L'épitaxie par jets moléculaires à forte température du substrat(TS ≈ 600°C) est désormais de plus en plus utilisée pour obtenir des couchesde GaAs et Ga1-xAlxAs avec de bonnes propriétés électriques et optiques.Dans le cas des doubles hétérostructures lasers, l'optimisation du courant deseuil est obtenue en augmentant TS ; la valeur optimale que nous avons obtenueest de 1,5KA/cm2 une épaisseur de couche active de 0,16 µm. Cependantau-delà d'une valeur critique de TS d'environ 670°C, nous avons observé uneaugmentation de Js puis une disparition de l'émission laser. Cet effet estcorrelé à un problème particulier de la croissance MBE à très forte températurequi sera étudié.The MBE growth at high substrate temperature (TS ≈ 600°C) is now often used to obtain GaAs and Ga1-xAlxAs layers with improved electrical and optical properties. In the case of GaAs-Ga1-xAlxAs DH lasers, the optimisation of the threshold current density is obtained for increasing TS ; the ultimate value we reached is l,5KA/cm2 for an active layer thickness of 0,16µm However above a critical value of TS ≈ 670°C, an increase of Jth is observed until a non laser emission. This behaviour is related to a specific problem of MBE growth at extremely high substrate temperature, that will be described
