Bi$\mathsf{_4}$Ti$\mathsf{_3}$O$\mathsf{_{12}}$ Ferroelectric Thin Films: Morphology and Electrical Characteristics

Abstract

Bi$_4$Ti$_3$O$_{12}$ thin films have been produced on Pt/TiO$_2$/SiO$_2$/Si buffer layers by spin-coating using a mixed bismuth-titanium alkoxide. The crystallization of Bi$_4$Ti$_3$O$_{12}$ is observed at 480 $^{\circ}$C. An increase of the average grain size related to an augmentation of the roughness of the films is observed with increasing coatings number. P-E hysteresis loops confirmed the ferroelectric character of the films.Des couches minces de Bi$_4$Ti$_3$O$_{12}$ ont été préparées par centrifugation à partir d'un alcoxyde mixte de bismuth et de titane sur des substrats Pt/TiO$_2$/SiO$_2$/Si. Dès 480 $^{\circ}$C, la phase Bi$_4$Ti$_3$O$_{12}$ est cristallisée. Une croissance des grains associée à une augmentation de la rugosité des films a été observée avec le nombre croissant de couches. Les mesures de cycles d'hystérésis ont confirmé le caractère ferroélectrique des films