自旋电子学器件由于其有较小的单元尺寸，更低的功耗和新兴的电荷—自旋集成功能，因此可能成为超越摩尔定律物理极限的下一代电子器件。在众多半导体中，在硅上实现自旋电子学具有特殊的意义，因为硅是半导体行业中最普遍应用的材料，而且成熟的硅技术可以大大促进自旋电子器件的生产和大规模应用。由于硅缺乏晶格反演对称性，因此具有较长的自旋寿命和扩散长度，以及弱的自旋轨道耦合和原子核超精细相互作用，故硅已经被认为是一种自旋电子学的理想载体。在过去的十年里，硅基自旋电子学已经取得了里程碑式的进展。在2007年和2009年分别实现了在低温下和室温下通过铁磁体/绝缘层/硅(FM/I/Si)隧道接触的电自旋注入。之后，一系...The spin degree of freedom has caught the eyes of researchers due to it sheds lights on the next-generation devices which beyond the physical limits of More’s Law, with smaller unit sizes, lower power consumptions and novel charge-spin integrated functionalities. Among all the semiconductors, realizing the spin-based electronics (spintronics) on silicon, i.e., the most prevailing material in semic...学位：工程硕士院系专业：物理科学与技术学院_工程硕士(电子与通信工程)学号：1982014115299
