TiN/TiC bilayers were deposited using Plasma Assisted Physical Vapor Deposition technique PAPVD)-Pulsed Arc, varying the substrate temperature ina range of 100-120◦C, with intervals of 5◦C. Coatings were analyzed throughXPS and XRD. From signal processing narrow spectrum of XPS and the XRD patterns, was determined the formation of TiN (Titanium Nitride), TiC (Titanium Carbide) and TiCN (Titanium Carbide Nitride) compounds in thecrystallographic.PACS: 68.35.Ct, 68.55.A-, 68.65.AcLas bicapas de TiN/TiC se depositaron utilizando la técnica de deposición en fase vapor asistido por plasma (PAPVD)-Arco Pulsado, variando la temperatura del sustrato en un rango de 100-120±C, con intervalos de 5±C. Los recubrimientos se analizaron por medio de XPS y XRD. A partir del tratamiento de las señales de los espectros angostos de XPS y los patrones de XRD, se determino la formación de los compuestos TiN (Nitruro de Titanio), TiC (Carburo de Titanio) y TiCN (carbonitruro de titanio) en la fase cristalográfica fm-3m correspondiente a las fases FCC de estos compuestos sintetizados.PACS: 68.35.Ct, 68.55.A-, 68.65.A
