Ce papier décrit les propriétés électriques et optiques des couches Inx(Si0,1Se0,9)1-x et l'effet photovoltaïque de la structure ITO-Inx(Si0,1Se0,9)1-x - Au (0 ≤ x ≤ 0,5). Les couches photoinduites microcristallines In0,1(Si0,1Se0,9)0,9 déposées sur des supports ITO obtenus soit par évaporation soit par pulvérisation ont été examinées par microscopie électronique à balayage. Dans le cas d'ITO pulvérisés, la vitesse de cristallisation était plus grande et le rayon de la zone cristallisée plus petit que pour les ITO évaporés. La réponse spectrale du système avec x = 0,1 après recuit optique a mis en évidence une amélioration remarquable de la phototension de 3000 à 7000 Å et le rendement de conversion a atteint 3,53 % (12 mW/cm2)This paper describes the electrical and optical properties of Inx(Si0.1Se0.9)1-x films, and the photovoltaic effect for ITO - Inx(Si0.1Se0.9)1-x - Au structure (0 ≤ x ≤ 0.5). The photo-induced microcrystalline In0.1(Si0.1Se0,9)0,9 films deposited on both the evaporated and the sputtered ITO layers were examined by scanning electron microscopy (SEM). For the case of the sputtered ITO, the crystallization velocity was greater and the radius of the crystallized region was smaller than that for the evaporated ITO. The spectral response of the system with x = 0.1 after the optical annealing showed the remarkable enhancement of the photovoltage from 3000 to 7000 Å and the conversion efficiency reached 3.53 % (12 mW/cm2)
