Nous avons mesuré les propriétés électriques et thermiques de (CrxV1-x)2O3, 0 < x < 0,03 et de (TixV1-x)2O3, 0 < x < 0,06. Le dopage au chrome (0 < x < 0,018) augmente la température de la transition basse température et augmente la résistivité de la phase métallique ; il rend la transition haute température mieux définie puis diminue l'amplitude de cette transition. Cette dernière transition dans V2O3 dopé à 1 % de chrome est caractérisée par des discontinuités en forme de marche de la résistivité et par des pics lors des balayages en analyse thermique différentielle. L'étude de V2O3 dopé au titane montre que l'amplitude de même que la température de la transition basse température (Tt) diminue énormément lorsque le dopage au Ti augmente. Pour 5,6 % de Ti, Tt décroît de façon abrupte de 35 K à ≈ 0 K. L'énergie d'activation de la phase semi-conductrice diminue exponentiellement et tend vers zéro dans cette gamme de concentration. En rapprochant ces résultats avec d'autres (résistivité et chaleur spécifique), on peut penser que la transition haute température de (CrxV1-x)2O3 n'est pas une transition de Mott mais est peut-être une phase C. D. W. De plus, (TixV1-x)2O3 dont la structure n'est pas altérée par le dopage au Ti est un matériau intéressant pour tester les théories sur la disparition brutale des transitions isolant métal.Extensive electrical and thermal studies on transitions in (CrxV1-x)2O3, 0 ⩽ x ⩽ 0.03, and in (TixV1-x)2O3, 0 ⩽ x ⩽ 0.06, have been undertaken. An increase in Cr-doping (0 ⩽ x ⩽ 0.018) raises the temperature of the low-temperature transition and elevates the resistivity of the metallic phase ; it first sharpens and later diminishes the high-temperature transition. The latter (transition) in 1 at. % of Cr-doped V2O3 is characterized by stepwise discontinuities in resistivity and by sharp spikes in DSC scans. Experimental work on Ti-doped V2O3 shows that the size and temperature of the low-temperature transition (Tt) diminish drastically with increasing Ti content. At a Ti concentration of ca. 5.6 at. %, Tt drops abruptly from 35 to (presumably) 0 K. The activation energy of the semiconducting phase diminishes nearly exponentially to zero in this composition range. The above findings, in conjunction with other evidence obtained from resistivity and heat capacity measurements, suggest that the high-temperature transition in (CrxV1-x)2O3 system is not readily compatible with the Mott transition model but is consistent with the existence of Overhauser charge density waves. Further, the (TixV1-x)2O3 system, whose structure is essentially unaltered by Ti doping, provides a testing ground for theories on the abrupt disappearance of metal-insulator transitions
