L'importance des effets transitoires des électrons chauds dans les dispositifs semi-conducteurs augmentent avec la fréquence et, pour les ondes millimétriques, les effets ont une grande influence sur leurs modes et leurs caractéristiques. Une étude de ces effets aide le développement des dispositifs. Les effets transitoires sont très importants pour les diodes à transfert d'électrons. Leurs modes se déforment à hautes fréquences et les meilleurs pour les sources millimétriques sont reconnus. Pour les autres sources et les mélangeurs, les effets transitoires ont moins d'importance, mais au-delà de 100 GHz, ils ont une influence significative sur le comportement des dispositifs.The importance of hot electron relaxation effects in semiconductor devices increases with frequency and, for the millimetre band, the transient processes have a major effect on their modes and terminal characteristics. A study of these effects provides a useful guide for practical device development. Relaxation effects are particularly strong in transferred-electron sources. The modes distort at high frequency and those most suitable for millimetre band generators are identified. In other sources and mixers relaxation effects are less dominant, but they have a significant influence on device philosophy above 100 GHz
