode borda e aglomeração do filme fino de Au, isto é, a diminuição da relação área/volume. Emaltas fluências, os filmes de SiO2 e Si3N4 foram removidos por pulverização induzida pelo feixede elétrons, formando uma rede planar percolada nanométrica e suspensa. Os valores de áreaprojetada e perímetro das regiões sem Au foram utilizados para determinar o fluxo atômicodurante a irradiação. Este fluxo foi comparado com um fluxo atômico deduzido em função daseção de choque de deslocamento atômico balístico para elétrons acelerados a 200 keV. Talmetodologia permitiu estimar os valores de energia de deslocamento na superfície, Ed = 0, 94eV, e energia de superfície, γ = 1,22 J m−2, do filme de Au.

Modificação de filmes finos de Au induzida por irradiação com elétrons

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Modificação de filmes finos de Au induzida por irradiação com elétrons

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