Cerveira, Gustavo P.

Gregol, Leonardo B.

Petró, Kleynér S.

Lume 5.8

 9          CRESCIMENTO TÉRMICO DE FILMES DIELÉTRICOS ULTRAFINOS DE SiO2 E Si3N4. Gustavo P. Cerveira. Kleynér S. Petró. Leonardo B. Gregol. Tania D. M. Salgado. (Departamento de Físico-Química, Instituto de Química, UFRGS). O conhecimento dos mecanismos de crescimento de filmes ultrafinos de SiO2 e Si3N4 é importante para o domínio da tecnologia de integração dos dispositivos microeletrônicos. Este trabalho procurou detalhar esses mecanismos através da identificação das espécies móveis envolvidas no crescimento dos filmes, bem como de que maneira se dá a mobilidade das mesmas. Foram crescidos filmes de Si3N4 em lâminas de Si através de tratamento térmico clássico em atmosfera de amônia enriquecida ou não com deutério e 15N. O crescimento de SiO2 foi realizado em atmosferas de 16O2 e/ou 18O2 por meio de tratamento térmico rápido. Utilizou-se feixes de íons (RBS e NRA) na análise dos filmes, detectando-se os produtos do espalhamento dos mesmos. Pode-se verificar que com respeito ao Si3N4 as espécies móveis são nitrogenadas, apesar de átomos de Si ou íons também poderem participar do mecanismo de nitretação; no caso de filmes de SiO2, com espessura menor que 5 nm, parte do mesmos não é estequiométrico. (CNPq). 002 

Crescimento térmico de filmes dielétricos ultrafinos de SiO2 e Si3N4.

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Lume 5.8