On développe un modèle de croissance d'une phase ordonnée basé sur la diffusion des lacunes thermiques produites à l'interface avec l'amorphe. Il fournit pour Ge et Si la dépendance exacte du taux de croissance pour les couches évaporées et les couches implantées avec la température, l'état de l'orientation cristallin, le dopage, l'ionisation et la nature des ions implantés.A model of growth based on the diffusion of thermally generated vacancies to the interface is developed which provides the exact dependence of the growth rate with temperature, crystalline orientation, doping, ionisation and nature of implanted ions in evaporated as well as implanted layers, for both Ge and Si
