Des couches de silice ont été déposées à basse température (100°-200°C) sur des substrats de InP par le procédé CVD assisté par photon UV avec photosensibilisation au mercure de mélanges SiH4-N20. Les propriétés électriques et physico-chimiques des couches isolantes et des interfaces isolant-semiconducteur ont été étudiées. La réduction de l'oxyde natif sur InP par l'hydrogène atomique, produit par photodécomposition UV de l'ammoniac avant dépôt de SiO2, permet de réduire la dispersion de la capacité MIS en fréquence et conduit à une réduction de la dérive du courant drain-source des transistors MIS InP.Silicon dioxide (SiO2) films were produced at low temperatures (100°-200°C) on InP substrates by mercury-photosensitized CVD from SiH4-N2O mixtures. Electrical and physico-chemical properties of the insulator films and insulator-semiconductor interfaces were investigated. Prior to the deposition of SiO2 films, the native oxide film on InP substrates was reduced by atomic hydrogen formed by UV photon-assisted decomposition of ammonia. This preliminary step was found to be effective in reducing the frequency dispersion of C-V characteristics and more importantly the drift in drain source current of InP MISFET's
