Revista Eletrônica de Iniciação Científica em Computação
Abstract
O desempenho de transistores SOI de canal gradual (GC) em aplicações analógicas está profundamente relacionado ao desenvolvimento da tecnologia na área da microeletrônica. Superar este desafio requer aperfeiçoar o conhecimento dos parâmetros que caracterizam o dispositivo e confirmar se seu desempenho permanece superior aos transistores uniformemente dopados. O presente estudo traz uma comparação entre transistores SOI submicrométricos convencionais (uniformemente dopados) e GC SOI nMOSFETs com diferentes comprimentos de canal e razão LLD/L. A tensão de limiar, inclinação de sublimiar, máxima transcondutância, condutância de saída, ganho intrínseco de tensão e freqüência de ganho unitário foram usados para esta análise
