Bi4Ti3O12 thin films have been produced on Pt/TiO2/SiO2/Si buffer layers by spin-coating using a mixed bismuth-titanium alkoxide. The crystallization of Bi4Ti3O12 is observed at 480 ∘C. An increase of the average grain size related to an augmentation of the roughness of the films is observed with increasing coatings number. P-E hysteresis loops confirmed the ferroelectric character of the films.Des couches minces de Bi4Ti3O12 ont été préparées par centrifugation à partir d'un alcoxyde mixte de bismuth et de titane sur des substrats Pt/TiO2/SiO2/Si. Dès 480 ∘C, la phase Bi4Ti3O12 est cristallisée. Une croissance des grains associée à une augmentation de la rugosité des films a été observée avec le nombre croissant de couches. Les mesures de cycles d'hystérésis ont confirmé le caractère ferroélectrique des films