Gobsch, G.

Goldhahn, R.

Stein, N.

Бумай, Ю. А.

Лукашевич, М. Г.

Russian

Электронная библиотека БГУ

ЭФФЕКТЫ ЛОКАЛИЗАЦИИ И ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ В 
ОПТИЧЕСКИХ И ТРАНСПОРТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИКАХ 
ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ GAAS-ALGAAS
Ю.А. Бумай1, М.Г. Лукашевич2, Д.А. Скрипка2 G. Gobsch 3,
R. Goldhahn3, N. Stein3, H.Micklitz4
1БНТУ; 2Белгосуниверситет, г. Минск; 3Университет Ilmenau; 4Koeln, Germany
В температурном интервале 1,5 -  300К и магнитном поле до 8Тл 
исследованы оптические (фотолюминесценция (ФЛ)) и транспортные 
(магнитосопротивление (МС), квантовый эффект Холла (КЭХ)) 
свойства одиночного GaAs-AlGaAs гетероперехода. Структуры 
получены методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием 
селективоного легирования на полуизолирующей GaAs подложке и 
состояли из нижнего нелегированного активного слоя GaAs толщиной 
500 нм, нелегированного Al0 .3 Ga0 .7 As слоя - спейсера (3 нм),
_1_ 18 3сильнолегированного кремнием n слоя (-1.1x10 см- ) Al03Gao.7 As
_|__|_ 1 О -5
(40 нм) и верхнего сильнолегированного n слоя (-2x10 см- ) GaAs 
(50нм).
В спектрах низкотемпературной ФЛ, полученных возбуждением 
лазерным излучением А=720 нм и 488 нм наряду с линиями, 
связанными с электронными переходами на остаточную акцепторную 
примесь углерода и рекомбинацией связанных экситонов в активном 
слое присутствует широкая бесструктурная полоса, соответствующая 
излучательной рекомбинации 2D электронов со свободными дырками 
и дырками, локализованными на акцепторной примеси в активном 
слое. Большая ширина и форма полосы, свидетельствуют о вариации 
энергий размерных подзон 2D-газа вдоль гетерограницы из-за 
изменения размеров потенциальной ямы, в которой он локализован.
Температурная зависимость проводимости показывает, что при 
Т<5К сопротивление увеличивается и описывается зависимостью R »  
lnT, характерной для слабо разупорядоченного 2D-газа и 
обусловленной процессами слабой локализации. Осцилляции МС 
Шубникова де Гааза свидетельствуют о заполнении двух размерных 
подзон, а определенная концентрация 2D электронов и уровень
19 ^Ферми были равны n=5x10 см- и sf =26 мэВ. Холловское 
сопротивление при Т=1,5К имеет не ярко выраженные плато 
целочисленного КЭХ, исчезающие при Т>30К и подтверждающие 
наличие процессов слабой локализации и электрон-электронного 
взаимодействия в исследованных гетероструктурах.
79


Эффекты локализации и взаимодействия оптических и транспортных характеристиках гетероструктуры GAAS-ALGAAS

http://elib.bsu.by/bitstream/123456789/32371/1/57.pdf

Эффекты локализации и взаимодействия оптических и транспортных характеристиках гетероструктуры GAAS-ALGAAS

Abstract

Similar works

Full text

Available Versions

Электронная библиотека БГУ