Jaime, Danay Manzo

Lume 5.8

Evento Salão UFRGS 2016: SIC - XXVIII SALÃO DE INICIAÇÃOCIENTÍFICA DA UFRGSAno 2016Local Campus do Vale - UFRGSTítulo Caracterização de filmes de GaSb fabricados por sputteringAutor DANAY MANZO JAIMEOrientador RAQUEL GIULIAN   Antimoneto de gálio (GaSb)  é um semicondutor binário da família de semicondutores III-V. Caracteriza-se por exibir bandgap (banda proibida) de aproximadamente 0.72 eV a 300K. Esse material é bastante utilizado na fabricação de dispositivos opto eletrônicos que trabalham na região do  infravermelho,  como  detectores  ou  células  termofotovoltaicas.  A introdução  de  impurezas  em  semicondutores  é  comumente  utilizada para alterar as propriedades do material e pode ser obtida através da implantação iônica. Alguns materiais apresentam a formação de poros quando  irradiados  por  feixes  de  íons.  Semicondutores  porosos apresentam grande potencial tecnológico pois com a formação de poros se aumenta a superfície efetiva da amostra, o que favorece a ocorrência de reações químicas, características muito favoráveis  para seu uso no desenvolvimento de sensores  de gás.   Neste trabalho foram investigados os efeitos da irradiação iônica em filmes  de  GaSb.  Os  filmes  foram  fabricados  por  sputtering  sobre substratos  de  Si  à  temperatura  ambiente.  Em seguida,  as  amostras foram irradiadas com íons de Au com energia 17 MeV e fluências entre 1x1011 até 3x1014 íons/cm2. A estrutura e espessura dos filmes, assim como  a  concentração  de  cada  elemento  neles  presentes,  foram investigadas através da técnica Rutherford backscattering spectrometry (RBS) e mediante a análise do padrão de difração de raios-X (XRD) foi obtida uma informação detalhada sobre a estrutura cristalográfica das amostras.  Outra  técnica  utilizada  foi  a  microscopia  eletrônica  de varredura (MEV) para caracterizar a espessura e a porosidade do filme em função da fluência de irradiação. Observou-se a formação de poros no material devido à irradiação iônica, com um aumento significativo na espessura dos filmes.     Uma segunda parte do trabalho,  a qual  está sendo desenvolvida atualmente,  é   construir  um  modelo  computacional  que  reproduza quantitativamente  o  comportamento  desses  materiais  ao  serem irradiados por feixes de íons. O modelo que está sendo desenvolvido vai possibilitar a determinação do volume da amostra e da área superficial da mesma, entre outros dados de difícil obtenção via experimentos. 

Caracterização de filmes de GaSb fabricados por sputtering

Abstract

Similar works

Full text

Available Versions

Lume 5.8