GFET（石墨烯场效应管）以其超高的电导率和极小的器件尺寸有望续写摩尔定律的神话，成为新一代半导体器件。而构成GFET的核心材料——石墨烯的高品质制备是研究微纳器件性能及其应用的基础和前提。作为传统CVD法和MEMS技术的结合——μCVD（微型化学气相沉积）系统具有低成本、高效率、可重复性等优势，极大地促进了纳米材料制备方案的改进及其应用的发展。 本文首先介绍了GFET的结构特征和制备工艺，相应地阐述了石墨烯的特性、转移技术、工艺目标等，接着从μCVD系统的三个关键技术——结构设计、温度测控和显微成像展开论述。结构设计技术解决了μCVD芯片的温度分布问题，使电流产生的焦耳热均匀分布在反应平台...GFET (Graphene Field Effect Transistor) with its ultra-high conductivity and very small device size is expected to write the myth of Moore's Law,Becoming a new generation of semiconductor devices.The GFET's core nanomaterials,graphene's high-quality, large-size preparation is the basis and premise of studying the performance and application of micro-nano devices.The combination of traditional CVD ...学位：工程硕士院系专业：信息科学与技术学院_工程硕士(电子与通信工程)学号：2312014115310
