Rohr, Julio César

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Lume 5.8

Evento Salão UFRGS 2018: SIC - XXX SALÃO DE INICIAÇÃO CIENTÍFICADA UFRGSAno 2018Local Campus do Vale - UFRGSTítulo Efeitos da Irradiação Iônica em filmes de Ge depositados porSputteringAutor JULIO CÉSAR ROHROrientador RAQUEL GIULIANLaboratório de Implantação Iônica - Instituto de Física - UFRGSEfeitos da Irradiação Iônica em filmes de Ge depositados por SputteringAutor: Júlio César RohrOrientador: Raquel GiulianO Germânio é um semicondutor muito estudado que já foi considerado um promissorsubstituto ao Silício. Uma de suas propriedades mais intrigantes é a capacidade de se tornarporoso  mediante  irradiação  com  feixe  de  íons.  Tornando-se  poroso,  o  material  aumentasignificativamente sua área de superfície, o que contribui, e muito, para que reações químicasque ali ocorrem aconteçam com muito mais eficiência.Este projeto tem por objetivo caracterizar os efeitos da irradiação iônica em filmes deGe depositados por Sputtering. Enquanto os efeitos gerados por irradiações com íons de altasenergias (cuja  perda de energia  é  majoritariamente eletrônica) já foram estudados,  o focoagora é analisar efeitos gerados por irradiações com energias intermediárias (nas quais a perdade energia eletrônica e nuclear apresentam valores equivalentes, e para valores de perda deenergia nuclear maiores do que eletrônica). Filmes de Ge foram depositados à temperaturaambiente sobre substrato de SiO2/Si com espessura aproximada de 270 nm. Parte das amostrasforam submetidas a tratamento térmico em vácuo, a 1000°C, por uma hora. Foram, então,irradiadas com íons de Au algumas amostras, variando fluência e energia de irradiação. Foramutilizadas  as  técnicas  de  difração  de  raios  x  (XRD)  para  verificar  a  cristalinidade,retroespalhamento  de  Rutherford  (RBS)  para  identificar  a  composição  das  camadas  dasamostras e microscopia eletrônica de varredura (MEV) para verificar a formação (ou não) deporos, assim como a espessura das amostras antes e depois da irradiação. Os resultados dessetrabalho foram comparados com outros da literatura onde os filmes de Ge foram fabricadospor outras técnicas. 

Efeitos da Irradiação Iônica em filmes de Ge depositados por Sputtering

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